超級結MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲能、家用電器、汽車電子和工業控制等應用廣泛，但什么樣標準的超級結MOS能夠為應用場景有效保駕護航，超級結MOS的選型要求及標準主要包括以下幾個方面：

　　電流和電壓額定值

　　電壓額定值(VDS)：

　　MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級如600V、650V、700V等應根據具體應用的工作電壓來選擇。例如，對于微型儲能、家用電器設備，650V的MOSFET通常是合適的選擇。

　　電流額定值(ID)：

　　需要根據應用中的最大負載電流來確定MOSFET的額定電流，確保其能夠在最大負載下安全運行。對于微型儲能、家用電器，高電流額定值通常能更好地滿足大功率需求。

　　導通電阻(Rds(on))

　　低導通電阻：

　　低導通電阻能夠減少導通損耗，提高效率。需要在特定的柵極電壓和漏極電流條件下選擇具有盡可能低的RDS(on)的MOSFET。例如，時科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A時的RDS(on)不超過99mΩ，是一個低導通電阻的優秀選擇

　　開關性能

　　開關速度：

　　需要選擇具有快速開關速度的MOSFET，以適應高頻應用。超結eiMOS通常具有較短的上升時間、下降時間和開關延遲時間，適合高頻操作。

　　柵極電荷(Qg)：

　　低柵極電荷能夠降低驅動損耗，提升整體效率。

　　熱管理

　　熱阻(RθJA, RθJC)：

　　MOSFET的熱阻參數決定其散熱能力，低熱阻能更好地將熱量傳導出去，防止過熱。

　　封裝類型：

　　選擇合適的封裝類型(如TO-220、D2PAK、TO-247等)以滿足散熱和空間要求。例如，SKJ40N65-T7采用TO-247-3封裝，具有良好的散熱性能。

　　安全裕度

　　雪崩能量(EAS)：

　　確保MOSFET具有足夠的雪崩能量能力，以應對意外的過電壓情況。

　　SOA(安全工作區)：

　　需要在各種工作條件下都能安全運行。

　　其他關鍵參數

　　其他關鍵參數：

　　輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向恢復時間(trr)：這些參數影響MOSFET的動態性能，選擇時需要綜合考慮電路的具體要求。超高速體二極管的反向恢復時間快，可以提高整體效率。

　　超結MOS的選型需要綜合考慮電壓和電流額定值、導通電阻、開關速度、熱管理、安全裕度、寄生參數以及應用的具體需求，選擇合適的產品以確保最佳性能和可靠性。通過對上述的認知了解，我們對超級結MOS選型有了標準，那時科又有怎樣的超級結MOS能夠 安全、低功耗、高性能的為應用場景服務。

　　SKJ40N65-T7 超級結MOSFET 主要特性

　　漏源電壓(VDS): 650V

　　連續漏極電流(ID): 40A

　　封裝類型: TO-247-3

　　閾值電壓(VGS(th): 2~4V

　　導通電阻(RDS(on)): 在VGS=10V、ID=20A的條件下不超過99mΩ

　　超高速體二極管: 反向恢復時間更快，提高工作效率

　　技術優勢

　　低導通電阻: 超級結構技術專門用于最小化導通狀態電阻，在高電壓下也能保持低導通電阻，有效減少開關損耗。

　　高開關性能: 優秀的開關性能使其能夠在高頻應用中表現出色，減少開關損耗，提高整體效率。

　　高能量耐受: 在雪崩和換相模式下能夠承受高能量脈沖，提高器件的可靠性。

　　超高速體二極管: 反向恢復時間快，進一步提高工作效率，特別適合高頻開關電路。

　　典型應用

　　01：家用電器

　　高效率電源管理：低導通電阻和高開關速度減少熱量生成，提高整體系統效率。

　　EMI性能良好：低噪聲開關特性有助于減少電磁干擾，適應高標準的顯示設備要求。

　　02：微型儲能

　　高效率和低待機功耗：低RDS(on)和低Qg特性提高充電器效率，減少能耗。

　　封裝和散熱能力：TO-247-3封裝具有良好的散熱性能，適用于高頻、高功率輸出的產品領域。

　　03：工業電源

　　高耐壓低阻抗：高耐壓和低導通電阻的特性使其能夠在電力供應應用中穩定運行，提供可靠的電力傳輸。

　　關于時科

　　時科是全球知名的半導體分立元器件廠商之一，主要為工程師與設計人員提供各種半導體產品與軟件。

　　應用行業：汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、航空、儲能、快充、電源；

　　應用場景：信號檢測和整流、電流調節和開關電路、電源管理和保護電路、高效電源轉換和充電系統、電池管理系統、防靜電保護電機控制、開關電源和放大器；

　　產品類目：二極管、三極管、肖特基、碳化硅肖特基、氮化鎵IC、鋰電池保護IC、IGBT、ESD保護管、整流管、MOSFET等40多個細分品類，超過5000款單品；