原標(biāo)題：臺(tái)積電陳平：超微縮和3D集成共同推動(dòng)工藝前進(jìn)

臺(tái)積電陳平確實(shí)提出了超微縮和3D集成共同推動(dòng)工藝前進(jìn)的觀點(diǎn)。以下是對(duì)其觀點(diǎn)的詳細(xì)闡述：

一、超微縮技術(shù)

超微縮技術(shù)，即傳統(tǒng)工藝制程的微縮，是半導(dǎo)體工藝發(fā)展的重要方向之一。陳平指出，通過不斷地工藝微縮，可以不斷改進(jìn)芯片的PPA（性能、功耗和面積）。在摩爾定律的推動(dòng)下，晶體管尺寸不斷縮小，從而提高了芯片的集成度和性能。

然而，工藝微縮也面臨著諸多挑戰(zhàn)。其中，光刻技術(shù)是限制工藝微縮的關(guān)鍵因素之一。不過，隨著EUV（極紫外光刻）技術(shù)的突破，工藝微縮得以繼續(xù)向前延伸。臺(tái)積電從7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始引入EUV技術(shù)，并在5nm、4nm等節(jié)點(diǎn)上積累了豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和記錄。未來，隨著NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻）技術(shù)的導(dǎo)入，2nm及以下圖形的定義問題也將得到解決。

除了光刻技術(shù)外，器件結(jié)構(gòu)和材料特性也是工藝微縮的另外兩大挑戰(zhàn)。隨著器件的微小化，晶體管器件結(jié)構(gòu)和材料特性都需要有革命性的改變。例如，器件結(jié)構(gòu)將從FinFET轉(zhuǎn)向Nanosheet或GAA結(jié)構(gòu)，而器件材料方面則出現(xiàn)了諸多創(chuàng)新和突破。

二、3D集成技術(shù)

隨著數(shù)字化時(shí)代數(shù)據(jù)量的快速增加，SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）上的微縮已不足以滿足系統(tǒng)發(fā)展的需要。因此，3D系統(tǒng)的引入成為了一種重要的解決方案。3D集成技術(shù)可以在SoC工藝基礎(chǔ)上大幅擴(kuò)展集成度，實(shí)現(xiàn)所謂的Chiplet（小芯片）。同時(shí)，2.5D和3D工藝還可以幫助實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成，讓邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片得以方便地集成在一起。

臺(tái)積電在3D集成技術(shù)方面取得了顯著的成果。其推出了3D平臺(tái)，涵蓋了前段3D和先進(jìn)封裝兩大類工藝。其中，前段3D對(duì)工藝的要求最高，而先進(jìn)封裝方式則包括CoWos技術(shù)和info技術(shù)等。這些技術(shù)使得臺(tái)積電能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝А⒏`活的芯片解決方案。

三、超微縮與3D集成的共同推動(dòng)

陳平認(rèn)為，超微縮和3D集成是共同推動(dòng)工藝前進(jìn)的兩大元素。超微縮技術(shù)提供了最有效的算力密度和能效比的提升，而3D集成技術(shù)則大幅擴(kuò)展了集成度，實(shí)現(xiàn)了異構(gòu)集成。這兩者的結(jié)合，使得臺(tái)積電能夠在保持工藝領(lǐng)先的同時(shí)，不斷滿足市場對(duì)高性能、低功耗和高集成度芯片的需求。

綜上所述，臺(tái)積電陳平提出的超微縮和3D集成共同推動(dòng)工藝前進(jìn)的觀點(diǎn)，不僅符合半導(dǎo)體工藝發(fā)展的趨勢，也為臺(tái)積電在未來的市場競爭中提供了有力的支持。