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IXYS ix4352ne9a低側SiC MOSFET和ight驅動器(柵極驅動器)的介紹、特性、及應用

來源: hqbuy
2024-03-28
類別:基礎知識
eye 18
文章創建人 拍明芯城


    IXYS IX4352NE 9A低側SiC MOSFET和IGBT驅動器是柵極驅動器,設計用于驅動SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE柵極驅動器具有獨立的9A源和接收輸出,允許定制的導通和關斷時間,同時最大限度地減少開關損耗。內部負電荷調節器提供用戶可選擇的負柵極驅動偏置,以提高dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。

    去飽和檢測電路檢測SiC MOSFET過流狀態并啟動軟關斷,防止潛在的破壞性dV/dt事件。IN非反相邏輯輸入兼容TTL和cmos,內部電平移位器提供必要的偏置以適應負柵驅動偏置電壓。IX4352NE保護功能還包括UVLO檢測和熱關閉。漏極故障輸出向微控制器發出故障信號。IXYS IX4352NE采用熱增強的16引腳窄SOIC封裝。


    特性

    • 分離9A峰值源和匯輸出

    • V(DD)-V(SS)工作電壓范圍高達35V

    • 內部電荷泵調節器為可選的負柵極驅動偏壓

    • 飽和檢測與軟關閉匯驅動程序

    • TTL和cmos兼容輸入

    • 欠壓閉鎖(UVLO)

    • 熱關機

    • 漏極輸出


    應用程序

    • 車載充電器

    • 直流-直流轉換器

    • 電動汽車充電站

    • 電機控制器

    • 電源逆變器


    功能框圖


    責任編輯:David

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