原標題：宜普電源轉換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場效應晶體管

宜普電源轉換公司（EPC）推出的EPC2215和EPC2207兩款新一代200 V氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET），在性能、尺寸和成本上實現了顯著突破，為高功率密度、高頻及高效能應用提供了理想解決方案。以下是對這兩款產品的詳細分析：

一、核心性能優勢

1. 超低導通電阻與高電流能力

• EPC2215：導通電阻僅8 mΩ，脈沖電流額定值達162 A，適合高電流應用場景。

• EPC2207：導通電阻為22 mΩ，脈沖電流額定值54 A，平衡了性能與成本。

• 對比硅器件：EPC2215的導通電阻較基準硅MOSFET降低33%，且尺寸縮小15倍；柵極電荷（QG）減少10倍，無反向恢復電荷（QRR），顯著降低開關損耗。

2. 高頻開關性能

• 氮化鎵（GaN）材料特性使其開關頻率可達MHz級，遠超傳統硅MOSFET的kHz級，適用于高頻DC/DC轉換、同步整流等場景。

• 結合EPC的芯片級封裝技術，寄生電感極低，進一步優化高頻性能。

3. 小型化設計

• 兩款器件尺寸較前代200 V eGaN器件縮小約50%，EPC2215采用微型封裝，節省PCB空間，適合高密度布局需求。

二、應用場景

1. 48 V電力系統

• 同步整流：在48 V OUT DC/DC轉換器中，eGaN FET的低導通電阻和高頻特性可提升效率至98%以上，減少發熱，延長系統壽命。

• 電機驅動：適用于電動出行（如電動自行車、無人機）的32V/48V BLDC電機驅動器，實現更緊湊、高效的設計。

2. 激光雷達（LiDAR）與光學遙感

• EPC2207的低電容和快速開關特性，使其成為工業激光雷達/ToF應用的理想選擇，支持高分辨率、低成本解決方案。

3. 高頻功率轉換

• 包括多電平高壓AC/DC轉換器、太陽能微型逆變器、D類音頻放大器等，需高頻、高效、小尺寸功率器件的場景。

三、技術突破與市場影響

1. 性能與成本的平衡

• EPC通過材料創新與封裝優化，將新一代eGaN FET的成本控制在與傳統硅MOSFET相近水平，加速氮化鎵對硅器件的替代進程。

• EPC首席執行官Alex Lidow表示：“氮化鎵器件替代功率MOSFET的趨勢日益明顯，新一代eGaN FET在更小尺寸內實現更高性能，且成本相當。”

2. 生態支持與開發便利性

• EPC提供配套開發板（如EPC9052、EPC9053），支持高頻（達30 MHz）評估，簡化設計流程，縮短產品上市時間。

• 與ADI等廠商合作推出參考設計（如EPC9160），結合模擬控制器與eGaN FET，實現2 MHz開關頻率的DC/DC轉換，功率密度和效率顯著提升。

3. 市場定位精準

• 聚焦高功率密度、高頻、高效能需求，覆蓋電動出行、工業自動化、通信電源等細分市場，與硅器件形成差異化競爭。

四、行業評價

• 得克薩斯大學奧斯汀分校教授Alex Huang評價：“氮化鎵場效應晶體管的優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。”

• 市場趨勢：隨著電動出行、數據中心、5G等領域的快速發展，對高頻、高效功率器件的需求激增，EPC的新一代eGaN FET有望在這些市場中占據領先地位。