原標題：Teledyne e2v HiRel的650 V系列產品新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel的650V系列產品確實新增了兩款大功率GaN HEMT，以下是關于這兩款產品的詳細介紹：

一、產品概述

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管），分別是TDG650E30B和TDG650E15B。這兩款產品分別提供30A和15A的較低電流性能，而此前推出的第一款650V產品TDG650E60則提供60A的電流。

二、產品特點

1. 高電壓：這兩款650V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，適用于要求嚴格的高可靠性軍事、航空電子和太空應用。

2. 高性能：器件配有底部冷卻裝置，采用超低FOM Island Technology?芯片和低電感GaNPX?封裝，提供大于100Mhz的超高頻率開關、快速且可控制的下降和上升時間、反向電流能力等。

3. 高可靠性：這些器件經過嚴格的可靠性和電氣測試，包括硫酸測試、高空模擬、動態老化、環境溫度高達175°C的階躍應力、9伏柵極電壓以及全溫度測試，以確保關鍵任務的成功。

4. 低結殼熱阻：TDG650E15B和TDG650E30B均為增強型硅上GaN功率晶體管，可實現大電流、高壓擊穿和高開關頻率，同時為大功率應用提供非常低的結殼（junction-to-case）熱阻。

5. 耐輻射封裝：氮化鎵器件已經革新了其他行業的功率轉換元件，現在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經過嚴格的可靠性和電氣測試以確保關鍵任務的成功。

三、應用場景

這些新型GaN HEMT是諸如電源、電機控制和半橋拓撲等應用的理想之選，為客戶提供了關鍵航空航天和國防電力應用所需的效率、尺寸和功率密度優勢。

四、市場意義

1. 技術創新：Teledyne e2v HiRel通過推出這兩款新產品，進一步鞏固了其在高功率GaN HEMT領域的領先地位。

2. 客戶受益：這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項目設計的客戶真正受益，有助于他們開發出更高效、更可靠的電子產品。

綜上所述，Teledyne e2v HiRel的650V系列產品新增的兩款大功率GaN HEMT具有顯著的技術優勢和市場應用前景，將為客戶提供更高效、更可靠的電子產品解決方案。