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什么是tlv62568dbvr,tlv62568dbvr的基礎知識?

來源:
2025-06-04
類別:基礎知識
eye 5
文章創建人 拍明芯城

TLV62568DBVR簡介

TLV62568DBVR是一款來自德州儀器(Texas Instruments,TI)的高效、低功耗同步降壓型直流-直流轉換器,采用微型封裝設計,致力于為各種便攜式設備和工業應用提供穩定的電源解決方案。該器件具有輸出電流能力高達600mA、超低靜態電流和出色的負載調整性能,適合電池供電系統、無線通信模塊、可穿戴設備、傳感器節點等對尺寸、效率和功耗有嚴格要求的應用場景。

TLV62568DBVR內置MOSFET開關管,無需外部肖特基二極管,簡化了系統設計,縮小了電路板面積。它支持寬輸入電壓范圍,覆蓋2.3V至5.5V,可直接從USB 5V、鋰電池3.7V乃至兩節電池串聯的7.4V供電。內部集成軟啟動、過流保護、過溫保護等功能,提升了系統可靠性;同時具備低靜態電流特性,在無負載或輕負載時能夠極大地節省能源。

以下內容將詳細介紹TLV62568DBVR的內部結構與封裝細節、電氣性能參數、工作原理與控制方式、功能特性、典型應用電路、PCB布局及散熱要求、可靠性與質量指標、與同類產品的對比分析、選型指南及應用實例,幫助工程師快速掌握器件的使用要點,從而在實際設計中達到最佳性能。

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一、產品概述與背景

TLV62568DBVR是一款600mA同步降壓型開關穩壓器,采用超小型微型封裝(SOT-23–5),引腳間距僅0.95mm,外形尺寸極小,有利于節省電路板空間。其典型應用包括但不限于:

  • 智能手機和平板電腦的備用電路供電。

  • 可穿戴設備和智能手表的主/輔電源。

  • 無線傳感器節點、遠程數據采集模塊的電源管理。

  • 工業自動化和物聯網終端設備的輔助電源。

  • 藍牙耳機、無線音箱等音頻設備的核心電源。

TLV62568DBVR最大輸入電壓可達5.5V,兼容常見的USB、鋰離子電池組、電池兩節并聯等電源系統。其輸出電壓可在0.8V至3.3V之間通過外部電阻分壓進行調節,典型應用包括輸出1.8V、2.5V、3.3V等常見電壓點,為各種數字電路、傳感器、MCU及RF模塊供電。內部集成的同步整流MOSFET開關和自適應模式控制(Adaptive On-Time,AOT)技術能夠在寬負載范圍內保持高效率,同時提供出色的瞬態響應能力。

作為TI公司低功耗電源產品家族的重要成員,TLV62568DBVR遵循TI在電源轉換器領域的設計哲學:高效、低噪聲、功能集成度高、易于使用。它的推出滿足了市場對超小型、高性能、低成本電源管理方案的迫切需求,被廣泛應用于需要延長電池續航、整體尺寸受限、且對電磁兼容性有要求的場合。

二、封裝與引腳功能

TLV62568DBVR采用SOT-23–5封裝,外形尺寸僅2.9mm×1.6mm×1.1mm(最大),總共5個引腳。引腳功能如下所示:

  • 引腳1:EN/UVLO(使能/欠壓鎖定)

    • 當EN/UVLO引腳電壓高于內部閾值(典型值1.2V)時,器件進入正常工作模式;當低于該閾值時,輸出MOSFET和內部參考被關閉,實現關斷狀態。EN引腳可直接與外部電壓相連,或者通過外部電阻分壓實現欠壓鎖定(UVLO)功能,確保輸入電壓達到設定值后才啟動穩壓器,以防止輸入電壓過低導致系統不穩定。

  • 引腳2:VIN(輸入電源)

    • 連接至外部電源總線,可選電壓范圍2.3V至5.5V。VIN引腳為內部開關管、驅動電路和參考電路供電。為了保證穩定性,建議在VIN引腳與接地之間放置一顆陶瓷電容或鉭電容,用于濾除輸入電源雜波與瞬態噪聲。

  • 引腳3:GND(地)

    • 器件接地引腳,為內部電源地與信號地的公共點。為了降低地線寄生電感與電阻,建議在布板時將GND引腳與系統地平面緊密相連,形成低阻抗接地網絡,避免切換噪聲干擾。

  • 引腳4:SW(開關節點)

    • 內部高側MOSFET的輸出端,以及外部電感的輸入端。電感輸入端與器件SW引腳相連,電感輸出通過二極管或同步MOSFET反饋至輸出端。SW引腳會產生開關波形,需要在PCB布局中盡量縮短與電感、二極管/輸出電容之間的回路。SW節點的開關噪聲較高,建議在SW引腳周圍避免布置敏感模擬電路或高阻抗信號引腳。

  • 引腳5:FB(反饋)

    • 連接至外部分壓電阻網絡,用于采樣并比較輸出電壓。通過調節反饋分壓比,可在0.8V至3.3V之間實現任意精度可調輸出。當FB引腳電壓低于內部參考(0.8V)時,控制器會繼續導通開關;當FB電壓超過參考值時,關斷開關以保持輸出電壓穩定。由于FB引腳電流極小(典型值數十納安),反饋分壓點的阻值可取較高值,以節省功耗。

三、電氣性能參數

TLV62568DBVR的主要電氣性能參數如下表所示。所有參數均測試于典型環境溫度25°C,輸入電壓VIN = 3.6V時,除非另有說明。

參數名稱符號條件最小值典型值最大值單位
輸入電壓范圍VIN2.35.5V
輸出電壓精度負載范圍0–600mA,VIN = 3.6V±1.5%%
輸出電壓調節范圍VOUT反饋分壓設置0.83.3V
最大輸出電流IOUT(max)VIN = 3.6V,VOUT = 1.8V600mA
開關頻率fSW內部固定1.4MHz
靜態工作電流(無負載)IQEN = VIN,VIN = 3.6V3060μA
關斷電流IOFFEN = 0V0.11μA
反饋電壓VREF0.7880.8000.812V
反饋電壓溫度系數ΔVREF50ppm/°C
持續導通電阻(高側MOSFET)RDS(on)(HS)VIN = 3.6V180250
持續導通電阻(低側MOSFET)RDS(on)(LS)VIN = 3.6V160220
過流保護閾值ILIM700900mA
過溫關斷TSHDN150180°C
開啟使能電壓VEN_H1.21.4V
關閉使能電壓VEN_L0.4V
效率EffVIN = 3.6V,VOUT = 1.8V,IOUT = 300mA92%

上述參數體現了TLV62568DBVR在典型工況下的優異性能:1.4MHz的高開關頻率有助于采用小尺寸電感與陶瓷電容;低靜態電流使設備在休眠或待機時依然能夠大幅度延長電池壽命;高效率特性在中等負載(約30%–50%)下可達到90%以上。當輸出電流在幾十毫安時,轉換效率依然保持在80%以上。

四、內部結構與工作原理

TLV62568DBVR是一款采用自適應模式(Adaptive On-Time,AOT)控制的同步降壓型開關穩壓器。其內部框圖如下(示意):

  1. 振蕩與時鐘生成電路:內部振蕩器提供一個固定的開關周期參數(參考開關頻率1.4MHz),同時指導控制器進行周期性的開關打通與關斷。

  2. 電壓比較與誤差放大器:通過FB引腳采樣輸出電壓,反饋至內部誤差放大器,與內部精密參考電壓(0.8V)進行比較,輸出誤差信號。誤差信號經過補償網絡處理,產生適合的控制信號,參與調節脈沖寬度。

  3. 自適應On-Time控制單元:與普通固定頻率PWM模式不同,AOT模式在每個開關周期僅根據負載電流與輸入輸出電壓差來動態調整導通時間(Ton),從而使輸出電壓保持穩定。由于開關頻率在不同負載狀態下會有所變化(輕載時頻率下降,重載時頻率趨向固定值),AOT兼顧了快速瞬態響應與高效率。

  4. 同步整流MOSFET驅動器:內部集成上下橋MOSFET,高側MOSFET負責與輸入電源相連以進行能量傳遞,低側MOSFET則在關斷高側MOSFET時作為續流回路,提高效率并避免傳統外置肖特基二極管的損耗。驅動器根據電流檢測與死區時間設計來防止上下MOSFET出現導通重疊短路,并優化開關轉換時間,減少開關損耗。

  5. 保護電路:包括輸出過流保護(OCP)與過溫保護(OTP)。當流過內部開關管的電流超過設定閾值(典型700mA)時,保護電路立即禁用高側開關,進入限流模式或關斷模式;當芯片溫度超過約150°C時,器件自動關斷輸出,待溫度下降后自動恢復。

  6. 軟啟動電路:在EN引腳上升沿觸發時,軟啟動電路緩慢提升輸出占空比,使輸出電壓以恒定上升速率Ramp到設定值,避免輸入過流浪涌與輸出電壓過沖。典型軟啟動時間約為2ms左右,具體數值與工作環境溫度與輸入電壓有關。

工作原理流程

  • 啟動過程:當EN引腳被拉高到約1.2V以上時,內部參考與振蕩器開始工作,軟啟動電路啟動,輸出電壓以預設Ramp上升速率緩慢提升。當FB引腳檢測到輸出電壓接近目標值(0.8V)時,誤差放大器介入,對開啟時間進行精細調節,使輸出最終穩定在設定值。

  • 正常穩壓:在每個開關周期內,自適應On-Time控制單元根據當前輸入電壓和輸出電壓之差,以及輸出電流需求,通過檢測輸出電感電流的變化來動態計算下一次導通時間Ton。Ton結束后,高側MOSFET關閉,低側同步MOSFET導通進行續流。電感電流逐漸降低直到MOSFET關斷或下一個開關周期開始。該機制在保持輸出電壓的同時,減少無謂導通時間過長的能量損耗。

  • 輕載/無負載模式:當輸出電流降至較小值(如<50mA),AOT控制會使開關頻率下降,減少開關次數,從而進一步降低開關損耗。在超輕載或無需供電時,如果EN引腳被拉低,器件進入關斷狀態,內部MOSFET完全關閉,靜態電流可降至約0.1μA,節省電池電量。

  • 保護機制:若輸出電流過大,使電感電流超過內部過流檢測閾值,器件會觸發限流或關閉高側MOSFET,直到電流恢復至安全范圍;若芯片溫度持續升高到約150°C,OTP觸發,器件強制關閉所有開關,等待溫度回落后恢復正常工作。

五、關鍵功能特性

  1. 低靜態電流
    在VIN = 3.6V、IOUT = 0mA條件下,TLV62568DBVR典型靜態電流僅為30μA,遠低于同類固定頻率PWM轉換器。這意味著在輕載或待機態時,電源管理電路自身的能耗極低,有助于延長電池壽命,特別適用于需要長期待機的物聯網傳感器和可穿戴設備。

  2. 高效率
    由于采用了自適應SoC(System-on-Chip)工藝,內置同步整流MOSFET,且開關頻率高達1.4MHz,可使用低容值陶瓷輸出電容(如10μF)和較小尺寸電感(如1.0μH),在中等負載時效率可超過92%。在輸入電壓3.6V、輸出電壓1.8V、輸出電流300mA的典型工況下,效率可達約92%以上。效率曲線表明:

    • 輕載(IOUT < 50mA):效率約在70%–80%之間。

    • 中載(IOUT = 200mA–400mA):效率最高可達90%以上。

    • 重載(IOUT = 600mA):效率約在85%–88%,同時仍保持良好熱性能。

  3. 高開關頻率
    1.4MHz的固定開關頻率使得所需外部電感電容更小,整體電源解決方案尺寸能夠大幅縮小,適合對空間極度受限的小型電路板。同時,高頻率有助于減小輸出電壓紋波并提高瞬態響應速度。

  4. 同步降壓架構
    器件內部集成上、下MOSFET,無需外部肖特基二極管,實現真正的同步整流,降低續流損耗,提升轉換效率;同時簡化了外部器件數量與類型,降低BOM成本與設計復雜度。

  5. 自適應On-Time控制
    在不同負載條件下,通過動態調整開關導通寬度來保持輸出電壓穩定,無需外部補償網絡,在保證系統穩定性的同時使瞬態響應更快。此外,自適應On-Time在輕載時會降低開關頻率、減小開關損耗、提升效率。

  6. 寬輸入電壓范圍
    支持2.3V至5.5V寬輸入,足以覆蓋單節或雙節鋰電池組、USB 5V供電等常見電源類型。寬輸入范圍意味著可適用于更多應用場景,尤其是在需要多種電源類型切換的系統中。

  7. 可調輸出電壓
    通過外部分壓電阻即可將默認0.8V-參考電壓放大到目標輸出電壓。適用于輸出1.0V、1.2V、1.8V、2.5V、3.3V等多種標準電壓,可為各種MCU、FPGA、傳感器、RF射頻芯片等提供定制電壓。

  8. 軟啟動功能
    通過限制輸出電壓上升速率,限制輸入電源浪涌電流,避免啟動階段電壓振蕩和浪涌電流對系統其他模塊的干擾。軟啟動時間典型為2ms,幫助系統平滑啟動,降低電磁干擾(EMI)。

  9. 保護與監測

    • 過流保護(OCP):當輸出電流超出設定限值(約700mA)時,過流檢測電路將限制開關導通時間或關閉高側MOSFET,防止器件及負載損壞。

    • 過溫保護(OTP):當芯片溫度超過約150°C時,器件進入關斷狀態,待溫度降至正常溫度后自動重新啟動。

    • 欠壓鎖定(UVLO):EN/UVLO引腳可直接用于欠壓檢測,當輸入電壓低于設定閾值時,器件關閉,防止在輸入電壓不足時輸出電壓異常。

  10. 低噪聲輸出
    在高開關頻率下,輸出電壓紋波較小,并且由于采用內置同步整流架構,減小了外部二極管造成的傳導噪聲。結合合適的輸出電容與布局優化,可滿足RF通信設備對電源噪聲較高要求。

六、應用電路與設計指南

為確保TLV62568DBVR在實際電路中的最佳性能,需要根據TI官方推薦的典型應用電路進行設計,并遵循PCB布局與器件選型指南。

6.1 典型應用電路示例
以下示例為TLV62568DBVR在輸入電壓3.7V、輸出電壓1.8V、輸出電流400mA時的典型應用設計:

  1. 輸入端

    • VIN引腳與系統電源連接,輸入處放置一顆4.7μF至10μF陶瓷電容(X5R或X7R材質),電容耐壓至少7V以上,用于濾除輸入端的高頻噪聲與吸收開關浪涌。

    • EN引腳通過一個10kΩ上拉電阻連接至VIN,實現開機自動使能;若需要欠壓鎖定,可在EN引腳與VIN之間串接電阻分壓器,設置EN門檻。

  2. 輸出端

    • R1 (Rtop) = 100kΩ

    • R2 (Rbot) = 44.2kΩ (對應1.8V輸出時,根據VOUT = VREF × (1 + Rtop/Rbot) 計算)。

    • 電感:選用適合1.4MHz工作頻率的1.0μH低直流電阻(DCR)電感,電感飽和電流需大于最大輸出電流(如≥1A),以避免飽和造成效率下降與電流波動。

    • 輸出電容:建議選用10μF至22μF陶瓷電容(X5R或X7R),耐壓6.3V或更高;在電容兩端并聯0.1μF小陶瓷電容,可進一步降低輸出高頻紋波。

    • 分壓電阻:輸出電壓通過兩個電阻R1、R2實現反饋。

  3. 反饋與補償
    由于TLV62568DBVR內部已集成誤差放大器與補償網絡,無需外部補償元件。只需按照官方推薦ESR與輸出電容特性即可確保環路穩定。

  4. 布局與走線

    • 把器件、輸入電容、輸出電感、輸出電容緊湊布置,縮短信號回路路徑,降低寄生電感與電容。

    • 將GND引腳通過寬銅箔或多層地平面直接接地;避免地線環路過大,降低地電阻。

    • SW節點走線要盡量短,遠離敏感信號線;在SW引腳與電感之間形成短而粗的連接。

    • 分壓反饋走線保持距離SW節點,避免反饋線拾取噪聲;在FB引腳與地之間保持良好地參考,防止開環或者噪聲耦合導致振蕩。

  5. EMI與濾波

    • 根據需要,可以在輸入端添加一個小型EMI濾波電路,如在VIN與EN之間串聯小電感并并聯陶瓷電容,以抑制高頻噪聲。

    • 在輸出端若有嚴格噪聲要求,可并聯一個小電阻或RC網絡來進一步衰減開關尖峰。

典型應用電路圖

lua復制編輯      VIN ----+----||----+----+-----------+ 
              C_in 10μF |    |           |
                       EN   |           |
                        |   +----+      |
                        R   |    |      |
                        |   | EN |      |
                        +---|    |      |
                            +----+      |
                                       _|_  TLV62568DBVR
                                        -< SW 引腳
                     L1 1.0μH              |
          +----+-----ooooooo------------+ |
          |    |                        | |
          |    |                        | |
          |   ___                       | |
          |   --- C_out 10μF             | |
          |    |                        | |
          |    +-- 0.1μF               FB| |
          |                             | |
          +-----------------------------+_+
                                        |
                                       GND

  • C_in:輸入端陶瓷電容,用于濾波與吸收高頻噪聲。

  • L1:外部電感,1.0μH,飽和電流≥1A,低DCR。

  • C_out:輸出陶瓷電容,用于輸出濾波,典型10μF;并聯0.1μF用于高頻紋波吸收。

  • R1/R2:反饋分壓電阻,決定輸出電壓。(示例中1.8V輸出時R1=100kΩ,R2=44.2kΩ)

  • EN:可直接連接VIN,也可以通過分壓電阻實現欠壓鎖定。

6.2 PCB布局建議

  1. 輸入電容、器件與電感要緊湊布局
    將VIN引腳、輸入電容和芯片盡量靠近布置,縮短輸入回路,減少寄生感抗。確保輸入電容(C_in)與TLV62568DBVR的VIN引腳之間沒有其他信號線穿過,形成低阻抗、低寄生電容/電感的路徑。

  2. SW節點與電感連接最短
    SW引腳與電感輸入端連線要盡量短、寬,減少開關噪聲對周圍走線的干擾。在SW引腳周圍盡量避免走過敏感的模擬或高阻抗反饋線。

  3. FB走線遠離SW節點
    反饋分壓網絡應避開開關節點的噪聲輻射,將FB及其分壓電阻盡量放置在靠近芯片FB引腳與地之間。FB引腳周圍形成良好的地回路,以保證反饋精度。

  4. GND地線處理
    采用大面積地平面,并在芯片底部盡可能使用過孔與內層地平面相連,降低地阻抗。不要讓大電流回路與模擬信號地重疊,以免噪聲干擾反饋與參考電路。

  5. 熱量散逸
    雖然TLV62568DBVR功耗較低,但在高負載、高輸出電流時仍會產生一定熱量。應確保周圍有足夠的銅箔面積用于散熱,可在芯片底部與相鄰銅箔區域留更多銅面積,并使用過孔與底層地平面連接,提升散熱效果。

  6. EMI防護
    如果應用對EMI要求嚴格,可在輸入端添加LC濾波器,將電感與電容置于靠近輸入端位置,減小開關脈沖對外部系統的干擾。同時,遵循地線分割原則,將數字地與模擬地分開,減小環路面積,降低輻射。

七、應用場景與案例分析

TLV62568DBVR廣泛應用于各種需要小尺寸、低功耗、高效率的電子設備。以下列舉典型應用場景和具體案例,以便理解其優勢與使用細節。

7.1 可穿戴設備
可穿戴設備(如智能手環、智能手表)對外形尺寸和功耗有嚴苛要求。TLV62568DBVR封裝小、靜態電流低,可為MCU、傳感器、藍牙芯片等核心模塊進行多路供電。例如:

  • 輸入為單節鋰電池(3.7V),輸出為1.8V為低功耗MCU供電;

  • 當設備在待機模式時,TLV62568DBVR進入低靜態電流狀態,僅消耗約30μA;

  • 在數據采集、BLE通信等高負載階段,能夠提供穩定的300mA以上電流輸出,保證系統穩定運行。

7.2 物聯網節點/傳感器模塊
對于分布式傳感器節點,如溫濕度監控、環境采樣、工業監測等場景,經常需要長時間獨立供電。通常采用鋰電池、小型太陽能供電或干電池供電。使用TLV62568DBVR,可將電池電壓轉換為MCU及無線通信模塊所需的3.3V電源,并在輕載或休眠時將靜態電流降至極低水平。例如:

  • 太陽能板+鋰電池混合供電,輸入電壓在2.5V–4.2V波動;

  • TLV62568DBVR保持穩定3.3V輸出,為STM32系列MCU、LoRa無線收發器提供電力;

  • 利用EN引腳的欠壓鎖定功能,在太陽能電壓過低或電池電量不足時自動關斷輸出,保護電池壽命。

7.3 無線通信設備
藍牙耳機、Wi-Fi模塊、NB-IoT等無線通信設備對電源紋波和瞬態響應要求較高。TLV62568DBVR具有高開關頻率(1.4MHz)和較小輸出紋波的特點,可以確保射頻模塊穩定高效地工作。例如:

  • 在藍牙音頻應用中,當發射功率波動時,電源需快速響應負載變化;

  • TLV62568DBVR的自適應On-Time控制可在幾百納秒內調節開關導通時間,迅速補償輸出電壓偏差;

  • 配合適當的輸出電容與布局,使得射頻系統噪聲降低,通信穩定。

7.4 工業自動化與儀器儀表
在工業控制板和儀器儀表中,通常需要將12V或24V電源降壓至1.2V、1.8V或3.3V多個電壓軌。雖然TLV62568DBVR只能支持最高5.5V輸入,但可在小型傳感器模塊或輔助電源中發揮作用。例如:

  • 在PLC擴展模塊中,將5V輔助電源降至2.5V,為模擬信號處理芯片供電;

  • 在嵌入式工控計算機的USB接口供電子電路中,保證穩定3.3V為外設提供電源;

  • 在現場傳感器接口盒中,使用TLV62568DBVR將干電池電壓轉換為MCU所需電壓,工作環境溫度可達–40°C至+85°C。

7.5 智能家居與便攜式設備
智能門鎖、智能攝像頭、報警傳感器等家居設備對電池續航和尺寸有較高要求。TLV62568DBVR憑借小巧體積、低功耗、高效率等優勢,應用于:

  • 智能門鎖主控板,將4節1.5V干電池電壓(總計6V)通過一級或兩級降壓,實現3.3V/1.8V雙輸出;

  • 便攜式手持設備,將鋰電池電壓轉換為MCU和無線芯片所需的電壓,為觸摸屏、攝像頭、Wi-Fi模塊供能;

  • 無線報警傳感器節點,采集環境數據并通過ZigBee或LoRa網絡上報,長時間電池供電仍能保證穩定性。

八、與同類產品的對比分析

在選擇同步降壓轉換器時,工程師通常會關注以下幾個指標:輸入/輸出電壓范圍、最大輸出電流、效率、靜態電流、開關頻率、封裝尺寸、成本等。以下將TLV62568DBVR與市場上幾款常見同類產品進行對比,以幫助工程師做出合理選型。

特性/產品型號TLV62568DBVRTI TPS62840TI TPS62172Microchip MIC5353Analog Devices ADP2300
最大輸出電流 (mA)6003501,500200600
輸入電壓范圍 (V)2.3–5.52.5–5.52.3–5.51.7–5.52.5–5.5
輸出電壓范圍 (V)0.8–3.30.6–3.30.6–3.60.8–3.30.8–5.0
開關頻率 (MHz)1.42.2 (固定)1.0–3.0 (可調)2.0 (固定)2.25 (固定)
靜態電流 (μA)30256016450
關斷電流 (μA)0.11.510180
封裝類型SOT-23–5UDFN-6SOT-23–5SOT-23–5SOT-23-5
效率 (典型) (@IO=300mA)92%95%93%90%88%

  1. 與TPS62840對比

    • TPS62840最大輸出電流350mA,不及TLV62568DBVR; 靜態電流25μA略低于TLV62568DBVR; 開關頻率2.2MHz更高,可使用更小尺寸的磁性元件;

    • 若設計要求輸出電流不超過300mA且對效率要求極高,可優先考慮TPS62840; 若需要更高輸出電流以及更低負載靜態電流需求不苛刻,則TLV62568DBVR更合適。

  2. 與TPS62172對比

    • TPS62172支持最高1.5A輸出,適合更大功率應用;靜態電流60μA高于TLV62568DBVR;開關頻率可在1MHz至3MHz之間調整,靈活性更高;

    • TLV62568DBVR在600mA輸出范圍內擁有更低的靜態功耗和更小封裝,適合空間受限、需要電池壽命最大化的應用。若系統需要1A以上輸出電流,則選用TPS62172。

  3. 與MIC5353對比

    • MIC5353最大僅支持200mA輸出,更適合超低功耗、超小尺寸的應用;靜態電流僅16μA,比TLV62568DBVR更低;

    • TLV62568DBVR在輸出能力和開關頻率方面優勢明顯;若應用負載極輕,且對靜態電流極度敏感,可考慮MIC5353,否則TLV62568DBVR更具性價比。

  4. 與ADP2300對比

    • ADP2300輸出電流可達600mA,與TLV62568DBVR持平;靜態電流450μA遠高于TLV62568DBVR;

    • ADP2300輸出電壓范圍更寬(可至5V),適合不同電壓需求;但對于電池供電、需長時間待機的場景,TLV62568DBVR以靜態電流低、效率高、面積小的優勢脫穎而出。

九、選型指南與設計注意事項

在選擇和應用TLV62568DBVR時,以下因素值得重點關注:

  1. 輸出電流需求
    根據系統所需最大輸出電流,若需求不超過600mA,TLV62568DBVR能夠穩定提供所需電流;若輸出電流要求更高,則需要參考同一系列或同級別其他產品。

  2. 輸入電壓類型與范圍
    確認系統輸入電壓是否在TLV62568DBVR支持的2.3V–5.5V范圍內。若系統供電來自兩節或以上串聯鋰電池(總電壓>5.5V),則需先通過降壓或選用更高輸入電壓兼容的器件。

  3. 功耗與效率
    若系統在輕載、待機態需要長時間運行,應優先考慮TLV62568DBVR的超低靜態電流特性;若系統在中高負載時需長時間供電,應關注器件在對應負載下的轉換效率。

  4. 封裝與尺寸限制
    TLV62568DBVR采用SOT-23–5超小封裝,如需節省更多空間,可考慮尺寸更小的UDFN或DFN封裝產品;但需權衡外部器件需求與整體布局。

  5. 輸出電容與電感選擇

    • 電感需滿足高飽和電流要求并保證低DCR;建議選擇規格為1.0μH、飽和電流≥1.2A的電感。

    • 輸出電容需滿足電容容值和耐壓要求,建議使用10μF至22μF、6.3V以上的X5R/X7R陶瓷電容,配合0.1μF小電容并聯抑制高頻噪聲。

  6. 熱管理與散熱
    確保芯片周圍具備足夠的散熱銅箔面積,采用多層板時通過底層地銅平面帶走熱量。若環境溫度偏高或輸出電流持續高負載,應在PCB設計時預留更多散熱區域或加裝散熱片。

  7. EMI/EMC設計

    • SW節點電流變化劇烈,需做好EMI濾波設計:輸入端并聯小電容、輸出端屏蔽、合適的走線間距等;

    • 若系統對EMI要求嚴格,可在L1之前添加差分電感、陶瓷電容等濾波元件,以抑制高頻開關噪聲。

  8. 軟啟動與系統順序啟動

    • TLV62568DBVR內部集成軟啟動,無需額外電容;若系統上電順序有限制,可通過EN引腳配合外部微控制器GPIO控制輸出時序。

    • 當需要多個電源軌有序啟動時,可將TLV62568DBVR的EN引腳與其他電源管理芯片形成級聯或級聯邏輯,以滿足系統啟動需求。

  9. PCB布局與布線技巧

    • 嚴格按照TI推薦的PCB參考設計走線;

    • 保證輸入回路、輸出回路封閉最小回路面積;

    • 將高頻開關回路與低頻信號回路分隔開;

    • 采用多層布板時,讓SW節點盡量遠離敏感信號層;

    • GND平面保持連續,防止分割。

十、可靠性與質量指標

TLV62568DBVR符合工業級溫度范圍(–40°C至+85°C)工作,并經過TI嚴格的工廠測試與質量保證。以下是一些主要質量與可靠性特性:

  • 溫度范圍:器件工作溫度范圍為–40°C至+125°C結溫;保證在工業環境中長期穩定運行。

  • 焊接兼容性:符合JEDEC J-STD-020E Pb-Free規范,可適用于無鉛回流焊工藝;保證在SMT生產線上的高良率。

  • ESD保護:輸入引腳和其他引腳具備內部靜電放電保護二極管,符合±2kV HBM(人體模型)規范,增強抗ESD能力。

  • 失效率:TI產品平均失效率(FIT)約為幾十FIT級別(具體可參考TI產品質量報告),適合各種可靠性要求高的應用。

  • 鈍化與包裝:采用Journal包材(JEDEC標準),具有良好濕度敏感度等級(MSL1或MSL2),在適當儲存條件下可保證長期質量穩定。

用戶在設計與生產過程中,注意以下可靠性要求:

  • 回流焊工藝:嚴格控制溫度曲線,避免超過+260°C峰值回流溫度,防止封裝變形。

  • 儲存與運輸:若長期存放,應保持原裝防潮包裝,以防止潮濕腐蝕;生產前進行烘烤脫濕。

  • 焊盤設計:應按照TI推薦的焊盤布局與焊膏印刷要求進行設計,避免焊盤浮起、焊球短路。

  • 應用環境:若目標環境溫度過高,應評估散熱需求;若環境潮濕應增加防護措施,如涂覆絕緣涂層等。

十一、典型應用實例

以下舉例說明TLV62568DBVR在實際項目中的應用,以幫助理解其選型與設計要點:

實例1:智能手環核心供電

  • 輸入:3.7V鋰離子電池

  • 輸出1:1.8V為低功耗MCU供電

  • 輸出2:2.5V為傳感器激勵電壓

  • 設計要點:采用兩顆TLV62568DBVR實現多路輸出(或使用一顆DC-DC + LDO組合)。在1.8V輸出應用中,設置分壓電阻為R1=100k,R2=44.2k,實現精確1.8V輸出;輸出2設置R1=150k,R2=68.1k,實現2.5V輸出。PCB要求嚴格控制電源噪聲,以避免傳感器讀數漂移。通過EN腳與MCU GPIO連接,實現開機/關機控制。

實例2:無線傳感器節點電源管理

  • 輸入:3.3V開關電源(來自太陽能板管理電源)

  • 輸出:1.2V為STM32L系列MCU核電壓;3.3V通過LDO由1.2V升壓;

  • 設計要點:TLV62568DBVR輸出1.2V,滿足MCU核電壓需求;由于MCU核電壓穩定性對時鐘及采集精度影響較大,需選擇低ESR輸出電容,并嚴格布局;當太陽能板供電不足時,通過EN腳關閉DC-DC,切換至備用鋰電,保證系統穩態供電。

實例3:藍牙耳機供電

  • 輸入:單節鋰電池(2.8V–4.2V)

  • 輸出:3.3V為音頻功率放大器供電;1.8V為藍牙SoC供電;

  • 設計要點:由于藍牙SoC在發射高功率時瞬態電流會顯著增加,DC-DC需要具備快速瞬態響應能力。TLV62568DBVR的自適應On-Time控制可以在數百納秒內調節開關導通時間,快速補償負載變化。輸出3.3V通過另一顆轉換器或LDO實現。PCB優化重點在于將SW節點與輸出線路緊密布線,減小回路面積以減小發射模態輻射。

實例4:物聯網門窗傳感器

  • 輸入:CR2032紐扣電池(3V)

  • 輸出:2.5V為低功耗MCU及LoRa模塊供電;

  • 設計要點:由于紐扣電池內阻較大,電壓會隨放電電流顯著波動。TLV62568DBVR能在輸入2.3V–3V范圍內正常工作,保證輸出2.5V穩定。同時靜態電流極低,可在待機時幾乎不消耗電量,延長電池壽命至1年以上。通過角度檢測傳感器觸發后,MCU喚醒并發射數據,結束后快速進入休眠。

十二、總結

TLV62568DBVR以其600mA輸出能力、高效率、超小尺寸和低靜態電流特點,為電池供電便攜式設備、可穿戴設備、物聯網節點、無線通信模塊等應用提供了理想的電源管理方案。本文從產品概述、封裝與引腳功能、電氣性能參數、內部結構與工作原理、關鍵功能特性、應用電路與設計指南、應用場景與案例分析、與同類產品對比、選型指南、可靠性與質量指標、典型應用實例等方面進行了全面詳細的介紹,幫助設計者深入理解器件特性與應用細節。

在實際設計中,務必遵循廠商推薦的PCB布局與走線規范,選用合適的外部元器件,以確保器件在各種工況下的穩定性與可靠性。結合具體應用需求,如輸出電壓、電流、環境溫度范圍、EMI要求、尺寸約束等,合理進行系統級電源分配與設計,方能最大程度發揮TLV62568DBVR的性能優勢。隨著物聯網、智能穿戴、便攜式電子設備的不斷普及,對高效、低功耗、微型化電源管理需求日益提升,TLV62568DBVR無疑是眾多設計方案中的優選之一。通過深入掌握其基礎知識與設計要點,可幫助工程師快速完成系統電源設計,提升整體產品競爭力。

責任編輯:David

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