安森美 BSS84 MOS管

安森美（ON Semiconductor）的BSS84是一種N溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET），具有低阻抗和高開關速度的特點。本文將詳細介紹BSS84 MOS管的型號類型、工作原理、特點、應用及其主要參數。

中文描述： 功率場效應管，MOSFET，P溝道，50 V，130 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安裝

英文描述： Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R

BSS84中文參數

BSS84概述

Fairchild公司的BSS84為P溝道邏輯電平增強型場效應晶體管，SOT-23封裝.這一產品設計以最小化通導電阻，同時提供堅固耐用，可靠并高速的開關性能，因此BSS84適合低電壓，低電流和開關應用.

電壓控制P通道小信號開關

高密電池設計，用于極低RDS(ON)

高飽和電流

漏極至源極電壓(Vds):-50V

柵源電壓:±20V

Vgs 10V，低通導電阻:3.5ohm

持續漏電流:-130mA

最大功率耗散:360mW

工作結溫范圍:-55°C至150°C

應用

電源管理，工業，便攜式器材，消費電子產品

類型

安森美BSS84 MOS管主要包括以下幾種型號：

• BSS84：標準型號。

• BSS84-7：帶ESD保護的型號。

• BSS84DW1T1G：SOT-363封裝，帶排放端保護的型號。

• BSS84W：帶ESD保護的型號，適用于靜電敏感應用。

這些型號的選擇取決于具體的應用需求，如電流和電壓容忍度、ESD（靜電放電）保護等。

工作原理

BSS84 MOS管的工作原理基于MOSFET的基本原理，其主要包括以下幾個步驟：

1. 控制信號輸入：通過MOS管的柵極（Gate）輸入控制信號。

2. 電場調控：控制信號作用于柵極，產生電場，調控了柵極和源極之間的電荷分布。

3. 溝道形成：當柵極施加正電壓時，形成N溝道，使得源極和漏極之間形成導電通路。

4. 電流流動：當溝道形成后，根據柵極和源極之間的電壓差，電流開始從源極流向漏極，控制了MOS管的導通狀態。

通過調控柵極電壓，可以控制BSS84 MOS管的導通和截止狀態，實現對電路的開關控制。

特點

安森美BSS84 MOS管具有以下顯著特點：

1. 低阻抗：具有低導通電阻，能夠實現較小的導通損耗。

2. 高開關速度：響應速度快，能夠實現快速的開關操作。

3. 低門槽電壓：具有低的門槽電壓，適用于低電壓驅動電路。

4. ESD保護：部分型號帶有ESD保護，提高了器件的抗靜電能力，增強了器件的穩定性和可靠性。

5. 小型封裝：采用小型封裝設計，體積小巧，適用于空間受限的應用場合。

6. 高溫特性：能夠在較高溫度下工作，適用于高溫環境的應用。

這些特點使得BSS84 MOS管在各種低壓開關應用中得到了廣泛應用。

應用

BSS84 MOS管廣泛應用于以下領域：

1. 電源管理：用于電源開關、穩壓器和DC-DC轉換器等電源管理電路。

2. 模擬開關：用于模擬開關、信號開關和模擬多路選擇器等電路。

3. 電流控制：用于電流控制、電流調節和電流限制等電路。

4. 低壓開關：用于低壓開關和低功耗應用，如便攜式設備、消費電子產品等。

5. 靜電敏感應用：部分型號帶有ESD保護，適用于對靜電敏感的應用場合。

參數

以下是BSS84 MOS管的主要參數：

• 漏極-源極電壓（V_DS）：通常為20V至100V。

• 柵極-源極電壓（V_GS）：通常為±20V。

• 漏極電流（I_D）：通常為幾十毫安至幾安。

• 漏極-源極電阻（R_DS(on)）：通常為幾歐姆至幾十歐姆。

• 工作溫度范圍：通常為-55°C至+150°C。

這些參數可以根據具體的應用需求進行選擇和配置，以滿足不同應用場景下的需求。

安森美BSS84 MOS管具有低阻抗、高開關速度和ESD保護等特點，適用于各種低壓開關和靜電敏感應用。無論是電源管理、模擬開關，還是電流控制和低壓開關應用，BSS84 MOS管都能夠提供可靠的性能和穩定的工作效果。