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第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發展峰會成功舉辦

來源: 中電網
2021-12-24
類別:業界動態
eye 9
文章創建人 拍明芯城

原標題:第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發展峰會成功舉辦

第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發展峰會于2021年12月20日至21日在珠海成功舉辦。這次峰會作為2021第十六屆“中國芯”集成電路產業促進大會的同期活動,受到了廣泛關注。以下是對該峰會成功舉辦情況的詳細介紹:

一、峰會背景與主辦單位

  • 背景:隨著全球對碳達峰、碳中和目標的重視,寬禁帶半導體以其優秀的材料特性,在降低電力傳輸中能源消耗、提升能源轉換效率方面展現出巨大潛力。

  • 主辦單位:本次峰會由中國電子信息產業發展研究院、珠海市人民政府、橫琴粵澳深度合作區執行委員會主辦,廣東省工業和信息化廳、中國半導體行業協會提供指導。

二、峰會主題與內容

  • 主題:“創新技術應用,推動后摩爾時代發展”。

  • 內容:峰會聚焦于寬禁帶半導體領域的最新進展,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州晶湛半導體有限公司、泰科天潤半導體科技(北京)有限公司、北京郵電大學、三安光電有限公司等知名企業及高??蒲性核膶<液痛?,共同分享寬禁帶半導體在電力電子器件、射頻器件等領域的應用成果和技術趨勢。

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三、重要演講與報告

  • 馬曉凱博士的開幕致詞:他強調了寬禁帶半導體在電力電子器件和射頻器件中的廣泛應用,以及其在全球半導體行業中的重要地位。他指出,寬禁帶半導體正成為“十四五”規劃中重點發展的方向和如期實現碳達峰、碳中和的重要抓手。

  • 英諾賽科產品副總王懷峰的報告:他分享了《給綠色地球的一份禮物——GaN (A gift for green earth-GaN)》的報告,詳細介紹了氮化鎵(GaN)在降低數據中心能耗、提升系統效率方面的優勢,并預測了氮化鎵在未來功率半導體市場中的主流地位。

  • 泰科天潤半導體科技(北京)有限公司董事長&總經理陳彤的報告:他分析了碳化硅(SiC)晶圓制造的難點和挑戰,展望了碳化硅功率半導體在未來市場的發展前景。

  • 北京郵電大學電子工程學院執行院長張杰的報告:他分享了《超寬禁帶半導體氧化鎵材料與器件研究》報告,介紹了氧化鎵作為第四代半導體材料的優異性能和在日盲光電器件中的應用前景。

  • 三安光電有限公司副總經理陳東坡的報告:他帶來了《碳化硅在新能源汽車領域的應用及市場前景》的報告,詳細介紹了碳化硅在新能源汽車中的應用場景和市場潛力。

四、峰會成果與展望

  • 成果:峰會成功搭建了寬禁帶半導體領域的交流平臺,促進了產學研用各方的深入合作與交流。與會專家和代表就寬禁帶半導體的最新技術進展、市場趨勢、應用前景等方面進行了深入探討和分享。

  • 展望:隨著全球對碳達峰、碳中和目標的持續推進,寬禁帶半導體將在電力電子、新能源汽車、數據中心等領域發揮更加重要的作用。未來,寬禁帶半導體產業將迎來更加廣闊的發展前景和機遇。

綜上所述,第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發展峰會的成功舉辦,不僅展示了寬禁帶半導體領域的最新成果和技術趨勢,也為推動全球半導體行業的綠色發展和實現碳達峰、碳中和目標貢獻了力量。


責任編輯:David

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