Transphorm TP65H300G4JSGB SuperGaN 氮化鎵(GaN)場效應管結合了最先進的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。SuperGaN GaN FET是一種正常關閉的器件，使用Transphorm的Gen IV平臺。第四代SuperGaN平臺采用先進的epi和專利設計技術，簡化了可制造性。TP65H300G4JSGB GaN場效應管具有650V漏源電壓和41.6W的最大功耗，當t (C)=25°C時。典型應用包括消費類電源適配器、低功耗SMPS和照明。

特性

• 第四代科技

• 通過jedec認證的GaN技術

• 動態R(DS(on)eff)生產測試

• 穩健設計，定義為

• 寬柵極安全裕度

• 瞬態過電壓能力

• 非常低的Q(RR)

• 降低交叉損耗

• 提高了硬開關和軟開關電路的效率

• 提高功率密度

• 減小系統尺寸和重量

• 整體較低的系統成本

• 符合rohs標準和無鹵素包裝

規范

• 650V漏源電壓V(DSS)

• 800V瞬態漏源電壓V(DSS(TR))

• ±10V柵源電壓V(GSS)

• 41.6W最大功耗(P(D)) @T(C)=25℃

• 連續漏極電流I(D):

• @T 9.2 (C) = 25°C

• @T 5.8 (C) = 100°C

• 30A脈沖漏極電流I(DM)(脈沖寬度:10μs)

• 2V ~ 2.8V柵極閾值電壓V(GS)范圍

• 漏源極導通電阻:

• 240毫歐 ~ 312毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=25℃)

• 492毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=150℃)

• 典型電容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

• 400 pf輸入

• 16 pf輸出

• 0.8pF反向轉移

• 充電(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

• 3.5nC總柵極電荷

• 1.4nC柵源電荷

• 0.64nC柵漏電荷

• 19nC輸出電荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

應用程序

• 消費者

• 電源適配器

• 低功耗smp

• 照明