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Vishay / Siliconix SiHP080N60E E系列功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用

來(lái)源: 華強(qiáng)商城
2022-07-26
類(lèi)別:技術(shù)信息
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

原標(biāo)題:Vishay / Siliconix SiHP080N60E E系列功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用

關(guān)于Vishay / Siliconix SiHP080N60E E系列功率MOSFET的介紹、特性及應(yīng)用,由于直接關(guān)于SiHP080N60E的具體信息在提供的參考文章中并未明確提及,我將基于類(lèi)似型號(hào)SiHR080N60E和SiHH068N60E的特性和應(yīng)用,并結(jié)合一般E系列功率MOSFET的共同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。

介紹

Vishay Siliconix的E系列功率MOSFET以其高能效、高可靠性和小型化封裝為特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。盡管SiHP080N60E的具體參數(shù)未在參考文章中提及,但我們可以預(yù)期它同樣屬于這一高性能產(chǎn)品系列。

特性

  1. 導(dǎo)通電阻與柵極電荷:與SiHR080N60E相似,SiHP080N60E預(yù)計(jì)也將具有較低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。這些參數(shù)的降低有助于減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗,從而提高電源系統(tǒng)的效率。

  2. 封裝:雖然SiHP080N60E的確切封裝類(lèi)型未知,但考慮到它屬于E系列,可能同樣采用小型化的PowerPAK封裝,如PowerPAK 8x8LR,這種封裝具有出色的熱性能和溫度循環(huán)能力。

  3. 熱性能:由于采用頂部冷卻設(shè)計(jì),E系列功率MOSFET通常具有較低的結(jié)殼熱阻,這有助于在高功率密度應(yīng)用中保持較低的工作溫度。

  4. 可靠性:E系列功率MOSFET在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中注重提高可靠性,包括耐雪崩和換相模式中的高能脈沖,保證限值通過(guò)UIS測(cè)試。

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應(yīng)用

SiHP080N60E預(yù)計(jì)將在以下領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用:

  • 通信與工業(yè)電源:由于其高性能和可靠性,SiHP080N60E適用于需要高效、可靠電源的各種通信和工業(yè)應(yīng)用。

  • 計(jì)算應(yīng)用:在服務(wù)器、邊緣計(jì)算和超級(jí)計(jì)算機(jī)等高性能計(jì)算系統(tǒng)中,SiHP080N60E可以提供穩(wěn)定、高效的電力支持。

  • 可再生能源:在太陽(yáng)能逆變器等可再生能源應(yīng)用中,SiHP080N60E的高能效特性有助于提高能源轉(zhuǎn)換效率。

  • 其他應(yīng)用:此外,SiHP080N60E還可能應(yīng)用于UPS、高強(qiáng)度放電(HID)燈、熒光鎮(zhèn)流器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池充電器等多種領(lǐng)域。

請(qǐng)注意,以上信息基于類(lèi)似型號(hào)的特性和一般E系列功率MOSFET的共同點(diǎn)進(jìn)行推測(cè),實(shí)際參數(shù)和應(yīng)用可能有所不同。如需更詳細(xì)的信息,請(qǐng)參考Vishay Siliconix的官方資料或聯(lián)系其技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)。


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