原標題：意法半導體高能效功率變換應用，推出新的 45W和150W GaN 產品

意法半導體針對高能效功率變換應用，推出了新的45W和150W GaN（氮化鎵）產品，分別是MasterGaN3和MasterGaN5。這兩款產品作為集成功率系統封裝，為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正(PFC)和DC/DC變換器的工程師提供了更多的選擇和靈活性。以下是關于這兩款產品的詳細介紹：

一、產品特點

1. 高能效與小型化：

• GaN晶體管能夠實現更高的開關頻率，這使得新的集成功率系統封裝能夠使電源尺寸比基于硅的設計縮小80%，同時具有很高的穩健性和可靠性。

2. 集成化設計：

• MasterGaN3和MasterGaN5均集成兩個650V功率晶體管、優化的高壓柵極驅動器和相關的安全保護電路。這種設計消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰，簡化了設計流程。

3. 靈活的應用場景：

• MasterGaN3的兩個GaN功率晶體管的導通電阻值(Rds(on))不相等，分別為225mΩ和450mΩ，使其適用于軟開關和有源整流變換器。

• MasterGaN5中兩個晶體管的導通電阻值均為450mΩ，適用于LLC諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。

4. 廣泛的兼容性：

• 這兩款器件都兼容3.3V至15V邏輯信號的輸入，簡化了與DSP處理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設備的連接。

5. 安全保護功能：

• 新產品集成了多種安全保護功能，包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅動器互鎖、過熱保護和關斷引腳，提高了系統的整體安全性和可靠性。

二、產品配套

• 每款MasterGaN產品都配有一個專用的原型開發板（如EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5），這些開發板包含單端或互補驅動信號發生器電路、可調的死區時間發生器以及相關的設備接口，方便用戶采用不同的輸入信號或PWM信號進行測試和調試。

三、量產與封裝

• MasterGaN3和MasterGaN5現已量產，并采用針對高壓應用優化的9mm x 9mm GQFN封裝，高低壓焊盤間爬電距離為2mm。

四、公司背景

意法半導體（STMicroelectronics）是一家擁有46,000名半導體技術的創造者和創新者的公司，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家獨立的半導體設備制造商，意法半導體與十萬余客戶、數千名合作伙伴共同研發產品和解決方案，構建生態系統，以應對各種挑戰和新機遇，滿足世界對可持續發展的更高需求。

綜上所述，意法半導體的MasterGaN3和MasterGaN5產品以其高能效、小型化、集成化設計以及廣泛的安全保護功能和兼容性，為高能效功率變換應用提供了理想的解決方案。