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PANJIT
強茂擁有半導體上下游整合與自有核心技術的優勢,主要從事整流二極管、功率半導體、突波抑制器等分離式組件產品的生產;搭配洞察市場趨勢的觀察力,不斷推出符合市場需求的薄型化封裝。
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PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管的介紹、特性、及應用
PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管具有平面模具結構,是自動化組裝過程的理想選擇。DFN1006-2L封裝二極管工作溫度范圍為-55°C至+150°C,最大標稱齊納電壓范圍為4.10V至49.35V。PANJIT PZS52CxM1Q硅齊納二極管在+25°C時提供250mW最大峰值脈沖功耗,在10mA時提供0.9V最大正向電壓。...
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2024-04
PANJIT SS2030DSN表面貼裝肖特基勢壘整流器的介紹、特性、及應用
PANJIT SS2030DSN表面安裝肖特基勢壘整流器具有高浪涌電流能力和低正向電壓/漏電流,采用DSN1608-2L封裝,高度小于0.31mm。SS2030DSN工作在-55°C至+150°C的溫度范圍內,最大重復峰值反向電壓30V,最大平均正向電流2A。典型的正向電壓范圍為0.25V至0.36V。特性高度小于0.31mm的芯片級封裝...
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2024-04
PANJIT PTGH高速650V場停止壕igbt的介紹、特性、及應用
PANJIT PTGH高速650V場停止溝槽igbt在T(VJ) +25°C時具有1.65V的低飽和電壓,具有卓越的高速開關能力。PANJIT PTGH igbt與低Q(rr)和軟恢復二極管共封裝。igbt的最高結溫為T(VJ) +175°C,確保了高效的性能。這些設備的設計保證了苛刻條件下的可靠性。一個正系數V(CEsat)可以方便地并...
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2024-04
PANJIT PJMBZ ESD保護二極管的介紹、特性、及應用
PANJIT PJMBZ ESD保護二極管設計用于保護敏感設備免受ESD影響并防止閉鎖事件。這些二極管是雙齊納ESD/瞬態保護器,具有公共陰極,典型的反向擊穿電壓范圍為5.6V至33V。雙器件的組合在單個封裝中保護多達兩條數據線,提供額外的電路板空間。PJMBZ ESD保護二極管可用于汽車級,主要用于CAN和LIN總線。這些PJMBZ T...
10
2024-02
PANJIT S5xB表面貼裝通用整流器的介紹、特性、及應用
PANJIT S5xB表面貼裝通用整流器將交流(AC)電壓轉換為直流(DC)電壓。S5xB采用SMB封裝,穩定性強,可靠性高,漏電流小。整流器是無鉛的,符合歐盟RoHS 2.0,并具有符合IEC 61249標準的綠色成型化合物。S5xB器件廣泛應用于5A電流的各種設備,包括電源、逆變器、轉換器、監視器和其他電子設備。特性低正向電壓,大電流...
6
2024-01
PANJIT 40V增強模式mosfet的介紹、特性、及應用
PANJIT 40V增強模式mosfet是低壓mosfet,導通電阻低于1歐姆。這些低壓mosfet符合AEC-Q101標準,通常用于汽車級設備。40V增強模式mosfet是無鉛的,符合歐盟RoHS 2.0。典型的應用包括低功耗系統產品,如筆記本電腦、PC主板、平板電腦和其他便攜式消費產品。 特性 40V低壓mosfet A...
27
2023-07
PANJIT 第1.5代SiC肖特基勢壘二極管的介紹、特性、及應用
PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)是為電氣工程師設計具有更低散熱的高性能系統而開發的。快速恢復二極管(FRD)在關斷操作時有一些反向恢復電流,在主開關打開時產生額外的開關損失。相比之下,肖特基勢壘二極管沒有反向恢復電流,因此它可以在更高的開關頻率下使用,但它的缺點是由于更高的漏電而導致較低的擊穿電壓。S...
21
2023-06
第2代SGT MOSFET用于DC/DC轉換器的介紹、特性、及應用
PANJIT的第二代屏蔽柵溝槽(SGT) MOSFET具有優異的性能系數(FOM)質量,為磚型模塊中的DC/DC變換器拓撲提供了高效的設計解決方案。該100v SGT系列提供18個標準和17個邏輯級部件。PANJIT的晶圓技術使第2代SGT mosfet能夠產生低柵電荷和R(DS(ON)),以最大限度地減少傳導損耗,并創建優秀的...
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2023-03
PANJIT n通道增強模式mosfet的介紹、特性、及應用
PANJIT的n通道增強模式MOSFET是一種高性能的半導體器件,用于電子開關和電流調節等應用。這種MOSFET在AEC-Q101合格的封裝中提供,確保了其在汽車電子等應用中的可靠性和穩定性。特性低反向傳輸電容:PANJIT的n通道增強模式MOSFET在DFN5060-8L封裝中提供了低反向傳輸電容,這有助于減少開關過程中的能量損失和噪聲...
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2022-11
PANJIT 650V n通道超級結mosfet的介紹、特性、及應用
PANJIT 650V N通道超級結MOSFET是一款高性能的半導體器件,專為高電壓、高效率的功率轉換應用而設計。以下是對其介紹、特性及應用的詳細歸納:介紹PANJIT的650V N通道超級結MOSFET采用了先進的超級結(Super Junction)技術,該技術通過優化PN結的結構,實現了更低的導通電阻(Rdson)和更高的開關效率。...
12
2022-05
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