原標題：X－FAB對其180nm APD和SPAD器件進行重大改進提升光子探測性能并增加其有源區面積

X-FAB對其180nm APD（雪崩光電二極管）和SPAD（單光子雪崩二極管）器件進行了重大改進，這些改進旨在提升光子探測性能并增加其有源區面積。以下是對這些改進的詳細闡述：

一、技術改進概述

X-FAB利用其成熟且通過汽車認證的180nm XH018高壓工藝，對APD和SPAD器件進行了創新性的架構改進。這些改進使得新器件與早期器件相比，在性能上得到了顯著提升，因此可用于光照強度極具挑戰性的場景。

二、性能提升

1. 光子探測概率（PDP）：

• 在405nm波長入射光下，PDP數值提升至42%。

• 在近紅外（NIR）頻率上，改進幅度更大，高達150%；特別是在850nm波長下，PDP數值達到5%。

2. 后脈沖概率：

• 后脈沖概率為0.9%，與第一代器件相比降低了70%。

3. 暗計數率（DCR）：

• DCR降低至僅13次/秒/μm2，表現出極低的噪聲水平。

4. 填充因子：

• 當前可支持的填充因子（有源傳感器表面積百分比）幾乎翻了一番，達到33%，從而增加了器件的有效探測面積。

三、其他重要改進

1. 觸發二極管：

• X-FAB內置了一個觸發二極管，可以在無需外部光源的情況下實現精確、實時的片上擊穿電壓檢測。這有助于確保APD/SPAD的良好性能。

2. 主動猝滅電路：

• 全新產品包含主動猝滅電路，可以加快SPAD器件的恢復速度，使其為進一步光子探測做好準備。

3. 尺寸的靈活性：

• 得益于尺寸的靈活性（寬度和長度方面），全新SPAD帶來了更杰出的應用適應性。

4. 完整器件模型：

• SPAD和APD器件的完整器件模型保證了首次成功（first-time-right），該模型還包括新的內置觸發二極管行為。

四、應用前景

X-FAB的這些改進使得其APD/SPAD解決方案具備令人印象深刻的信號完整性特性。這將使客戶在眾多應用中獲得直接的收益，如醫療領域中的計算機層析成像和熒光檢測，以及工業和汽車系統中的ToF（飛行時間）與激光雷達等。這些先進的光電元件是X-FAB設計套件的寶貴補充，拓寬了在XH018工藝中可利用的互操作資產選擇范圍。

綜上所述，X-FAB對其180nm APD和SPAD器件的重大改進在提升光子探測性能和增加有源區面積方面取得了顯著成果，這些改進將為客戶在各種應用中帶來顯著的優勢和收益。