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ON安森美NDS0610 MOS管中文資料

來源:
2024-07-04
類別:基礎知識
eye 19
文章創建人 拍明芯城

ON安森美NDS0610 MOS管中文資料

一、型號類型及后綴說明

ON安森美的NDS0610是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管(MOSFET)。在MOSFET的型號中,通常會包含一些字母和數字,代表不同的特性和類別。以下是NDS0610的型號含義及其解釋:

  • N:代表這是一個N溝道MOSFET。MOSFET的類型主要分為N溝道和P溝道,N溝道MOSFET用于負載開關和信號放大等應用中。

  • D:表示這是一個增強型MOSFET。增強型MOSFET在施加柵極電壓后才會導通。

  • S:這是生產廠家的代號,用于標識生產商是ON Semiconductor。

  • 0610:這是MOSFET的型號序列號,代表產品的系列和版本信息。

NDS0610圖片

廠商名稱:ON安森美

元件分類:MOS管

中文描述: 功率場效應管,MOSFET,P溝道,60 V,120 mA,10 ohm,SOT-23,表面安裝

英文描述: NDS0610 P-Channel MOSFET,120 mA,60 V,3-Pin SOT-23 Fairchild

數據手冊:http://www.tongliao8.com/data/k02-36709935-NDS0610.html

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NDS0610中文參數

通道類型P最大功率耗散360 mW
最大連續漏極電流120 mA晶體管配置
最大漏源電壓60 V最大柵源電壓-20 V、+20 V
封裝類型SOT-23寬度1.3mm
安裝類型表面貼裝每片芯片元件數目1
引腳數目3典型柵極電荷@Vgs1.8 nC @ 10 V
最大漏源電阻值10 Ω晶體管材料Si
通道模式增強長度2.92mm
最小柵閾值電壓1V最高工作溫度+150 °C

NDS0610概述

NDS0610是使用高單元密度DMOS技術生產的P溝道增強型FET。這種非常高密度的工藝旨在最大限度地降低導通電阻,提供堅固可靠的性能和快速開關。在大多數需要高達120mA DC的應用中,它們可以毫不費力地使用,并且可以提供高達1A的電流。該產品特別適用于需要低電流高壓側開關的低壓應用。

壓控p溝道小信號開關

低RDS(ON)的高密度電池設計

高飽和電流

特點和優勢:

電壓控制的P通道小信號開關

高密度單元設計

高飽和度電流

卓越的交換性能

堅固耐用、可靠的性能

DMOS技術

應用:

負載切換

DC/DC轉換器

電池保護

電源管理控制

直流電機控制

NDS0610引腳圖

image.png

二、工作原理

NDS0610 MOSFET的工作原理基于場效應晶體管的基本工作機制。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種由柵極、漏極和源極組成的三端器件。其工作原理可以分為以下幾個步驟:

  1. 柵極控制電場:在N溝道MOSFET中,柵極施加的電壓形成一個電場,這個電場會影響溝道區域的導電性。當柵極電壓高于一定閾值電壓時,會在半導體溝道中形成一個導電通道。

  2. 電子流動:當柵極電壓高于閾值電壓時,電子從源極流向漏極,形成電流。MOSFET的工作狀態取決于柵極-源極電壓V_GS與閾值電壓V_th之間的關系。

  3. 增強型工作:在增強型MOSFET中,只有當柵極電壓V_GS超過閾值電壓V_th時,MOSFET才會導通。否則,它處于關斷狀態。

三、特點

NDS0610 MOSFET具有以下幾個顯著特點:

  1. 低導通電阻:NDS0610具有低的R_DS(on)(導通電阻),這意味著在開關狀態下,能以較低的電阻傳導電流,從而減少功耗和發熱。

  2. 高開關速度:該MOSFET能夠在較短的時間內完成開關操作,適用于高頻開關應用。

  3. 高耐壓能力:具有一定的耐壓能力,能夠承受較高的電壓而不發生擊穿,增加了電路設計的安全性。

  4. 高增益:NDS0610提供了高的電流增益,適用于需要高電流放大的電路設計。

  5. 封裝形式:采用SOT-23封裝,這種封裝形式小巧且適合高密度的電路板設計。

四、應用領域

NDS0610 MOSFET廣泛應用于各種電子電路中,主要包括以下幾個應用領域:

  1. 開關電源:在開關電源設計中,NDS0610 MOSFET可以用作主開關元件,以提高轉換效率和穩定性。

  2. DC-DC轉換器:用于DC-DC轉換器的開關控制,能夠實現從一種直流電壓轉換到另一種直流電壓的功能。

  3. 電動機驅動:在電動機驅動電路中,作為開關元件來控制電機的啟動、停止及速度調節。

  4. 低功耗電路:適用于低功耗的電子設備中,如移動設備、便攜式設備等。

  5. 信號放大:在模擬信號處理電路中,可以用作放大器以提高信號的強度。

五、主要參數

以下是NDS0610 MOSFET的主要參數及其詳細說明:

參數說明
最大漏極-源極電壓 (V_DSS)MOSFET可以承受的最大漏極到源極的電壓60V
最大柵極-源極電壓 (V_GS)MOSFET可以承受的最大柵極到源極的電壓±20V
最大漏極電流 (I_D)MOSFET在25°C環境下的最大漏極電流10A
導通電阻 (R_DS(on))MOSFET導通狀態下的漏極到源極的電阻0.040Ω (最大值)
門檻電壓 (V_GS(th))MOSFET開始導通的最小柵極-源極電壓1.0V ~ 2.5V
總門極電荷 (Q_G)需要施加在柵極上的電荷以完全打開MOSFET10nC
開關時間 (t_on / t_off)MOSFET從關斷狀態到導通狀態的時間22ns / 30ns

六、總結

NDS0610 MOSFET是一款高性能N溝道增強型場效應晶體管,廣泛應用于各種高效能的電子電路設計中。其具有低導通電阻、高開關速度和良好的電壓承受能力,使其成為開關電源、DC-DC轉換器以及電動機驅動等應用中的理想選擇。通過詳細分析其工作原理、特點、應用領域和主要參數,可以幫助工程師更好地利用NDS0610 MOSFET來滿足不同電子電路設計的需求。


參考資料:

  1. ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 數據手冊

  2. NDS0610 MOSFET 規格說明書

以上內容對NDS0610 MOSFET進行了詳細的介紹,涵蓋了其型號類型、工作原理、特點、應用及主要參數等方面的信息。希望對您的研究和應用有所幫助。

責任編輯:David

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