原標題：Vishay / Siliconix SiHH080N60E E系列功率mosfet的介紹、特性、及應用

Vishay Siliconix的SiHH080N60E是E系列功率MOSFET中的一款產品，它采用先進的封裝技術和材料設計，為電信、工業及計算應用提供高效、高功率密度的解決方案。

特性

1. 封裝與尺寸：SiHH080N60E采用頂部冷卻的PowerPAK 8x8LR封裝，其尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm。與D2PAK封裝相比，其占位面積減小了50.8%，高度降低了66%，極大地節省了空間并提高了功率密度。

2. 熱性能：由于采用頂部冷卻設計，SiHH080N60E具有出色的熱性能，結殼熱阻極低，僅為+0.25°C/W。這允許在相同的導通電阻水平下，比D2PAK封裝提供高46%的電流，從而實現更高的功率密度。

3. 電氣性能：

• 導通電阻：在10V時，典型導通電阻為0.074歐姆，與上一代器件相比降低了27%。

• 柵極電荷：超低柵極電荷，低至42 nC，與上一代器件相比降低了60%。

• FOM（導通電阻與柵極電荷乘積）：達到業界最低的3.1 Ω*nC，有助于降低導通和開關損耗，提高能源效率。

4. 開關性能：MOSFET的有效輸出電容C(o(er))和C(o(tr))分別為79 pF和499 pF，這些值有助于提高功率因數校正（PFC）、半橋和雙開關正向設計等硬開關拓撲中的開關性能。

5. 其他特性：封裝還提供開爾文（Kelvin）連接以提高開關效率；符合RoHS標準，無鹵素；耐受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100%通過UIS測試。

應用

SiHH080N60E E系列功率MOSFET的典型應用包括：

• 服務器、邊緣計算、超級計算機等高性能計算系統。

• 數據存儲、UPS（不間斷電源）系統。

• 高強度放電（HID）燈和熒光鎮流器。

• 通信SMPS（開關電源）、太陽能逆變器。

• 焊接設備、感應加熱、電機驅動。

• 電池充電器等電力電子系統。

總之，Vishay Siliconix的SiHH080N60E E系列功率MOSFET以其緊湊的封裝、卓越的熱性能、優異的電氣性能和廣泛的應用范圍，成為現代電力電子系統中的理想選擇。