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星宇佳MOS場(chǎng)效應(yīng)管8n65

來源: hqew
2021-01-11
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 120
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:星宇佳MOS場(chǎng)效應(yīng)管8n65

星宇佳MOS場(chǎng)效應(yīng)管8N65是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管。以下是對(duì)其參數(shù)的詳細(xì)分析:

一、基本參數(shù)

  • 型號(hào):8N65

  • 晶體管類型:MOS場(chǎng)效應(yīng)管

  • 溝道類型:N溝道

  • 漏源電壓(Vds):最大650V

  • 漏極電流(Id)

    • 漏極直流電流:8A

    • 最大脈沖漏極電流:32A(在特定條件下)

二、電氣特性

  • 柵源電壓(Vgs):最高±30V(或標(biāo)注為30V,表示柵極相對(duì)于源極的最大正向電壓)

  • 導(dǎo)通電阻(Rds(on))

    • 典型值:1.4Ω(最大)@Vgs=10V

    • 實(shí)際值可能因生產(chǎn)批次和測(cè)試條件而異,但通常在較低范圍內(nèi),有助于降低功耗和提高效率。

  • 功耗:根據(jù)具體封裝和散熱條件,功耗可能有所不同。常見標(biāo)注可能包括最大耗散功率等參數(shù)。

  • 開關(guān)特性

    • 快速切換能力,適用于高頻應(yīng)用。

    • 低電荷和低反向傳輸電容,有助于減少開關(guān)損耗。

三、物理特性

  • 封裝形式:通常采用TO-220或TO-220F等標(biāo)準(zhǔn)封裝形式,便于集成和散熱。

  • 尺寸和重量:具體尺寸和重量可能因封裝形式和生產(chǎn)廠家而異,但通常符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

四、其他特性

  • 100%雪崩測(cè)試:確保器件在高壓條件下的可靠性。

  • 提高dv/dt能力:增強(qiáng)器件對(duì)電壓變化率的承受能力。

  • 應(yīng)用范圍

    • 廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源、DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

    • 也適用于不間斷電源(UPS)、功率因數(shù)校正(PFC)等應(yīng)用。

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五、注意事項(xiàng)

  • 在使用星宇佳MOS場(chǎng)效應(yīng)管8N65時(shí),應(yīng)確保工作電壓和電流不超過其最大允許值,以避免器件損壞。

  • 在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)充分考慮其開關(guān)速度和穩(wěn)定性要求,以確保電路的正常工作。

  • 封裝形式、散熱條件以及生產(chǎn)廠家等因素都可能影響場(chǎng)效應(yīng)管的性能和可靠性。因此,在選擇和使用時(shí),應(yīng)參考具體型號(hào)的規(guī)格書,并咨詢生產(chǎn)廠家或?qū)I(yè)人士的建議。

綜上所述,星宇佳MOS場(chǎng)效應(yīng)管8N65具有優(yōu)異的電氣特性和物理特性,適用于各種電子設(shè)備和電路中。在選擇和使用時(shí),應(yīng)充分考慮其參數(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景等因素,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。


責(zé)任編輯:David

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