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德州儀器BQ2022ADBZR EPROM 1Kbit 2.65V~5.5V非易失性存儲器(ROM) 中文資料

來源:
2024-06-07
類別:基礎知識
eye 23
文章創建人 拍明芯城

德州儀器 BQ2022ADBZR EPROM 非易失性存儲器中文資料

一、型號類型

德州儀器(Texas Instruments, 簡稱TI)的BQ2022ADBZR是一種非易失性存儲器,屬于EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)類型。具體來說,它是一款1Kbit的存儲器,工作電壓范圍為2.65V到5.5V。這款存儲器特別適用于需要數據長時間保存并且偶爾需要重新編程的應用場景。

BQ2022ADBZR屬于BQ2022系列,該系列產品在存儲容量、封裝形式和編程特性上有所不同,用戶可以根據實際需求選擇適合的型號。該系列的主要型號包括:

  • BQ2022ADBZR

  • BQ2022BDGKR

  • BQ2022CDRZR

這些型號在容量和性能上可能基本相同,但在封裝形式上有所區別,以適應不同的應用需求。

image.png


描述:貼片安裝,黏合安裝 Single Wire SOT-23-3 4Pagesx256 20μA 2.65V~5.5V 2.65V~5.5V 128B 11.5V~12V

數據手冊查看:http://www.tongliao8.com/data/k01-36761791-BQ2022ADBZR.html

在線購買:BQ2022ADBZR

產品屬性屬性值
商品目錄

存儲器>可擦除編程只讀存儲器(EPROM)

通用封裝

SOT-23-3

RoHS

合規

安裝方式

貼片安裝,黏合安裝

工作溫度

-20℃(TA)-70℃(TA)

長*寬*高

-

應用等級

-

零件狀態

在售

包裝方式

散裝,卷帶包裝

存儲容量

128B

接口類型

Single Wire

數據總線寬度

-

最大供電電流

20μA

最大工作供電電壓

2.65V~5.5V

最大時鐘頻率

-

最小工作供電電壓

2.65V~5.5V

組織

4Pagesx256

編程電壓

11.5V~12V

二、工作原理

BQ2022ADBZR作為一種EPROM,其基本工作原理是通過電場效應將電子注入或移出浮柵,以改變存儲單元的狀態。這種狀態的變化代表了數據的“0”和“1”,從而實現數據存儲和讀取。EPROM的特點是數據一旦寫入,就能夠長期保存,且在無電源情況下也不會丟失數據。

該器件的工作原理包括以下幾個方面:

  1. 編程(寫入):通過特定的編程電壓和時間,將數據寫入EPROM。在寫入過程中,電子通過隧道效應注入浮柵,改變浮柵電荷狀態,從而改變存儲單元的閾值電壓。

  2. 讀取:讀取操作不需要額外的編程電壓,只需要標準的工作電壓。讀取時,通過檢測存儲單元的閾值電壓來判斷存儲的數據是“0”還是“1”。

  3. 擦除:EPROM的數據擦除通常需要紫外線照射。紫外線照射使得浮柵中的電子獲得足夠的能量躍遷至導帶,從而清除浮柵電荷,恢復存儲單元的初始狀態。

BQ2022ADBZR通過單線接口進行數據傳輸和控制。這種單線接口極大地簡化了電路設計,減少了引腳數量,提高了系統的集成度和可靠性。

三、特點

BQ2022ADBZR具有以下幾個顯著特點:

  1. 非易失性存儲:數據寫入后無需持續供電,能夠長時間保存,適用于需要長期保存數據的應用。

  2. 單線接口:通過單線接口進行數據傳輸和控制,減少了系統的引腳數量和復雜度,提高了系統的可靠性。

  3. 寬工作電壓范圍:支持2.65V到5.5V的寬工作電壓范圍,適用于各種電源環境下的應用。

  4. 高可靠性:采用了先進的存儲技術,保證數據存儲的可靠性和穩定性,數據保持時間長達10年以上。

  5. 小封裝尺寸:采用SOT-23封裝,占用PCB空間小,適用于對尺寸要求較高的應用場景。

四、應用

BQ2022ADBZR廣泛應用于以下幾個領域:

  1. 電池管理系統(BMS):用于存儲電池參數和歷史數據,確保電池管理系統的正常運行和數據追溯。

  2. 醫療設備:用于存儲患者數據和設備配置,確保醫療設備的可靠性和數據安全。

  3. 消費電子:在智能手機、平板電腦等消費電子設備中,用于存儲設備配置信息和用戶數據。

  4. 工業控制:在工業自動化系統中,用于存儲系統參數和歷史數據,確保系統的穩定運行和數據追溯。

  5. 物聯網(IoT):在物聯網設備中,用于存儲傳感器數據和設備配置,提高設備的智能化水平和數據安全性。

五、參數

BQ2022ADBZR的主要參數如下:

參數數值
存儲容量1Kbit
工作電壓范圍2.65V - 5.5V
存儲類型EPROM
接口類型單線接口
數據保持時間10年以上
封裝形式SOT-23
工作溫度范圍-40°C to 85°C
寫入周期10ms (typical)
擦除周期需要紫外線照射

1. 存儲容量

BQ2022ADBZR的存儲容量為1Kbit,即128字節。每個字節可以單獨編程和讀取,用戶可以根據需要存儲不同的數據。

2. 工作電壓范圍

該器件的工作電壓范圍為2.65V到5.5V,能夠適應各種不同的電源環境,具有較高的電源適應性。

3. 存儲類型

作為一種EPROM,BQ2022ADBZR在數據保持方面具有顯著優勢,能夠在無電源情況下長期保存數據。

4. 接口類型

采用單線接口進行數據傳輸和控制,這種設計不僅簡化了電路設計,還提高了系統的集成度和可靠性。

5. 數據保持時間

BQ2022ADBZR的數據保持時間可達10年以上,保證了數據的長期可靠性和安全性。

6. 封裝形式

該器件采用SOT-23封裝,占用PCB空間小,適用于對尺寸要求較高的應用場景。

7. 工作溫度范圍

工作溫度范圍為-40°C到85°C,能夠在各種嚴苛的環境條件下穩定工作。

8. 寫入周期

典型寫入周期為10ms,能夠快速完成數據寫入,提高系統的工作效率。

9. 擦除周期

EPROM的擦除需要紫外線照射,這種方式雖然不如電擦除方便,但在實際應用中能夠保證數據的安全性和穩定性。

BQ2022ADBZR作為一種高可靠性的非易失性存儲器,憑借其獨特的優勢和廣泛的應用,成為了各類電子系統中不可或缺的關鍵器件。在未來的發展中,隨著技術的不斷進步和應用場景的不斷擴展,BQ2022ADBZR將繼續在電子領域發揮重要作用。

責任編輯:David

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