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GaN FET
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Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET(50毫歐氮化鎵(GaN)正常關閉器件)的介紹、特性、及應用
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FE...
Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一種50毫歐氮化鎵(GaN)正常關閉器件，采用4引腳TO-247封裝。這款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平臺，該平臺支持先進的epi和專利設計技術，可簡化制造過程。TP65H050G4YS 650V FET結合了最先進的高......
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2024-03-21
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Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET in TOLT的介紹、特性、及應用
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Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有導通電阻R(DS(on)) 72毫歐，典型的頂部冷卻，表面貼裝TOLT封裝符合JEDEC標準MO-332。TOLT封裝提供了熱管理的靈活性，特別是在系統中，不允許傳統的表面貼裝設備與底部冷卻。TP65H070G4RS是一種正常關閉器件，結合了......
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2024-02-28
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適用于自主駕駛車輛激光探測及測距 (LiDAR) 的GaN FET(EPC2252)快速指南(EPC9989內插器板)
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　　作者：Kenton Williston　　激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發射功率不超過 200 W......
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2024-02-18
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BRC Solar 的功率優化器使用 EPC eGaN FET
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BRC Solar的功率優化器選擇使用EPC的eGaN FET，這一決策基于eGaN FET在性能、尺寸和效率方面的顯著優勢。以下是關于這一選擇的詳細分析：性能提升：BRC Solar通過使用EPC的eGaN FET，成功實現了功率優化器性能的顯著提升。具體來說，這種優化器在功率輸出上比前代產品增加了17%，從400瓦提升到500瓦，同時......
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2022-08-29
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TP65H050G4BS 650V GaN FET 采用表面貼裝封裝
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TP65H050G4BS 650V GaN FET是一款高性能的氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET），它采用了表面貼裝封裝技術。以下是關于TP65H050G4BS 650V GaN FET的詳細信息和特點：封裝類型：TP65H050G4BS采用了TO-263（D2PAK）封裝，這是一種行業標準封裝，特別適用于需要更高功率和表面貼裝封裝的......
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2022-07-26
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基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器
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基于eGaN FET（增強型氮化鎵場效應晶體管）的50 W、12 V/60 V升壓轉換器是一種高效、簡單且低成本的電源轉換解決方案，特別適用于筆記本電腦和PC顯示器背光等應用。以下是對該轉換器的詳細解析：一、產品概述功率與電壓范圍：50 W，輸入電壓為12 V，輸出電壓為60 V。技術基礎：采用eGaN FET技術，該技術由Efficie......
升壓轉換... 激光雷達
2021-10-22
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transhorm 650V GaN fet TO-247封裝的介紹、特性、及應用
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您想了解的可能是Transphorm公司的650V GaN FET TO-247封裝產品，以下是對其介紹、特性及應用的詳細闡述：一、介紹Transphorm是全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商，其推出的650V GaN FET TO-247封裝產品，如TP65H035G4YS和TP65H050G4YS，是針對高功率服務器、可再生能......
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2021-06-21
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聞泰科技：安世半導體GaN FETs產品即將迎來大規模出貨
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聞泰科技旗下的安世半導體在GaN FETs（氮化鎵場效應晶體管）產品領域取得了顯著進展，并即將迎來大規模出貨。以下是對該產品的詳細介紹：一、產品背景安世半導體是聞泰科技旗下的全資子公司，擁有超過60年的半導體制造經驗。近年來，安世半導體在第三代半導體技術方面投入了大量研發資源，并成功推出了多款高性能的GaN FETs產品。這些產品憑借其出......
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2021-03-25
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專用于在混合動力汽車/電動汽車中實現高頻工作和穩健性的汽車類GaN FET
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專用于在混合動力汽車（HEV）/電動汽車（EV）中實現高頻工作和穩健性的汽車類GaN FET，是一種采用氮化鎵（Gallium Nitride，GaN）材料制作的新型功率半導體器件。以下是對其的詳細分析：一、GaN FET的優勢高頻性能優異：氮化鎵材料擁有更高的電子遷移率和飽和漂移速度，因此GaN FET在高頻應用中的表現更佳，能夠實現更......
高頻工作
2021-01-13
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增強型器件優于雙芯片式常關型GaN FET嗎？
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在判斷增強型器件是否優于雙芯片式常關型GaN FET時，需要從多個維度進行綜合考慮。以下是對這兩種器件的詳細比較：一、基本特性與工作原理增強型GaN器件是一種單芯片式常關型器件。具有安全、能簡化電路設計以及更優的電路拓撲設計等優勢。需要加正偏壓才會導通，這減小了電路的復雜性，提高了穩定性和安全性。雙芯片式常關型GaN FET由兩個芯片組成......
印刷電路...
2021-01-12
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汽車類GaN FET可實現更高的工作頻率和穩健性
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汽車類GaN FET（氮化鎵場效應晶體管）確實可以實現更高的工作頻率和穩健性，這主要得益于GaN材料的獨特物理特性以及其在汽車電子設備中的應用優勢。以下是對這一觀點的詳細分析：一、GaN材料的物理特性優勢高擊穿臨界電場：GaN的擊穿臨界電場比硅高10倍，這意味著GaN器件可以在更高的電壓下工作而不被擊穿，從而提高了器件的耐壓能力和可靠性。......
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2020-12-23
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具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
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具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET（氮化鎵場效應晶體管）通過以下方式實現下一代工業電源設計：一、技術背景與優勢隨著電力電子裝置對小型化、輕量化和高效率的需求不斷增加，傳統硅基功率器件（如MOSFET和IGBT）在提升功率密度時面臨效率、尺寸和散熱的挑戰。GaN半導體作為一種寬帶隙材料，具有更快的開關速度和更高的效率，適用于高壓......
驅動器
2020-12-17
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TI 推首款汽車和工業級GaN FET 功率密度再翻倍
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德州儀器（TI）推出了首款面向汽車和工業應用的GaN（氮化鎵）FET（場效應晶體管），其功率密度相比傳統解決方案實現了翻倍的提升。以下是關于這款產品的詳細介紹：一、產品概述TI推出的這款GaN FET產品，包括650V和600V兩個電壓等級，分別面向汽車和工業應用。這些GaN FET采用了先進的硅基氮化鎵技術，集成了驅動器、保護和有源電源......
工業級G...
2020-12-02
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EPC推出170 V eGaN FET，實現優越同步整流，極具成本效益
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EPC（宜普電源轉換公司）推出的170 V eGaN FET（氮化鎵場效應晶體管）在同步整流應用中實現了顯著的性能提升，并具有極高的成本效益。產品概述型號與規格：EPC2059，170 V，6.8 mΩ。產品定位：適用于高性能48 V同步整流，滿足48 V ~ 56 V服務器、數據中心產品及高端計算領域的消費類電源應用需求。技術優勢小型化......
eGaN... EPC
2020-11-16
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