一、核心性能參數（直接影響電路設計與可靠性）

1. 恒定電流值（I?）

• 定義：在恒流區（工作電壓范圍內）輸出的穩定電流值。

• 關鍵點：

• 標稱值：典型范圍10μA~100mA（如2DH6為600μA，SM4001為1mA）。

• 離散性：同批次器件I?差異通常±5%~±10%，需通過分選匹配。

• 溫度敏感性：電流溫漂系數（α_I）一般為+0.3%~+0.5%/℃，高溫下電流增大。

2. 動態阻抗（R_D）

• 定義：恒流區電壓變化1V時對應的電流變化率（R_D=ΔV/ΔI）。

• 關鍵點：

• 典型值：15Ω~30Ω（低電流型號R_D較高，如100μA型號可能達50Ω）。

• 影響：R_D越高，對電源電壓波動的抑制能力越強，但并聯時電流分配越敏感。

3. 閾值電壓（V_TH）

• 定義：CRD進入恒流區的起始電壓（類似二極管導通電壓）。

• 關鍵點：

• 典型值：500mV~700mV（如2DH6為600mV±50mV）。

• 離散性：不同器件V_TH差異可能±50mV，導致并聯時電流分配不均。

4. 擊穿電壓（V_BR）

• 定義：CRD可承受的最大反向電壓，超過后發生雪崩擊穿。

• 關鍵點：

• 典型值：5V~100V（如SM4001為40V）。

• 保護需求：需確保電源電壓+浪涌電壓<0.8×V_BR，避免失效。

5. 反向漏電流（I_R）

• 定義：反向偏置時的漏電流（通常在μA級）。

• 關鍵點：

• 溫度敏感性：高溫下I_R可能增加10倍，需關注功耗與溫升。

二、測試條件與參數關聯性（避免誤用數據）

1. 關鍵測試條件

2. 參數波動場景

• 電源電壓變化：

• 若V_CR從5V升至10V，I?變化率ΔI?/I? ≈ (ΔV_CR)/(R_D+R_S)（R_S為串聯限流電阻）。

• 溫度循環：

• 高溫（85℃）下I?可能增加20%~30%，需預留設計裕量（如按標稱I?的70%選型）。

三、選型關鍵參數表（典型型號對比）

四、工程化選型指南（基于應用需求）

1. 低電流應用（<1mA）

• 選型重點：

• 優先低R_D型號（如HCR-100的50Ω），降低電源電壓波動影響。

• 關注V_TH一致性（如分選±10mV以內），避免并聯電流分配偏差。

• 典型場景：

• 光電二極管偏置（需電流噪聲<1nA/√Hz）。

• 氣體傳感器加熱電路（恒流精度±2%以內）。

2. 中高電流應用（1mA~100mA）

• 選型重點：

• 選擇高V_BR型號（如SM4001的40V），適應電源浪涌。

• 串聯限流電阻（R_S≈R_D/N）抑制并聯電流不均。

• 典型場景：

• 大功率LED驅動（需電流一致性±5%以內）。

• 電池主動均衡（單只CRD電流1mA~10mA，并聯組數<10）。

3. 精密控制應用

• 選型重點：

• 優先溫度系數低的型號（如LM334Z的α_I=+0.33%/℃）。

• 結合負溫度系數電阻（NTC）補償電流溫漂。

• 典型場景：

• 激光二極管驅動（電流穩定性<±0.1%）。

• 精密恒流源基準（如4~20mA儀表信號源）。

五、關鍵數據獲取渠道

1. 官方數據手冊：

• 主流廠商（如TI、ST、ON Semi、Rohm）提供詳細參數、測試曲線與應用指南。

2. 第三方測試報告：

• EEVblog、Keysight等平臺提供實測數據（如I?-V_CR特性、溫度循環壽命）。

3. 失效分析案例：

• 航天、汽車電子領域公開的CRD失效報告（如擊穿電壓不足、溫漂超標）。

六、選型避坑指南（直接結論）

1. 避免“唯參數論”：

• 參數表中的I?為典型值，需實際測試分選（如用恒流源+數字萬用表篩選±3%以內器件）。

2. 慎用并聯：

• 除非必要（如大電流需求），否則優先選擇單只高電流型號（如用LM334Z外接電阻實現100mA）。

3. 預留降額：

• 電源電壓按0.7×V_BR設計，結溫按<85℃控制（加散熱片或強制風冷）。

核心原則：“以應用邊界定義參數需求，以測試驗證替代理論推導”，避免因參數誤判導致電路失效。