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2022-07
TP65H050G4BS 650V GaN FET 采用表面貼裝封裝
TP65H050G4BS 650V GaN FET是一款高性能的氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），它采用了表面貼裝封裝技術。以下是關于TP65H050G4BS 650V GaN FET的詳細信息和特點：封裝類型：TP65H050G4BS采用了TO-263（D2PAK）封裝，這是一種行業標準封裝，特別適用于需要更高功率和表面貼裝封裝的......
2022-07
SSD測試設備確保 PCIe5合規性
SSD測試設備確保PCIe 5合規性，主要體現在以下幾個方面：PCIe 5.0的速度與帶寬：PCIe 5.0標準要求每通道8 GB/秒（GB/s）的傳輸速度。這意味著在PCIe 5.0 x4連接下，SSD的理論帶寬可達到32 GB/s，而在PCIe 5.0 x16連接下，總帶寬則高達128 GB/s。測試項目的覆蓋：SSD測試設備需涵蓋P......
2022-07
Microchip發布業界首款集成強大安全子系統和Arm? TrustZone?技術的 單片機
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）發布的業界首款集成強大安全子系統和Arm? TrustZone?技術的單片機是一款具有創新性和前瞻性的產品。以下是關于這款單片機的詳細信息：產品特點：集成了Microchip的可信平臺（Trust Platform）安全子系統，為設備提供了強大的嵌入式安全性。結合了Ar......
2022-07
艾邁斯歐司朗推出新型Mira220全局快門圖像傳感器，高量子效率推動2D/3D傳感微型化
艾邁斯歐司朗推出的新型Mira220全局快門圖像傳感器在2D/3D傳感領域具有顯著的創新性和優勢。以下是關于這款傳感器的詳細信息和特點：高量子效率：Mira220在940nm近紅外波長下具有高量子效率，最高可達38%，這一特點使得傳感器在昏暗的照明條件下也能保持出色的性能。低功耗和小尺寸：Mira220采用背照式(BSI)技術和堆疊式芯片......
2022-07
Smiths Interconnect 擴展達芬奇測試插座產品
Smiths Interconnect 在擴展其達芬奇（DaVinci）測試插座產品系列方面，表現出了顯著的技術創新和市場適應能力。以下是關于該公司達芬奇測試插座產品的擴展情況的清晰概述：產品系列特性：Smiths Interconnect 的達芬奇測試插座產品系列以其出色的信號完整性、高帶寬和低串擾特性而聞名。該系列插座產品采用了均質合......
2022-07
STMicroelectronics 通過 40V STripFET F8 MOSFET 宣傳節能和低噪聲
STMicroelectronics通過其40V STripFET F8 MOSFET產品確實宣傳了節能和低噪聲的顯著特性。以下是關于這一產品的詳細特點和優勢：降低能耗：意法半導體的40V MOSFET晶體管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG采用了最新一代的STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術，這種技術......
2021-12
Anker推出547 Charger移動電源：最高輸出120W 售價120美元
Anker作為一家專注于高效、環保充電解決方案的公司，推出了547 Charger移動電源，這款移動電源以其高功率輸出和多功能性為特點，滿足了現代用戶對于快速、便捷充電的需求。二、主要特性高功率輸出：最高輸出120W：Anker 547 Charger移動電源能夠提供高達120W的功率輸出，這一特性使得它能夠同時為多個設備提供快速充電，滿......
2021-12
三星宣布高性能 PCIe 5.0 固態硬盤開發成功：順序讀取速度 13000MB / s，擁有 15.36TB 容量
三星宣布高性能PCIe 5.0固態硬盤開發成功，該硬盤在性能上取得了顯著的提升，特別是在順序讀取速度和存儲容量方面。以下是對該硬盤的詳細分析：一、基本信息產品名稱：三星PM1743固態硬盤接口類型：PCIe 5.0閃存技術：三星第6代V-NAND二、性能特點順序讀取速度：速度值：13000MB/s（或13GB/s，兩者單位不同但數值相等）......
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