原標題：ROHM開發出針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術

ROHM（羅姆半導體）確實開發出了針對150V GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）的8V柵極耐壓技術，以下是對該技術的詳細分析：

一、技術背景與意義

隨著IoT設備的日益普及和服務器系統需求的不斷增長，功率轉換效率的提升和設備的小型化已成為重要的社會課題。GaN器件因其更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能，在基站和數據中心等領域被寄予厚望，有助于降低各種開關電源的功耗并實現小型化。然而，GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開關工作期間可能會發生超過額定值的過沖電壓，導致產品可靠性問題。因此，ROHM通過采用自有的結構，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規的6V提高到了8V，這對于提高電源電路的設計裕度和可靠性具有重要意義。

二、技術特點與優勢

1. 高柵極耐壓：ROHM的8V柵極耐壓技術將GaN HEMT的柵極-源極間額定電壓從常規的6V提高到了8V，這使得器件工作時的電壓裕度達到普通產品的三倍。即使在開關工作過程中產生了超過6V的過沖電壓，器件也不會劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。

2. 低電感封裝：ROHM還開發出一種專用封裝，采用銅片鍵合封裝技術，使寄生電感值相比以往封裝降低了55%。這有助于在設計可能會高頻工作的電路時，更大程度地發揮出器件的性能。

3. 高散熱性能：該GaN器件所采用的封裝形式具有出色的散熱性能，使得器件在長時間工作時能夠保持穩定的溫度，進一步提高了產品的可靠性。

4. 易于替換與安裝：該封裝形式在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實際應用記錄，使得現有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。

三、應用領域與市場前景

1. 應用領域：ROHM的8V柵極耐壓GaN HEMT器件適用于各種電源電路，特別是以工業設備和通信設備為首的應用領域。例如，數據中心和基站等的48V輸入降壓轉換器電路、基站功率放大器單元的升壓轉換器電路、D類音頻放大器、LiDAR驅動電路以及便攜式設備的無線充電電路等。

2. 市場前景：隨著5G、物聯網、云計算等技術的不斷發展，基站和數據中心等領域對高效率、小型化的電源需求將持續增長。ROHM的8V柵極耐壓GaN HEMT器件憑借其出色的性能和可靠性，有望在市場上取得廣泛的應用和認可。

四、總結

ROHM開發出的針對150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術，解決了GaN器件在柵極耐壓方面的關鍵問題，提高了電源電路的設計裕度和可靠性。同時，該技術還配合了低電感封裝和高散熱性能的封裝形式，使得器件在性能、可靠性和安裝便利性方面均表現出色。隨著相關應用領域的不斷發展，ROHM的8V柵極耐壓GaN HEMT器件有望在市場上取得更大的成功。