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2024-03
英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
與上一代產品相比，英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC
溝槽 MOSFET 繼續利用碳化硅的性能屬性，有助于減少功率轉換過程中的能量損耗并提高效率。 CoolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質因數進行了改進。這些器件的快速......
2023-08
復位電路原理闡述：基本概念和作用、工作原理、設計要點、常見應用
摘要：本文主要對復位電路原理進行詳細闡述。首先介紹了復位電路的基本概念和作用，然后從四個方面分別討論了復位電路的工作原理、設計要點、常見應用和未來發展趨勢。通過對這些內容的探討，可以更好地理解和應用復位電路。1、復位電路的基本概念在介紹復位電路的工作原理之前，我們首先需要了解什么是復位電路。簡單來說，復位電路是一種能夠將系統恢復到初始狀態......
2023-03
器件可抵御汽車網絡中的ESD
Nexperia的六個ESD保護器件可保護卡車和商用車中使用的24
V板網系統。PESD2CANFD36XX-Q系列可保護車載網絡的總線線路，如LIN、CAN、CAN-F、FlexRay和SENT，免受ESD和其他瞬變造成的損壞。 隨著數據速率的提高和車輛的電氣化程度越來越高，對ESD保護的需求至關重要。PESD2CANFD3......
2023-03
非線性模型簡化了氮化鎵器件仿真
由 蘇珊·諾迪克 Gallium Semi發布了一個非線性模型庫，用于其所有寬帶雙扁平無鉛(DFN)塑料和氣腔陶瓷(ACC)封裝GaN晶體管。這 22 個模型采用寬帶
S 參數和負載牽引測量進行設計和驗證，以確保準確的仿真。 Gallium的GaN基半導體器件可用于廣泛的應用，包括5G移動通信、航空航天、國防、工業、科學和醫......
2023-03
專為USB PD 3.1設計的 EPC 氮化鎵解決方案
EPC 基于 EPC9177 eGaN IC 的參考設計可滿足新的 USB PD 3.1 對多端口充電器的嚴格要求。 高效電源轉換 (EPC) EPC9177 是一款基于 eGaN IC 的參考設計，適用于高功率密度、扁平 DC-DC 轉換器，可滿足新的 USB PD
3.1 對多端口充電器和主板上 DC-DC 的嚴格要求，可將 ......
2023-02
瑞薩電子汽車IPD使尺寸縮小40%
新器件采用小型 TO-252-7 封裝，與傳統的 TO-263 封裝產品相比，安裝面積減少了 40%。 瑞薩電子公司推出了一款新型汽車智能功率器件(IPD)，該器件將安全靈活地控制車內的配電，滿足下一代E/E(電氣/電子)架構的要求。 新型 RAJ2810024H12HPD 采用小型 TO-252-7 封裝，與傳統的 TO-263......
2023-01
意法半導體汽車級器件STTN6050H-12M1Y具有增強的功率密度
意法半導體最新的功率半導體電橋簡化了組裝，與傳統的TO型封裝相比，功率密度更高。 意法半導體(ST)推出了五款采用常用配置的功率半導體電橋，采用先進的ACEPACK
SMIT封裝，與傳統的TO型封裝相比，簡化了組裝并提高了功率密度。 工程師可以從兩個STPOWER 650V
MOSFET半橋、一個600V超快二極管橋、一個......
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