原標題：聚焦 5G 應用創新，長電科技亮相 IC China 2020

一、展會背景與長電科技戰略定位

IC China 2020（中國國際半導體博覽會）作為中國半導體產業年度盛會，聚焦5G、AI、物聯網等前沿技術。長電科技作為全球第三大、中國內地第一大芯片封測企業，以“5G賦能，智聯未來”為主題，展示其在5G芯片封裝領域的核心技術突破與行業解決方案，旨在推動5G終端、基站、物聯網等場景的規模化落地。

二、長電科技5G應用創新技術亮點

1. 5G射頻前端模塊封裝（SiP）

• 為某頭部手機廠商提供5G射頻SiP模塊，助力其旗艦機型實現全球5G頻段覆蓋。

• 5G智能手機、CPE（客戶終端設備）、5G物聯網模組。

• 采用高密度系統級封裝（SiP）技術，將5G PA（功率放大器）、濾波器、開關等芯片集成至單一模塊，體積縮小40%，功耗降低25%。

• 支持Sub-6GHz與毫米波雙頻段，滿足全球5G頻段兼容需求。

• 技術突破：

• 應用場景：

• 客戶案例：

2. 5G基站芯片封裝（2.5D/3D封裝）

• 單基站芯片封裝成本降低30%，助力運營商加速5G網絡部署。

• 5G宏基站、微基站、邊緣計算服務器。

• 開發2.5D Interposer（中介層）與3D堆疊技術，實現5G基站芯片的高帶寬、低延遲互連，數據傳輸速率提升3倍。

• 通過TSV（硅通孔）技術，將芯片厚度降低至50μm，散熱效率提升50%。

• 技術突破：

• 應用場景：

• 行業價值：

3. 5G物聯網芯片封裝（Fan-Out WLCSP）

• 長電科技5G物聯網芯片封裝出貨量已超1億顆，市占率達25%。

• 5G智能電表、工業傳感器、車聯網終端。

• 采用扇出型晶圓級封裝（Fan-Out WLCSP），將5G物聯網芯片I/O密度提升至3000+，滿足低功耗、小尺寸需求。

• 支持eSIM集成，實現物聯網設備全球無縫漫游。

• 技術突破：

• 應用場景：

• 市場數據：

三、長電科技5G技術競爭力分析

1. 技術指標對比

   
   

   技術維度	長電科技方案	行業平均水平
   封裝密度（I/O/mm2）	3000+	1500-2000
   信號完整性（dB）	≤-30（高頻段）	≤-25
   散熱效率（W/mK）	150	80-100
   良率（%）	99.5%	98-99%

   
   

2. 差異化優勢

• 全產業鏈整合：從晶圓級封裝到系統級測試，提供一站式解決方案，縮短客戶研發周期30%。

• 定制化能力：支持5G芯片的異構集成（如HBM+邏輯芯片堆疊），滿足AIoT設備差異化需求。

• 環保工藝：采用無鉛化、低能耗封裝技術，單顆芯片封裝碳排放降低40%。

四、5G應用創新案例解析

1. 案例1：5G智能手機射頻前端模塊

• 模塊厚度僅0.8mm，功耗較競品低18%，助力該機型首銷破百萬臺。

• 采用雙面SiP技術，將20顆芯片集成至5mm×5mm模塊中；

• 通過電磁屏蔽層優化，降低高頻信號干擾，提升通信穩定性。

• 客戶需求：某手機廠商需在旗艦機型中集成全球5G頻段，同時控制模塊體積與功耗。

• 長電方案：

• 成果：

2. 案例2：5G基站AI加速芯片封裝

• 單基站AI算力提升4倍，封裝成本降低28%，助力客戶中標國內5G三期招標。

• 采用2.5D Interposer+HBM2E堆疊，實現1.2TB/s帶寬；

• 通過晶圓級重構技術，將封裝良率提升至99.8%。

• 客戶需求：某通信設備商需提升基站AI推理性能，同時降低封裝成本。

• 長電方案：

• 成果：

五、行業影響與未來展望

1. 推動5G規模化商用

• 長電科技5G芯片封裝技術已應用于全球超1億部5G終端與20萬個5G基站，加速5G從“可用”到“好用”的跨越。

2. 引領封測技術升級

• 其2.5D/3D封裝、Fan-Out WLCSP等技術成為行業標桿，倒逼日月光、安靠等競爭對手加大研發投入。

3. 未來技術路線圖

• 2021-2022年：量產Chiplet（芯粒）封裝，支持5G芯片的模塊化設計；

• 2023年：推出光互連封裝技術，突破5G基站帶寬瓶頸；

• 2025年：實現量子芯片封裝預研，布局6G時代。

六、總結

長電科技在IC China 2020上的亮相，不僅展示了其在5G芯片封裝領域的技術領導力，更通過高密度集成、低功耗設計、全產業鏈服務三大核心優勢，為5G終端、基站、物聯網等場景提供了可落地的解決方案。隨著5G應用從消費電子向工業互聯網、車聯網等垂直領域滲透，長電科技的技術創新將持續賦能中國半導體產業，助力全球5G生態繁榮。