英飛凌完善SiC MOSFET溝槽技術 200V CoolSiC G2 MOSFET
來源:
edn
2024-03-11
類別:新品快報


與上一代產品相比,英飛凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 將存儲能量和充電量提高了 20%。第二代 CoolSiC 溝槽 MOSFET 繼續利用碳化硅的性能屬性,有助于減少功率轉換過程中的能量損耗并提高效率。

CoolSiC G2 對硬開關操作和軟開關拓撲的關鍵品質因數進行了改進。這些器件的快速開關能力提高了 30% 以上,熱性能比以前的器件提高了 12%。
CoolSiC G2 MOSFET 的大量產品組合適用于 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 級的所有常見組合。這些低導通電阻 SiC MOSFET 可用于光伏逆變器、儲能系統、電動汽車充電、電源和電機驅動。
責任編輯:David
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