ON安森美MC14069UBDR2G門極和反相器中文資料


ON安森美MC14069UBDR2G門極和反相器
ON安森美(ON Semiconductor)MC14069UBDR2G是一個六反相器(Hex Inverter),屬于CMOS(互補金屬氧化物半導體)邏輯門系列。CMOS技術以其低功耗、高噪聲容限和寬工作電壓范圍等優點而著稱,廣泛應用于數字電路中。MC14069UBDR2G采用標準的14引腳雙列直插(DIP-14)封裝和表面貼裝(SOIC-14)封裝,便于不同電路設計需求的實現。
MC14069UBDR2G是一個多用途的邏輯反相器,具備六個獨立的反相器,每個反相器都有一個輸入和一個輸出。這些反相器可以在同一芯片上獨立工作,也可以組合使用,以實現復雜的邏輯功能。該芯片常見于數字信號處理、控制系統和其他需要信號反轉的應用場合。
廠商名稱:ON安森美
元件分類:門極和反相器
中文描述: CMOS,反相器,SOIC封裝,14引腳6表面貼裝,漏極開路輸出否,125 ns 50 pF,2.4mA最大輸出
英文描述: Inverter 6-Element CMOS Automotive 14-Pin SOIC N T/R
數據手冊:http://www.tongliao8.com/data/k01-354861-MC14069UBDR2G.html
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MC14069UBDR2G中文參數
邏輯功能 | 逆變器 | 邏輯系列 | 4000 |
輸出類型 | 漏極開路 | 尺寸 | 8.75 x 4 x 1.5mm |
每片芯片元件數目 | 6 | 高度 | 1.5mm |
施密特觸發器輸入 | 否 | 最大工作電源電壓 | 18 V |
最長傳播延遲時間@最長CL | 125 ns @ 50 pF | 最小工作電源電壓 | 3 V |
最大高電平輸出電流 | -0.36mA | 最低工作溫度 | -55 °C |
最大低電平輸出電流 | 2.4mA | 寬度 | 4mm |
安裝類型 | 表面貼裝 | 長度 | 8.75mm |
封裝類型 | SOIC | 最高工作溫度 | +125 °C |
引腳數目 | 14 | 傳輸延遲測試條件 | 50pF |
MC14069UBDR2G概述
MC14069UB六路反向器采用單片結構,配備MOS PChannel和NChannel增強模式設備。這些反向器主要用于需要低功耗和或高噪聲抗擾性的場合。六個反向器中的每一個都是一個單一階段,可最大程度地減少傳播延遲。
電源電壓范圍=3.0 VDC至18 VDC
能夠在額定溫度范圍內驅動兩個低功耗TTL負載或一個低功耗肖特基TTL負載
所有輸入上的三級二極管保護
CD4069UB的引腳替換
提供無鉛封裝
MC14069UBDR2G引腳圖
工作原理
反相器的基本功能是將輸入信號反轉,即輸入為高電平(邏輯1)時,輸出為低電平(邏輯0);輸入為低電平(邏輯0)時,輸出為高電平(邏輯1)。MC14069UBDR2G的工作原理可以通過下面的反相器電路示意圖來解釋:
輸入 輸出
----- -----
0 1
1 0
反相器的核心元件是CMOS結構中的兩個MOSFET(場效應晶體管):一個N型MOSFET和一個P型MOSFET。N型MOSFET導通時,P型MOSFET截止,反之亦然。這個特性使得反相器能夠高效地切換輸入和輸出狀態,從而實現信號反轉功能。
在實際工作中,當輸入端為高電平時,N型MOSFET導通,將輸出端拉低至接地電平(0V);同時,P型MOSFET截止,使得輸出端不與電源電壓(Vdd)相連。相反,當輸入端為低電平時,P型MOSFET導通,將輸出端拉高至Vdd電平(例如5V或3.3V);N型MOSFET則截止,使得輸出端不與地相連。這種工作方式確保了輸出電壓總是與輸入電壓相反。
特點
MC14069UBDR2G作為CMOS反相器,具備以下主要特點:
低功耗:由于采用了CMOS技術,該芯片在靜態工作時幾乎不消耗電流,僅在開關狀態變化時才會有微小的電流消耗,這使其非常適合電池供電設備和低功耗應用。
寬工作電壓范圍:MC14069UBDR2G能夠在3V至18V的電源電壓范圍內工作,適應不同的電源設計需求,提供了很大的靈活性。
高噪聲容限:CMOS結構天然具有高噪聲容限,能夠在嘈雜的電氣環境中可靠工作。這對穩定性和抗干擾能力要求高的應用場合尤為重要。
邏輯電平與供電電壓匹配:輸入和輸出的邏輯電平與供電電壓(Vdd)直接相關,這使得MC14069UBDR2G能夠輕松地與其他CMOS器件集成,簡化了系統設計。
獨立反相器:每個芯片包含六個獨立的反相器,設計靈活,可以滿足多種不同的電路需求。
可靠的制造工藝:ON安森美的制造工藝保證了芯片的高可靠性和一致性,使其在各種環境條件下都能穩定工作。
應用
MC14069UBDR2G的應用范圍非常廣泛,主要包括以下幾個方面:
信號處理:在數字電路中,信號反轉是非常常見的操作。MC14069UBDR2G可以用于信號調理和數據處理,例如在數據總線中反轉數據位、生成時鐘信號等。
邏輯電路:該芯片可以作為基本邏輯門的一部分,用于構建更復雜的邏輯電路,例如與門、或門和非門等。在組合邏輯和時序邏輯電路設計中,反相器是必不可少的基礎組件。
振蕩器電路:反相器可以與其他元件(如電阻、電容)一起用來構建振蕩器電路,生成穩定的時鐘信號。這在時序控制和同步電路中有廣泛應用。
控制系統:在自動控制和嵌入式系統中,MC14069UBDR2G可以用于控制信號的反轉和調整,確保系統邏輯正確執行。
電源管理:在電源管理電路中,反相器可以用于控制電源狀態和管理電源分配,確保系統的穩定性和可靠性。
家庭自動化和消費電子:如智能家居設備、遙控器、玩具等消費電子產品中,MC14069UBDR2G可以用于各種信號處理和邏輯控制任務。
參數
理解MC14069UBDR2G的性能和應用,關鍵在于了解其技術參數。這些參數決定了芯片的實際工作能力和限制,具體包括以下幾個方面:
電源電壓范圍(Vdd):MC14069UBDR2G可以在3V至18V范圍內工作,典型值為5V或3.3V。這種寬電壓范圍使其能夠適應不同的電源設計需求。
輸入電壓范圍(Vin):輸入電壓的范圍通常與電源電壓(Vdd)一致,確保輸入信號能夠正確驅動反相器。
輸出電壓范圍(Vout):輸出電壓與輸入電壓相反,并且與電源電壓相匹配,例如在5V供電時,輸出電壓范圍為0V至5V。
輸入電流(Iin):在靜態狀態下,輸入電流非常小,通常在納安(nA)級別。這使得MC14069UBDR2G在大部分應用中幾乎不會增加額外的電流負擔。
輸出電流(Iout):輸出電流的能力取決于電源電壓和負載條件。在典型情況下,MC14069UBDR2G可以提供高達25mA的輸出電流,足以驅動大部分邏輯電路負載。
功耗(Ptot):總功耗主要取決于開關頻率和負載條件。由于CMOS技術的低功耗特性,在靜態工作時功耗極低,僅在開關狀態變化時才會有明顯的功耗增加。
傳播延遲(tpd):傳播延遲是指信號從輸入到輸出的延遲時間,通常在幾十納秒到幾百納秒之間。這一參數決定了反相器的速度性能,適用于高速信號處理應用。
工作溫度范圍(Toper):MC14069UBDR2G可以在-55℃至+125℃的溫度范圍內穩定工作,適用于各種工業和消費應用環境。
引腳配置:14引腳DIP或SOIC封裝,標準的引腳排列方便集成到各種電路板設計中。
總結
ON安森美MC14069UBDR2G反相器以其低功耗、高噪聲容限和寬工作電壓范圍等優點,成為數字電路設計中的重要組成部分。其廣泛的應用場景和靈活的設計使其在信號處理、邏輯電路、振蕩器電路、控制系統和電源管理等領域表現出色。了解其詳細的技術參數和工作原理,有助于工程師在實際設計中充分發揮其性能,構建高效、穩定的電路系統。
責任編輯:David
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