安森美NL27WZ04DFT2G門極和反相器中文資料

一、型號與類型

安森美（ON Semiconductor）是一家全球領先的半導體供應商，其產品線廣泛覆蓋模擬、邏輯、電源管理及離散器件等多個領域。NL27WZ04DFT2G是安森美推出的一款高性能雙路反相器，屬于其27WZ系列邏輯門芯片之一。該芯片采用先進的CMOS技術設計，具有低功耗、高速度及寬電壓操作范圍等特點，廣泛應用于汽車電子、工業自動化、通信設備等多個領域。

　　廠商名稱：ON安森美

　　元件分類：門極和反相器

　　中文描述： 反相器，雙路+125℃-55℃，2.2 x 1.35 x 1mm，否，SC-88封裝，5.5V，LVTTL，6引腳

　　英文描述： Inverter 2-Element CMOS Automotive 6-Pin SC-88 T/R

　　數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k01-355262-NL27WZ04DFT2G.html

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　　NL27WZ04DFT2G概述

　　NL27WZ04是一款高性能的雙逆變器，運行電壓范圍為1.65至5.5 V。高阻抗TTL兼容輸入可明顯降低輸入驅動器的電流負載，而TTL兼容輸出改善了開關噪聲性能。

　　特性

　　極高的速度：在V CC=5 V時t PD 2.0 ns（典型值）

　　專為1.65 V至5.5 VV CC操作而設計

　　耐壓輸入和輸出

　　兼容LVTTL-具有5 V TTL邏輯且V CC=3 V的接口功能

　　兼容LVCMOS

　　24 mA平衡輸出灌電流和源功能

　　接近零的靜態電源電流可大大降低系統功耗要求

　　替代NC7W04

　　芯片復雜度：FET=72；等效門=18

　　提供無鉛封裝

　　NL27WZ04DFT2G中文參數

二、工作原理

NL27WZ04DFT2G作為一款雙路反相器，其核心工作原理基于CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術。CMOS技術利用P型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和N型MOSFET的互補特性，實現邏輯電路的開關功能。在反相器中，當輸入信號為高電平時（邏輯1），輸出信號為低電平（邏輯0）；反之，當輸入信號為低電平時，輸出信號為高電平。這種邏輯反轉功能使得反相器在數字電路設計中扮演著重要角色，常用于信號整形、時序控制及邏輯電平轉換等場景。

具體到NL27WZ04DFT2G，其內部集成了兩個獨立的反相器單元，每個單元都能獨立地對輸入信號進行反相處理。這種雙路設計不僅提高了芯片的集成度，還方便了電路布局和布線，降低了系統成本。

三、特點

1. 寬電壓操作范圍：NL27WZ04DFT2G支持1.65V至5.5V的寬電壓操作范圍，這意味著它可以在多種電源電壓環境下正常工作，提高了芯片的兼容性和靈活性。

2. 高速性能：該芯片具有極高的速度性能，在VCC=5V時，典型傳播延遲時間僅為2.0ns，滿足了對速度要求較高的應用場景。

3. 低功耗：NL27WZ04DFT2G采用先進的CMOS技術，具有接近零的靜態電源電流，可以顯著降低系統功耗要求，延長設備使用時間。

4. 高阻抗輸入：高阻抗TTL兼容輸入可明顯降低輸入驅動器的電流負載，減少對前級電路的影響，提高系統的穩定性和可靠性。

5. TTL和LVTTL兼容輸出：該芯片的輸出電平與TTL和LVTTL標準兼容，便于與多種邏輯電路接口，增強了芯片的通用性和易用性。

6. 多封裝選項：NL27WZ04DFT2G提供多種封裝形式，如SC-88、SOT-363等，方便用戶根據實際需求選擇合適的封裝類型，滿足不同的應用場景和布局要求。

四、應用

NL27WZ04DFT2G憑借其優異的性能和廣泛的應用范圍，在多個領域得到了廣泛應用：

1. 汽車電子：在汽車電子系統中，NL27WZ04DFT2G可用于信號整形、時序控制及邏輯電平轉換等電路，提高汽車電子系統的穩定性和可靠性。

2. 工業自動化：在工業自動化控制系統中，該芯片可用于傳感器信號處理、電機驅動控制等場景，實現精確的控制和調節。

3. 通信設備：在通信設備中，NL27WZ04DFT2G可用于信號放大、濾波及邏輯處理等電路，提高通信設備的信號質量和傳輸效率。

4. 消費電子：在消費電子領域，該芯片可用于電源管理、顯示驅動等電路，提升消費電子產品的性能和用戶體驗。

五、參數

以下是NL27WZ04DFT2G的主要參數：

• 型號：NL27WZ04DFT2G

• 制造商：ON Semiconductor

• 系列：27WZ

• 邏輯類型：反相器

• 電路數：2

• 輸入數：2

• 電壓-供電：1.65V ~ 5.5V

• 電流-靜態（最大值）：1μA

• 電流-輸出高、低：32mA（部分資料顯示為16mA，具體以實際產品為準）

• 工作溫度：-55°C ~ +125°C

• 安裝類型：表面貼裝型（SMT）

• 封裝/外殼：SC-88、SOT-363等

• 尺寸：2.2 x 1.35 x 1mm（或類似尺寸，具體以實際產品為準）

• 引腳數目：6

• 最長傳播延遲時間：@最長CL 11ns @ 15pF（或類似值，具體以實際產品為準）

• 特性：高速度、低功耗、寬電壓范圍、TTL/LVTTL兼容

• 傳播延遲時間（典型值）：

• 輸入至輸出（高電平至低電平）：@VCC=5V, CL=15pF時，約為2.0ns

• 輸入至輸出（低電平至高電平）：@VCC=5V, CL=15pF時，略有不同，具體值需參考數據手冊

• 扇出能力：

• 典型值下，每個反相器單元能夠驅動多個負載電容，具體數值取決于電源電壓和負載電容大小，一般可驅動數個至數十個TTL負載門。

• 電源電壓抑制比（PSRR）：
  該參數衡量了電源電壓變化對輸出信號穩定性的影響。NL27WZ04DFT2G具有優秀的電源抑制能力，能夠在電源電壓波動時保持輸出信號的穩定。

• 輸入閾值電壓（Vih, Vil）：

• 輸入高電平閾值（Vih）：通常定義為輸入電壓上升到某一值時，輸出能穩定在低電平的最大值。對于NL27WZ04DFT2G，這個值取決于電源電壓，但一般會在電源電壓的一定比例范圍內。

• 輸入低電平閾值（Vil）：類似地，這是輸入電壓下降到某一值時，輸出能穩定在高電平的最小值。

• 輸出高電平電壓（Voh）和輸出低電平電壓（Vol）：

• Voh：在輸出為高電平時，輸出引腳上的電壓值，通常接近電源電壓但略低。

• Vol：在輸出為低電平時，輸出引腳上的電壓值，通常接近地電位但略高于地。

• 靜態功耗：
  由于采用CMOS技術，NL27WZ04DFT2G在靜態（即無信號翻轉）時的功耗極低，幾乎可以忽略不計。

• 開關時間：
  除了傳播延遲時間外，還包括了從輸入信號變化到輸出信號開始變化所需的上升時間和下降時間。這些時間參數共同決定了芯片的動態性能。

• 電磁兼容性（EMC）：
  NL27WZ04DFT2G在設計時考慮了電磁兼容性，能夠在各種電磁環境下穩定工作，減少對其他電子設備的干擾，同時也能夠抵抗來自外部環境的電磁干擾。

• 環境適應性：
  寬溫度范圍（-55°C至+125°C）的工作能力使得該芯片適用于各種極端環境條件下的應用，如汽車電子中的發動機艙環境。

六、設計考慮與注意事項

• 電源去耦：為了確保芯片的穩定運行，建議在電源引腳附近添加適當的去耦電容，以濾除電源線上的高頻噪聲。

• 負載匹配：在設計電路時，應注意匹配負載電容和電阻，以確保信號在傳輸過程中的完整性和穩定性。

• 熱管理：在高功率或高密度封裝的應用中，需要關注芯片的熱管理問題，確保芯片工作在合理的溫度范圍內。

• 防靜電保護：在處理和安裝芯片時，應采取適當的防靜電措施，避免靜電放電（ESD）對芯片造成損害。

• 兼容性測試：在將NL27WZ04DFT2G集成到系統中之前，建議進行兼容性測試，以確保其與系統中的其他組件能夠正常工作。

綜上所述，NL27WZ04DFT2G作為一款高性能的雙路反相器，憑借其寬電壓操作范圍、高速性能、低功耗以及良好的電磁兼容性和環境適應性，在汽車電子、工業自動化、通信設備等多個領域具有廣泛的應用前景。通過合理的電路設計和布局，可以充分發揮其性能優勢，為系統提供穩定可靠的邏輯控制功能。