安森美（Fairchild Semiconductor）是一家知名的半導(dǎo)體制造商，其BSS123型號的MOS管在電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將對安森美BSS123 MOS管的型號類型、工作原理、特點、應(yīng)用和參數(shù)等方面進行詳細介紹。

中文描述： 功率場效應(yīng)管，MOSFET，N溝道，100 V，170 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安裝

英文描述： Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

BSS123中文參數(shù)

BSS123概述

BSS123為N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管，SOT-23封裝.這一產(chǎn)品設(shè)計以最小化通導(dǎo)電阻，同時提供堅固耐用，可靠并高速的開關(guān)性能，因此BSS123適合低電壓，低電流應(yīng)用，如小型伺服電機控制，功率MOSFET柵極驅(qū)動器和其它開關(guān)應(yīng)用.

漏極至源極電壓:100V

柵-源電壓：±20V

低通導(dǎo)電阻:1.2ohm，Vgs 10V

連續(xù)漏電流:170mA

最大功率耗散:360mW

工作結(jié)溫范圍:-55°C至150°C

應(yīng)用

電源管理，工業(yè)，便攜式器材，消費電子產(chǎn)品

一、型號類型：

 安森美BSS123 MOS管是一種N溝道MOS場效應(yīng)管，屬于低電阻、低壓降的場效應(yīng)管系列。該系列產(chǎn)品包括BSS123、BSS123L等型號，具有不同的封裝和特性。

二、工作原理：

 BSS123 MOS管采用MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）結(jié)構(gòu)，其主要構(gòu)成包括柵極、漏極和源極。當施加正向偏壓于柵極時，柵極和漏極之間形成電場，使得漏極-源極通道導(dǎo)電。當施加反向偏壓時，柵極和漏極之間的電場被抑制，漏極-源極通道截斷，電流無法通過。

三、特點：

1. 低電阻：BSS123 MOS管具有較低的導(dǎo)通電阻，能夠提供較小的導(dǎo)通壓降，有效降低功耗。

2. 高速開關(guān)特性：由于MOS管的柵極電容較小，響應(yīng)速度快，適用于高頻率的開關(guān)應(yīng)用。

3. 低壓控制：BSS123 MOS管在低電壓下即可實現(xiàn)可靠的開關(guān)控制，適用于低電壓系統(tǒng)。

4. 封裝多樣：產(chǎn)品提供多種封裝形式，包括SOT-23、SOT-323等，方便不同應(yīng)用場景的設(shè)計和安裝。

四、應(yīng)用：

1. 電源管理：BSS123 MOS管可用于電源管理電路中的開關(guān)控制，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、充放電管理等。

2. 信號開關(guān)：在模擬和數(shù)字信號開關(guān)電路中，BSS123 MOS管可實現(xiàn)快速的信號開關(guān)和放大。

3. LED驅(qū)動：作為LED驅(qū)動器的關(guān)鍵部件，BSS123 MOS管能夠有效控制LED的亮度和開關(guān)。

4. 低功耗應(yīng)用：由于其低導(dǎo)通電阻和低功耗特性，適用于需要長時間待機和低功耗運行的電路。

五、參數(shù)：

1. 最大漏極-源極電壓（Vdsmax）：通常為30V。

2. 最大柵極-源極電壓（Vgsmax）：通常為±20V。

3. 最大漏極電流（Idmax）：通常為200mA。

4. 導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：通常在幾歐姆至幾十歐姆之間，取決于工作條件和封裝形式。

5. 開關(guān)時間（tON、tOFF）：通常在納秒級別，與工作頻率和負載特性相關(guān)。

結(jié)論： 通過本文的介紹，我們了解了安森美BSS123 MOS管的型號類型、工作原理、特點、應(yīng)用和參數(shù)等方面的詳細信息。這些信息有助于工程師在設(shè)計電路時選擇合適的器件，并充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢。