英飛凌IRF4905PBF MOS管中文資料

一、型號類型

英飛凌（Infineon）IRF4905PBF是屬于P溝道增強型金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET），這類器件廣泛用于電源管理、開關電路以及其他需要高效能和低損耗的電路中。IRF4905PBF具體是一個P溝道功率MOSFET，標志著其適用于高側開關應用，即在電源路徑的高電壓端進行控制。

P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的主要區別在于電流流動方向和控制邏輯。P溝道MOSFET需要負電壓相對于源極來開啟，而N溝道則需要正電壓。因此，P溝道MOSFET在某些電路設計中可以簡化高側開關的驅動邏輯。

廠商名稱：英飛凌

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應管，MOSFET，P溝道，55 V，74 A，0.02 ohm，TO-220AB，通孔

英文描述： Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-36758345-IRF4905PBF.html

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IRF4905PBF中文參數

IRF4905PBF概述

International Rectifier公司的IRF4905PBF是一款-55V單P溝道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封裝.此MOSFET具有極低的單位面積導通電，額定動態dv/dt，耐用的快速開關以及全雪崩額定，功率MOSFET提供極高的效率和穩定性，用于多種應用.

漏極至源極電壓:-55V

柵-源電壓：±20V

Vgs=-10V時，導通電阻Rds(on)為20mohm

25°C功率耗散Pd:200W

Vgs 10V 25°C時，連續漏電流Id:-74A

結溫范圍:-55°C至175°C

應用

電源管理，工業，便攜式器材，消費電子產品

二、工作原理

MOSFET的工作原理基于電場效應，即通過電場來控制半導體內電流的流動。在P溝道MOSFET中，當柵極電壓低于源極電壓（負柵極電壓）時，P型溝道會形成，使得電流從源極流向漏極。

具體來說，當柵極與源極之間施加一個足夠大的負電壓（即柵極電壓低于源極電壓），MOSFET中的P型半導體材料在柵極和襯底之間形成一個反向偏置電場，吸引電子（負載載流子）進入溝道區域，從而形成一個導電通道。此時，MOSFET處于導通狀態，允許電流從源極流向漏極。反之，當柵極電壓接近源極電壓時，導電通道消失，MOSFET進入截止狀態，阻斷源極和漏極之間的電流。

三、特點

IRF4905PBF具有以下幾個主要特點：

1. 低導通電阻（R_DS(on)）：導通電阻低意味著在導通狀態下的功耗小，從而提高了效率。IRF4905PBF的典型R_DS(on)為20mΩ。

2. 高電流能力：該器件能夠處理高達74A的連續漏極電流（I_D），適合大電流應用。

3. 高壓能力：具備55V的漏源極擊穿電壓（V_DS），適用于較高電壓應用環境。

4. 快速開關速度：MOSFET的開關速度直接影響電路的效率和性能，IRF4905PBF提供快速的開關時間，使其適合高頻率的開關電源和轉換器應用。

5. 熱性能：良好的熱性能確保其在高功率應用中的可靠性。具有175°C的最大結溫度，使其能在較嚴苛的環境中穩定工作。

四、應用

IRF4905PBF廣泛應用于各種需要高效開關和低功耗的電子電路中，典型的應用領域包括：

1. 電源管理：用于開關電源（SMPS）、DC-DC轉換器等高效能電源管理系統。

2. 電機控制：應用于電動車、機器人等需要精確電流控制的電機驅動系統。

3. 電池管理系統（BMS）：在電動汽車和儲能系統中，用于電池的充放電控制。

4. 負載開關：用于高側負載開關應用，如汽車電子、電信設備中。

5. 音頻放大器：在高功率音頻放大器中，作為功率放大元件。

6. 太陽能逆變器：在光伏系統中，用于能量轉換和管理。

五、參數

IRF4905PBF的關鍵參數如下：

1. 漏源極擊穿電壓（V_DS）：55V

2. 連續漏極電流（I_D）：74A（在25°C時）

3. 脈沖漏極電流（I_DM）：260A

4. 導通電阻（R_DS(on)）：20mΩ（V_GS = -10V時）

5. 柵極電荷（Q_g）：170nC（典型值）

6. 開關時間：

• 上升時間（t_r）：40ns

• 下降時間（t_f）：29ns

7. 總柵極電荷（Q_g）：170nC

8. 輸入電容（C_iss）：3700pF

9. 輸出電容（C_oss）：870pF

10. 反向傳輸電容（C_rss）：540pF

六、封裝和引腳配置

IRF4905PBF通常采用TO-220封裝，這是一個常見的功率器件封裝形式，具有良好的散熱性能和機械強度。TO-220封裝通常有三個引腳：

1. 柵極（Gate）：用于控制MOSFET的開啟和關閉。

2. 漏極（Drain）：與負載相連，主要電流通過此端流出。

3. 源極（Source）：接地或負電壓端。

七、使用注意事項

1. 熱管理：由于MOSFET在工作過程中會產生熱量，因此在高功率應用中必須進行有效的散熱設計，如使用散熱片或風扇。

2. 過壓保護：需要在電路設計中考慮瞬態電壓尖峰的影響，通常會使用瞬態抑制二極管（TVS）或RC吸收電路來保護MOSFET免受過壓沖擊。

3. 驅動電路設計：P溝道MOSFET的柵極驅動電路設計需特別注意，確保柵極電壓足夠低以實現完全導通，同時避免過大的柵極電荷導致開關損耗增加。

4. 電磁干擾（EMI）：在高頻應用中，MOSFET的開關動作可能會產生電磁干擾，需要使用適當的濾波電路或屏蔽措施。

IRF4905PBF作為一款高性能的P溝道MOSFET，在高效電源管理和負載控制應用中表現出色，憑借其低導通電阻、高電流處理能力和良好的熱性能，成為各類電子設備設計中的重要元件。