ADI HMC8038LP4CETR射頻開關中文資料


ADI HMC8038LP4CETR射頻開關中文資料
一、型號與類型
HMC8038LP4CETR是Analog Devices Inc.(亞德諾半導體公司)生產的一款高性能射頻(RF)開關芯片。該芯片屬于RF/IF(射頻/中頻)和RFID(射頻識別)類別中的射頻開關系列,具體為單刀雙擲(SPDT)開關類型。其封裝形式為無引腳、表貼封裝,即LFCSP(Lead Frame Chip Scale Package),尺寸為4 mm × 4 mm,符合RoHS標準,是一款無鉛、環保型產品。
廠商名稱:ADI
元件分類:射頻開關
中文描述: 射頻開關,硅,SPDT,100MHz至6GHz,3.3V至5V電源,-40至105°C,LFCSP-EP-16
英文描述: RF Switch ICs High isolation,non-reflective,single s
數據手冊:http://www.tongliao8.com/data/k01-24301910-HMC8038LP4CETR.html
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HMC8038LP4CETR概述
HMC8038是一款高隔離、無反射、0.1GHz至6GHz、硅單刀雙擲(SPDT)開關,采用無鉛表面貼裝封裝。該開關是蜂窩基礎設施應用的理想之選,具有高達62dB的隔離度(最高4GHz)、低至0.8dB的插入損耗(最高4GHz)和60dBm的輸入三階截取。功率處理能力出色,最高可達6GHz,0.1dB壓縮點(P0.1dB)的輸入功率為35dBm(VDD=5V)。片上電路可在極低的直流電流下操作3.3V至5V的單一正電源電壓,以及0V至1.8V/3.3V/5V的單一正電壓控制。使能輸入(EN)設置為邏輯高電平時,開關處于全關狀態,此時RFC反射。它廣泛應用于蜂窩/4G基礎設施、無線基礎設施、汽車遠程信息處理、移動無線電、測試設備等。
無反射、50歐姆設計
高隔離度,典型值為60dB
通過路徑的高功率處理能力為34dBm,終端路徑為29dBm
4KV人體模型(HBM),3A級
1.25KV帶電設備模型(CDM)
1.8V兼容控制,全關斷狀態控制
引腳與HMC849ALP4CE兼容
VDD=3.3V時的典型電源電流為0.14mA
工作溫度為-40°C至+105°C
封裝樣式為16引線引線框架芯片級
HMC8038LP4CETR中文參數
制造商: | Analog Devices Inc. | 關閉隔離—典型值: | 51 dB |
產品種類: | RF 開關 IC | 最小工作溫度: | - 40 ℃ |
開關配置: | SPDT | 最大工作溫度: | + 105 ℃ |
最小頻率: | 100 MHz | 安裝風格: | SMD/SMT |
最大頻率: | 6 GHz | 技術: | Si |
介入損耗: | 0.9 dB | 系列: | HMC8038 |
HMC8038LP4CETR引腳圖
二、工作原理
HMC8038LP4CETR射頻開關的工作原理基于先進的硅基半導體技術,通過控制信號來切換射頻信號的傳輸路徑。該開關能夠在0.1 GHz至6.0 GHz的寬頻率范圍內實現高效的信號切換,具備高隔離度、低插入損耗和高線性度等特點。
具體來說,當使能輸入(EN)設置為邏輯高電平時,開關被置于全關斷狀態,此時射頻信號(RFC)被反射而非傳輸。通過調整控制信號的電壓(0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V),可以靈活地控制開關的導通與關斷,從而實現射頻信號的路徑切換。
三、特點
高隔離度:HMC8038LP4CETR在高達4.0 GHz的頻率下能提供62 dB的隔離度,確保了信號在不需要的路徑上得到有效隔離,減少了信號間的相互干擾。
低插入損耗:在相同頻率范圍內,該開關的插入損耗低至0.8 dB,保證了信號在傳輸過程中的損耗最小化,提高了信號傳輸的效率和質量。
高功率處理能力:HMC8038LP4CETR具有出色的功率處理能力,能夠在高達6.0 GHz的頻率下處理高達35 dBm的輸入功率(P0.1dB),適用于高功率應用場景。
高線性度:其0.1 dB壓縮點(P0.1dB)為35 dBm,輸入三階截取點(IP3)高達60 dBm,確保了在高功率輸入下仍能保持良好的線性性能,減少信號失真。
快速開關和RF建立時間:該開關提供150 ns的開關時間和170 ns的RF建立時間,能夠快速響應控制信號,實現信號的快速切換和穩定傳輸。
ESD保護:所有器件引腳均具備ESD保護功能,包括射頻接口,能夠承受高達4 kV的人體模型(HBM)和1.25 kV的帶電設備模型(CDM)靜電放電,提高了產品的可靠性和耐用性。
低功耗:片上電路在極低直流電流下運行,支持3.3 V至5 V的單一正電源電壓,以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制,降低了功耗,延長了設備的使用時間。
小型化封裝:采用緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝,便于在有限的空間內安裝,適用于高密度集成設計。
四、應用
HMC8038LP4CETR射頻開關因其卓越的性能和廣泛的應用范圍,被廣泛應用于多個領域,包括但不限于:
蜂窩/4G基礎設施:在蜂窩網絡基礎設施中,該開關可用于信號路徑的切換和隔離,提高網絡的穩定性和可靠性。
無線基礎設施:在無線局域網(WLAN)、無線寬帶接入(WiMAX)等無線基礎設施中,用于信號傳輸路徑的選擇和控制,優化信號傳輸效率。
汽車遠程信息處理:在汽車遠程信息處理系統中,該開關可用于車載通信設備的信號切換和隔離,提高通信質量和安全性。
移動無線電:在移動無線電設備中,如手機、對講機等,用于信號的收發切換和功率控制,提高設備的通信性能和用戶體驗。
測試設備:在射頻測試設備中,HMC8038LP4CETR可用于信號模擬、路徑切換等測試場景,提供高精度的測試信號和可靠的測試結果。
五、參數
以下是HMC8038LP4CETR射頻開關的主要參數:
類型:RF/IF,射頻/中頻和RFID射頻開關
制造商:Analog Devices Inc.(亞德諾半導體公司)
封裝:LFCSP-16,4 mm × 4 mm
頻率范圍:0.1 GHz至6.0 GHz
隔離度:60 dB(典型值)
插入損耗:0.8 dB(典型值,在2 GHz時)
輸入功率(P0.1dB):35 dBm(在6.0 GHz時)
輸入三階截取點(IP3):60 dBm(典型值)
開關時間:150 ns(典型值)
RF建立時間:170 ns(典型值)
電源電壓:支持3.3 V至5 V單一正電源電壓,控制電壓支持0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V
電流消耗:低功耗設計,具體電流值取決于操作模式和電源電壓
工作溫度范圍:-40°C至+85°C(工業級)
存儲溫度范圍:-65°C至+150°C
ESD保護:人體模型(HBM)4 kV,帶電設備模型(CDM)1.25 kV
封裝材料:無鉛、環保型材料,符合RoHS標準
六、詳細性能與應用優勢
詳細性能:
HMC8038LP4CETR射頻開關不僅具備高隔離度、低插入損耗等關鍵指標上的卓越表現,還通過其高速開關時間和RF建立時間,確保了信號切換的快速性和穩定性。這使得該開關在需要高速信號處理的場合中尤為適用,如無線通信系統的快速信道切換和動態頻率選擇。
此外,其高功率處理能力使得HMC8038LP4CETR能夠應用于需要處理大功率信號的場合,如雷達系統、衛星通信等。同時,高線性度的特點確保了信號在傳輸過程中不易失真,保證了信號的質量。
應用優勢:
靈活性:通過簡單的控制信號即可實現信號的切換和隔離,設計靈活,易于集成到各種射頻系統中。
可靠性:采用先進的硅基半導體技術和高質量的材料,具有出色的耐用性和穩定性,能夠在惡劣的環境下長時間工作。
高效性:低插入損耗和高隔離度確保了信號的高效傳輸和有效隔離,減少了信號損失和干擾。
多功能性:支持多種電源電壓和控制電壓范圍,使得該開關能夠適用于多種應用場景和電路設計。
環保性:無鉛、環保型封裝材料符合RoHS標準,符合現代電子產品的環保要求。
七、設計考慮與注意事項
在設計使用HMC8038LP4CETR射頻路徑開關時,需要考慮以下幾個方面:
電源和接地:確保提供穩定、合適的電源電壓,并合理設計接地,以減少噪聲和干擾。
控制信號:控制信號應保持穩定和準確,以確保開關的可靠切換。同時,應注意控制信號的驅動能力和信號完整性。
散熱:雖然HMC8038LP4CETR功耗較低,但在高功率應用場景中仍需注意散熱問題,以避免因溫度過高導致的性能下降或損壞。
布局與布線:在PCB設計中,應合理布局和布線,以減少信號間的串擾和耦合,確保射頻信號的純凈和穩定。
靜電防護:盡管該開關具有ESD保護功能,但在處理和安裝過程中仍需注意靜電防護,以避免因靜電放電導致的損壞。
八、結論
綜上所述,HMC8038LP4CETR是一款性能卓越、功能豐富的射頻開關芯片。其高隔離度、低插入損耗、高功率處理能力、高線性度和快速開關時間等特點,使得該開關在無線通信、雷達系統、衛星通信等多個領域具有廣泛的應用前景。通過合理的設計和使用,可以充分發揮其性能優勢,提高射頻系統的整體性能和可靠性。
責任編輯:David
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