意法半導體1N5819肖特基二極管中文資料

一、型號與類型

1N5819是一種由意法半導體（STMicroelectronics）生產的肖特基二極管（Schottky Diode），屬于快速恢復整流二極管的一種。肖特基二極管以其高速、低功耗和低正向壓降的特性，在高頻電路、高速數字電路和功率電子電路等領域有著廣泛的應用。1N5819作為其中的代表型號，以其優異的性能在市場中占據一席之地。

　　廠商名稱：ST意法半導體

　　元件分類：肖特基二極管

　　中文描述： 肖特基二極管,最大連續正向電流1A,峰值反向重復電壓40V,通孔安裝,DO-41封裝,2引腳

　　英文描述： 40V,1 A axial Power Schottky Rectifier40 V,1 A axial Power Schottky Rectifier

　　數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-36648415-1N5819-E3/54.html

　　在線購買：立即購買

　　1N5819概述

　　STMicroelectronics公司的1N5819是一款軸向引線低壓降肖特基整流器,DO-41封裝.該產品具有非常小的傳導損耗,可忽略不計的開關損耗,極快的開關速度與低正向壓降.適用于開關模式電源,高頻DC至DC轉換器,高頻逆變器,續流,極性保護與小型電池充電器.

　　雪崩性能說明

　　最大反向重復電壓Vrrm為40V

　　tp 10ms時,正向非重復浪涌電流IFSM為25A

　　正向電流If(AV)1A

　　IF 3A時,最大正向電壓VF850mV

　　最高工作結溫150°C

　　應用

　　電源管理,工業,便攜式器材,消費電子產品

　　1N5819中文參數

 　　1N5819引腳圖

二、工作原理

肖特基二極管的工作原理基于金屬與半導體之間的接觸勢壘。當金屬與半導體接觸時，由于兩者功函數的不同，會在接觸界面形成一個電荷積累層，這個電荷積累層在金屬和半導體之間形成一個電位降落，即肖特基勢壘。肖特基勢壘的電阻隨兩端電壓的變化而變化，當電壓較低時，電阻很大，電流幾乎無法通過；當電壓升高到一定程度時，電阻逐漸減小，電流開始顯著增加。因此，肖特基二極管表現出單向導通的特性，只允許電流從陽極流向陰極。

在正向偏置條件下，當陽極電壓高于陰極電壓時，肖特基勢壘的電阻降低，電流迅速增加。此時，電流主要由半導體中的自由電子通過肖特基勢壘形成。隨著陽極電壓的進一步增加，電流繼續增加，但增速逐漸減緩，最終達到飽和狀態。在反向偏置條件下，當陰極電壓高于陽極電壓時，肖特基勢壘的電阻很大，幾乎沒有電流通過。當反向電壓增加到一定程度時，會發生擊穿現象，此時二極管表現為一個恒壓源。

三、特點

1. 高速切換：1N5819肖特基二極管具有極高的開關速度，反向恢復時間通常在10ns左右，遠低于普通二極管的ms級別。這使得它在高頻電路中能夠迅速響應信號變化，減少開關損耗。

2. 低正向電壓降：在正向導通時，1N5819的正向壓降非常低，通常在1A電流下僅為0.6V左右。這有助于減少電路中的電壓損耗，提高能量轉換效率。

3. 高電流能力：盡管其額定正向電流為1A，但1N5819的峰值浪涌電流可達25A，顯示出其強大的電流處理能力。這使得它在需要大電流整流或續流的場合中表現出色。

4. 低功耗：由于低正向壓降和高開關速度，1N5819在工作過程中產生的功耗相對較低，有助于降低系統整體的發熱量，提高系統的穩定性和可靠性。

5. 高效能：結合上述特點，1N5819在高頻、低壓、大電流的應用場景中表現出極高的效能，能夠滿足現代電子設備對高性能、高效率的需求。

四、應用

1N5819肖特基二極管因其優異的性能而被廣泛應用于各種電子設備中。以下是一些典型的應用場景：

1. 開關電源：在開關電源中，1N5819可用作高頻整流二極管，實現低壓、大電流的整流功能。其低正向壓降和高開關速度有助于減少電源損耗，提高電源效率。

2. 變頻器：在變頻器中，1N5819可用于實現交流電的整流和逆變過程。其快速切換能力和高電流能力能夠滿足變頻器對高頻、大電流處理的需求。

3. 驅動器：在電機驅動器中，1N5819可用作續流二極管，保護電機免受反向電壓的沖擊。其高反向阻斷電壓和低正向壓降有助于確保電機的穩定運行。

4. 高頻電路：在高頻電路中，1N5819可用于信號隔離、濾波和整流等應用。其優異的頻率特性和低正向壓降使得它在高頻信號處理中表現出色。

5. 其他應用：此外，1N5819還可用于太陽能電池、通信設備、汽車電子等領域，發揮其高速、低功耗和低正向壓降的優勢。

五、參數

以下是1N5819肖特基二極管的主要電氣參數：

• 峰值重復反向電壓（VRRM）：40V

• 最大有效值電壓（VRMS）：28V

• 平均整流正向電流（IF）：1A

• 非重復峰值浪涌電流（IFSM）：25A

• 最大瞬時正向電壓（VF）：0.6V（在1A電流下）

• 最大瞬時反向電流（IR）：1mA

• 典型結電容（CJ）：110pF

• 最大熱阻（結到外殼，RθJC）：50℃/W

• 反向擊穿電壓（VBR）：雖然通常不用于持續工作在該電壓下，但反向擊穿電壓定義了二極管在反向偏置條件下能承受的最大電壓而不發生永久性損壞。對于1N5819，這一值通常遠高于其額定反向電壓（VRRM），但具體數值可能因制造商和生產批次而異。

• 漏電流（IR）：在規定的反向電壓下，流經二極管的電流。對于肖特基二極管來說，由于其結構特性，漏電流通常非常低。在1N5819中，當反向電壓接近但不超過VRRM時，漏電流應保持在制造商規定的范圍內，通常遠小于1mA。

• 正向電壓溫度系數（αVF）：表示正向電壓隨溫度變化的敏感度。肖特基二極管的正向電壓隨溫度升高而略有下降，這是由于其內部載流子濃度隨溫度增加而增加所致。了解這一系數有助于在設計時考慮溫度對電路性能的影響。

• 反向恢復時間（trr）：這是肖特基二極管從正向導通切換到反向阻斷狀態所需的時間。對于高頻應用來說，反向恢復時間是一個非常重要的參數，因為它直接影響到二極管的開關速度和效率。1N5819以其極短的反向恢復時間（通常在10ns左右）而聞名，使其成為高頻電路中的理想選擇。

• 熱特性：包括熱阻（如結到環境的熱阻RθJA和結到外殼的熱阻RθJC）以及最大工作溫度等。這些參數決定了二極管在給定工作條件下的散熱能力和長期穩定性。對于1N5819，了解其熱特性有助于在設計中采取適當的散熱措施，確保二極管在預期的工作溫度范圍內可靠運行。

• 封裝形式：1N5819通常采用小型化的封裝形式，如DO-35、SMB或SOD等，以適應現代電子設備對小型化、輕量化的需求。封裝形式不僅影響二極管的物理尺寸和安裝方式，還可能對其電氣性能和散熱性能產生一定影響。

六、設計考慮與應用注意事項

在設計和應用1N5819肖特基二極管時，需要注意以下幾點：

1. 電壓與電流限制：確保二極管在其額定電壓和電流范圍內工作，以避免過熱、損壞或性能下降。

2. 散熱設計：在高功率應用中，應考慮二極管的散熱需求，采取適當的散熱措施，如增加散熱片、優化電路板布局等。

3. 反向電壓保護：雖然肖特基二極管具有較高的反向阻斷能力，但在實際應用中仍需注意防止過高的反向電壓沖擊，以防止二極管損壞。

4. 頻率特性匹配：在高頻應用中，應確保二極管的頻率特性與電路要求相匹配，以充分發揮其性能優勢。

5. 選型與替代：在選擇1N5819時，應綜合考慮其性能參數、價格、供貨情況等因素。同時，也應了解其他類似型號的肖特基二極管，以便在需要時進行替代或優化設計。

6. 環境適應性：考慮二極管的工作環境，如溫度、濕度、振動等因素，以確保其在各種條件下都能穩定可靠地工作。

綜上所述，1N5819肖特基二極管憑借其高速切換、低正向電壓降、高電流能力和低功耗等特點，在高頻電路、開關電源、變頻器等眾多領域有著廣泛的應用前景。在設計和應用過程中，需要充分了解其性能參數和應用注意事項，以確保電路的穩定性和可靠性。