原標題：英飛凌OptiMOS源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）近日推出了新一代OptiMOS?源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供了創新解決方案。此次新推出的PQFN封裝的40V裝置，進一步豐富了OptiMOS系列的產品陣容，為市場帶來了更多選擇。

產品特點

1. 源極底置（SD）封裝技術
   該裝置采用源極底置PQFN封裝，尺寸為3.3mm×3.3mm，與現有技術相比，可使導通電阻（RDS(on)）降低25%，同時接面與外殼間的熱阻（RthJC）也獲得大幅改善。這種封裝設計不僅提高了功率密度，還優化了散熱性能，使得器件在高功率應用中表現更加出色。

2. 高功率密度與低導通電阻
   新裝置提供兩種版本：標準版和中央柵極版。其中，中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化，進一步提升了電流能力和系統效率。該裝置的導通電阻（RDS(on)）在10V柵極電壓下可低至1.35mΩ，滿足了市場對低損耗、高效率功率器件的需求。

3. 高電流能力與熱性能
   SD OptiMOS可承受高達194A的高連續電流，且在高溫環境下仍能保持穩定的性能。其出色的熱性能得益于優化的封裝設計和材料選擇，使得器件在散熱方面表現卓越，延長了使用壽命并提高了可靠性。

應用領域

新推出的40V SD MOSFET適用于多種高要求應用，包括但不限于：

• 服務器電源供應單元（SMPS）
  在服務器中，SMPS需要高效、穩定的功率轉換，以確保數據中心的可靠運行。OptiMOS 40V SD MOSFET憑借其低導通電阻和高功率密度，成為SMPS設計的理想選擇。

• 電信設備與OR-ing應用
  在電信設備中，高可靠性的功率器件是保障通信暢通的關鍵。OptiMOS 40V SD MOSFET的出色性能使其能夠滿足電信設備對功率轉換和保護的高要求。

• 電池保護
  隨著電動汽車和便攜式電子設備的普及，電池保護電路對功率器件的需求日益增長。OptiMOS 40V SD MOSFET的高電流能力和低導通電阻，使其成為電池保護電路中的優選器件。

• 電動工具與充電器
  在電動工具和充電器中，功率器件需要承受高負載和高溫環境。OptiMOS 40V SD MOSFET的優異熱性能和可靠性，使其能夠滿足這些應用對功率器件的嚴苛要求。

市場影響與前景

英飛凌此次推出的OptiMOS 40V SD MOSFET，不僅豐富了其功率MOSFET產品線，還進一步鞏固了英飛凌在功率半導體市場的領先地位。隨著電動汽車、數據中心、5G通信等市場的快速發展，對高效、可靠功率器件的需求將持續增長。OptiMOS 40V SD MOSFET憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域，有望在未來市場中占據重要份額。

此外，英飛凌在功率半導體領域的技術創新和市場布局，也為其未來的發展奠定了堅實基礎。通過不斷推出新產品和解決方案，英飛凌將繼續引領功率半導體市場的發展潮流，為全球客戶提供更加優質的產品和服務。