您現在的位置： 首頁 > 標簽 > SRAM
SRAM
SRAM
相關文章 : 6篇 瀏覽 : 213次

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘
DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘
一、引言DS1248 1024k NV SRAM是一款集成了非易失性靜態隨機存取存儲器（NV SRAM）和實時時鐘（RTC）功能的芯片。它不僅具備大容量存儲能力，還內置了高精度的實時時鐘，為各種需要數據存儲和時間跟蹤的應用提供了理想的解決方案。本文將對DS1248 1024k NV SRAM的各個方面進行詳細介紹，包括其基本特性、工作原理......
DS12... 1024...
2025-04-15
3
DS3232超高精度、I2C RTC，集成晶體和SRAM
DS3232超高精度、I2C RTC，集成晶體和SRAM
　　一、概述　　DS3232是一款超高精度實時時鐘（RTC）芯片，采用I2C串行接口通信，其主要特點在于內置溫度補償振蕩器、集成高精度晶體以及一段專用的SRAM存儲器。作為一種常用于嵌入式系統、儀表設備、汽車電子和通信終端中的時鐘解決方案，DS3232以其優異的精度和穩定性深受工程師青睞。本文將從DS3232的背景、主要特點、技術細節以及......
DS32...
2025-04-14
2
DS3232M ±5ppm、內置SRAM的I2C實時時鐘
DS3232M ±5ppm、內置SRAM的I2C實時時鐘
　　一、器件概述與背景介紹　　DS3232M是一款具有高精度±5ppm溫度補償實時時鐘（RTC），集成了內置SRAM存儲器，其通過I2C總線與主控芯片進行數據通信。相較于傳統的實時時鐘器件，DS3232M利用溫補晶振實現極高的穩定性和準確性，因此在對時間精度要求較高的場合，如計時設備、數據記錄、工業控制、通信設備和測量儀器中具有較大優勢。......
DS32... 實時時鐘
2025-04-14
12
DS1250Y 4096k非易失SRAM
DS1250Y 4096k非易失SRAM
　　產品概述　　DS1250Y 4096k 非易失 SRAM 是一款具有高性能與高可靠性的存儲器產品，它在傳統的靜態隨機存取存儲器（SRAM）基礎上，融合了非易失性功能，使得系統在斷電情況下依然能夠保存關鍵信息。該器件利用先進工藝實現了數據的快速存取與穩定保持，在保持高速讀寫能力的同時，還提供了長時間數據備份的能力。作為一款 4096......
DS12... 4096...
2025-04-14
4
DS1250AB 4096k非易失SRAM
DS1250AB 4096k非易失SRAM
　　DS1250AB 4096k非易失SRAM詳解　　本文將詳細介紹DS1250AB 4096k非易失SRAM的各項內容，涵蓋產品概述、技術指標、內部結構、工作原理、接口特性、時序分析、電氣特性、非易失技術、應用場景、市場比較以及未來發展趨勢等多個方面。　　產品詳情　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜......
DS12... 4096...
2025-04-14
6
DS1245Y 1024k非易失SRAM
DS1245Y 1024k非易失SRAM
　　一、引言　　在現代電子系統中，存儲器件始終扮演著至關重要的角色。隨著技術的不斷進步，存儲器件不僅需要滿足高速讀寫、低功耗以及高集成度等要求，同時還要求在斷電后能夠長時間保存數據，這就催生了非易失性存儲器（Nonvolatile Memory, NVM）的不斷發展。DS1245Y 1024k非易失SRAM正是在這種背景下出現的一款具......
DS12... 1024...
2025-04-14
2
DS1245AB 1024k非易失SRAM
DS1245AB 1024k非易失SRAM
　　一、產品概述　　DS1245AB 1024K非易失SRAM是一款融合了高性能、低功耗、非易失性存儲器技術的創新型存儲芯片。該產品集成了靜態隨機存取存儲器（SRAM）與非易失性存儲功能，在斷電狀態下能夠保持數據，既滿足高速數據訪問的要求，又提供斷電保護機制。由于其獨特的技術優勢和可靠性，在現代電子系統設計中被廣泛應用于通訊、計算機、工......
DS12... 1024...
2025-04-14
3
DS1230Y 256k非易失SRAM
DS1230Y 256k非易失SRAM
　　一、產品概述　　DS1230Y是一款具有256k容量的非易失性靜態隨機存取存儲器（SRAM），采用先進工藝制造，具備高速讀寫和高數據穩定性的特性。作為一種融合了易失性存儲器快速訪問速度與非易失性存儲器數據保持優勢的產品，DS1230Y在許多需要可靠數據保存與快速響應的應用場景中得到了廣泛應用。該器件不僅能夠在斷電后自動保存數據，而且通......
DS12... 256k...
2025-04-14
2
DS1230AB 256k非易失SRAM
DS1230AB 256k非易失SRAM
　　一、產品概述　　DS1230AB 256k非易失SRAM是一種結合了高速隨機存取存儲器和非易失性數據保持技術的先進存儲產品。該器件在存儲高速數據和在斷電情況下依然能保持數據信息方面具備獨特優勢。由于采用了新型非易失技術，DS1230AB能夠滿足工業控制、嵌入式系統、汽車電子以及消費類電子產品等多個領域對高速與穩定存儲的要求。同時，其......
DS12... 256k...
2025-04-11
4
DS1225AD 64k非易失SRAM
DS1225AD 64k非易失SRAM
　　產品概述　　DS1225AD 64K非易失SRAM是一款集高速存儲與數據保持功能于一體的創新型存儲器件。它采用了先進的CMOS工藝制造，既具備傳統SRAM的高速讀寫特性，又融合了非易失技術，實現斷電后數據的長時間保持。該產品主要應用于對數據丟失容忍度極低的領域，如嵌入式系統、工業控制、網絡通信、汽車電子等。憑借其獨特的設計理念和優越......
DS12... 64k非...
2025-04-11
2
DS1225AB 64k非易失SRAM
DS1225AB 64k非易失SRAM
　　一、概述　　DS1225AB 64k非易失SRAM 是一種高性能非易失性隨機存儲器，兼具高速讀寫和長時數據保持的優點。作為嵌入式系統和工業控制領域中重要的存儲解決方案，其在數據安全、低功耗以及高可靠性方面表現出色。本文將詳細介紹該芯片的設計原理、技術參數、實際應用和未來發展趨勢，力求為相關工程師和技術人員提供一份全面而深刻的技術文檔......
DS12... 64k非...
2025-04-11
4
DS1220AD 16k非易失SRAM
DS1220AD 16k非易失SRAM
　　一、引言　　隨著嵌入式系統、工業控制、通信設備等領域對高速數據存取和數據可靠性要求的不斷提高，半導體存儲器技術在不斷革新中扮演著舉足輕重的角色。DS1220AD 16K非易失SRAM作為一種集高速、低功耗及數據持久性于一體的存儲器件，逐漸成為工程師們關注和應用的熱門產品。本文將從DS1220AD芯片的基本結構、工作原理、設計特點、系......
DS12... 16k非...
2025-04-11
2
DS1220AB 16k非易失SRAM
DS1220AB 16k非易失SRAM
　　一、產品概述　　DS1220AB是一款由知名半導體廠商生產的16K非易失性靜態隨機存儲器（SRAM），它結合了SRAM高速數據讀寫特性和非易失性存儲器的數據保持功能。該器件通常采用先進的集成電路工藝生產，其主要優勢在于既具有SRAM的高速訪問能力，又在斷電情況下能保持數據完整性，適用于對數據可靠性要求較高的應用場景。　　DS1220A......
DS12... 16k非...
2025-04-11
2
DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，帶有電池監測器
DS1350W 3.3V、4096K非易失SRAM，帶有電池監測器
　　一、產品概述與背景　　DS1350W是一款采用3.3V工作電壓的非易失性靜態隨機存取存儲器（SRAM），其存儲容量高達4096K位。該芯片在設計時充分考慮了實際應用環境中的數據保持問題，集成了電池監測器以保證在斷電情況下數據的長期保存和實時監控電池狀態。隨著嵌入式系統、工業控制、汽車電子以及通信設備不斷向高穩定性和長時效存儲方案需求演......
DS13... 4096... 電池監測...
2025-04-11
3
DS1345W 3.3V、1024k非易失SRAM，帶有電池監測器
DS1345W 3.3V、1024k非易失SRAM，帶有電池監測器
　　一、產品概述與背景　　DS1345W是一款專為高端嵌入式系統設計的3.3V非易失性SRAM芯片，內置高達1024k的存儲容量，支持數據在斷電狀態下保持不丟失。這款芯片除了采用先進的低功耗設計和高可靠性制造工藝外，還集成了電池監測器功能，可以實時檢測外部備用電池的狀態，從而保障系統在電源切換或電壓不足情況下穩定運行。　　在嵌入式系統、工......
S134... 1024... 電池監測...
2025-04-11
4
DS1330W 3.3V、256k非易失SRAM，帶有電池監測器
DS1330W 3.3V、256k非易失SRAM，帶有電池監測器
　　一、引言　　在當今信息時代，數據的可靠存儲與快速訪問始終是各類電子系統設計的重要考量。存儲器作為電子系統中不可或缺的組成部分，其性能與可靠性直接影響整個系統的穩定性和用戶體驗。DS1330W作為一款采用3.3V供電、具有256K存儲容量的非易失性SRAM產品，不僅擁有高速讀寫能力，而且集成了電池監測器功能，為系統提供了極高的數據安全保......
DS13... 256k... 電池監測...
2025-04-11
3
DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM
DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM
　　一、產品概述　　DS1250W 3.3V、4096k非易失SRAM 是一種集高速存取、高可靠性以及非易失性特性于一體的存儲器件。隨著電子信息技術飛速發展和工業應用場景對數據可靠性的不斷提升，該產品正逐步在軍事、航天、汽車、工業自動化、通訊系統和消費電子等多個領域顯示出不可替代的重要作用。本文將對該存儲器件的基本原理、技術特點及相關應......
DS12... 4096...
2025-04-11
8
DS1245W 3.3V、1024k非易失SRAM
DS1245W 3.3V、1024k非易失SRAM
1. 概述DS1245W是一款由Maxim Integrated（現為Analog Devices的一部分）推出的3.3V 1024k（1Mbit）非易失性SRAM（NVSRAM）。它在掉電時仍能保存數據，不需要外部電池支持，廣泛應用于嵌入式系統、工業控制、數據記錄儀和通信設備等領域。DS1245W采用SRAM和非易失存儲技術結合的方式，......
DS12... 1024...
2025-04-11
24
DS1230W 3.3V、256k非易失SRAM
DS1230W 3.3V、256k非易失SRAM
一、DS1230W簡介DS1230W是一款由Dallas Semiconductor（現為Maxim Integrated的一部分）推出的3.3V工作電壓、256K容量的非易失性SRAM（靜態隨機存取存儲器）。這款芯片結合了靜態RAM（SRAM）和內置電池，能夠在主電源關閉時仍然保持數據。這種非易失性特性使其在許多應用中都十分受歡迎，特別......
DS12... 256k...
2025-04-11
7
DS1345Y 1024k非易失SRAM，帶有電池監測器
DS1345Y 1024k非易失SRAM，帶有電池監測器
　　產品概述　　DS1345Y是一款具有1024K容量的非易失性SRAM芯片，其獨特之處在于內部集成了電池監測器，為系統提供了可靠的電源管理能力。該器件采用先進的半導體工藝，具有高速度、低功耗和超高可靠性等特點，在現代電子設備、嵌入式系統以及需要數據保持的特殊應用中得到了廣泛應用。DS1345Y主要面向工業自動化、通信、汽車電子以及醫療設......
DS13... 1024... 電池監測...
2025-04-11
5