鐵電存儲器（FRAM）是一種利用鐵電材料的極化特性來存儲數據的非易失性存儲器。以下是鐵電存儲器的主要類型和一些常見型號：

一、類型

1. 鐵電隨機存儲器（Ferroelectric RAM, FeRAM）

• FeRAM是一種與DRAM結構類似的非易失存儲器，其基本結構單元由一個電容器和一個晶體管組成（1T1C），只是用鐵電電容器代替了介電電容器。

• 存儲原理：基于鐵電材料的高介電常數和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出（DRO）和非破壞性讀出（NDRO）。

• 優點：高速讀寫、低功耗、數據非易失性。

2. 鐵電場效應晶體管（Ferroelectric FET, FeFET）

• FeFET是在MOSFET的基礎上，把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數的鐵電材料得到的。

• 存儲原理：通過柵極極化狀態（±Pr）實現對來自源-漏電流的調制，從而讀出所存儲的信息，而無需使柵極的極化狀態反轉。

• 優點：非破壞性讀取、非易失性、高速寫入、高耐受度、低功耗。

3. 鐵電隧道結（Ferroelectric tunnel junction, FTJ）

• FTJ由幾個晶胞厚度的鐵電薄膜夾在兩個不同的電極中間構成，具有隧穿電致阻變效應。

• 存儲原理：通過外加場改變中間超薄鐵電層的極化方向，從而引起FTJ電阻的變化。

• 特點：基于憶阻器原理，是一種有記憶功能的非線性電阻器。

二、常見型號

1. FM系列（Ramtron/Cypress）

• 如FM24C02、FM24C04、FM24C64等，這些型號具有不同的存儲容量和封裝形式。

• Ramtron（后被Cypress收購）是最早成功制造出FeRAM的廠商之一。

2. MB系列（富士通）

• 如MB85RS128T、MB85RS256T等，這些型號同樣具有不同的存儲容量和特性。

• 富士通也是鐵電存儲器的重要生產商之一。

3. 其他型號

• 如TOSHIBA與INFINEON合作開發的存儲容量達到32Mb的FeRAM，以及Matsushita公司推出的采用0.18μm工藝大批量制造的FeRAM嵌入式系統芯片（SOC）等。

• 這些型號展示了鐵電存儲器在存儲容量、制造工藝和系統集成方面的不斷進步。

三、注意事項

• 在選擇鐵電存儲器時，需要根據具體的應用需求（如存儲容量、讀寫速度、功耗、封裝形式等）進行權衡和優化。

• 不同廠商和型號的鐵電存儲器可能具有不同的特性和性能參數，因此在購買和使用前需要仔細查閱相關數據手冊和技術文檔。

綜上所述，鐵電存儲器具有多種類型和型號可供選擇，每種類型和型號都具有其獨特的特性和應用場景。在選擇時，需要根據具體需求進行綜合考慮和評估。