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安森美半導體在APEC 2021發布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

來源: 中電網
2021-06-09
類別:業界動態
eye 25
文章創建人 拍明

原標題:安森美半導體在APEC 2021發布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

安森美半導體在APEC 2021(應用電力電子會議)上確實發布了新的用于電動車充電的完整碳化硅(SiC)MOSFET模塊方案。以下是對該方案的詳細解讀:

一、發布背景與目的

隨著電動車市場的不斷增長,對充電基礎設施的需求也日益迫切。為了滿足駕駛員對快速充電站網絡的需求,以及緩解“續航里程焦慮癥”,安森美半導體推出了這一新的碳化硅MOSFET模塊方案。該方案旨在提供高性能、高能效的充電解決方案,以適應電動車市場的快速發展。

二、產品特點與優勢

  1. 高電壓與高效率

    • 新的1200V M1完整SiC MOSFET 2-PACK模塊基于平面技術,適合18V到20V范圍內的驅動電壓,易于用負門極電壓驅動。

    • 與傳統的硅器件相比,SiC MOSFET具有更低的熱阻和更高的開關性能,從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度,提高了能效和功率密度。

  2. 緊湊性與魯棒性

    • 鑒于充電樁部署在不同的環境和地點,緊湊性和魯棒性是設計人員面臨的挑戰。該SiC MOSFET模塊采用壓接式引腳封裝,是工業應用的理想選擇。

    • 嵌入的負溫系數(NTC)熱敏電阻有助于溫度監測,增強了系統的可靠性和穩定性。

  3. 高性能門極驅動器

    • 安森美半導體還推出了與SiC MOSFET模塊相匹配的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器。

    • 該驅動器提供5kV的電隔離,可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作,適合高速工作,典型傳播延遲為60ns。

  4. 降低開關損耗

    • 1200V和900V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小,減少了器件電容和門極電荷(Qg低至220nC),從而降低了電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。

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三、應用場景與生態系統

該SiC MOSFET模塊方案是安森美半導體電動車充電生態系統的一部分,被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。它適用于各種電動車充電站和充電樁,能夠提供高效、可靠的充電服務。

四、市場影響與前景

安森美半導體的這一新方案為電動車充電市場帶來了創新性的解決方案。隨著電動車市場的持續增長和充電基礎設施的不斷完善,該方案有望在未來幾年內得到廣泛應用和推廣。同時,它也將推動電動車充電技術的不斷進步和發展。

綜上所述,安森美半導體在APEC 2021上發布的新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案具有顯著的技術優勢和市場前景。它將為電動車充電市場提供高效、可靠的解決方案,推動電動車產業的持續發展。


責任編輯:David

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