原標題：意法半導體新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET提高能效，最大限度降低開關功率損耗

意法半導體新推出的MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和開關功率損耗降低方面表現出色，以下是對該產品的詳細介紹：

一、產品特點

1. 提高能效：

• MDmesh K6系列MOSFET通過改進多個關鍵參數，顯著提高了能效。其RDS(on) x 面積參數在市場上現有800V產品中處于領先水平，這意味著在相同的電流下，其導通電阻更低，從而減少了功率損耗。

2. 最大限度降低開關功率損耗：

• 該系列MOSFET的總柵極電荷(Qg)非常低，這有助于實現高開關速度和低損耗。在高頻開關應用中，低Qg能夠減少每次開關的能量損失，從而進一步降低整體功率損耗。

3. 低閾壓設計：

• K6系列的閾壓比上一代MDmesh K5更低，這使得其可以使用更低的電壓驅動，從而降低功耗并提高能效。這一特性特別適用于零功耗待機應用，有助于延長設備的待機時間。

4. 高魯棒性：

• 芯片上集成了一個ESD保護二極管，將MOSFET的整體魯棒性提高到人體模型(HBM) 2級。這增強了產品的抗干擾能力和穩定性，提高了產品的可靠性和使用壽命。

二、應用領域

MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET特別適合基于反激式拓撲的照明應用，如LED驅動器、HID燈等。此外，它還適用于電源適配器和平板顯示器的電源等應用場景。這些應用對功率密度和能效要求較高，而MDmesh K6系列MOSFET正好滿足了這些需求。

三、市場反響

意大利固態照明創新企業TCI的首席技術官、研發經理Luca Colombo對該系列MOSFET表示了高度認可。他指出，MDmesh K6系列的樣片在Rdson* 面積和總柵極電荷(Qg)性能方面表現出色，給他留下了深刻印象。

四、產品系列

目前，MDmesh K6系列已經推出了多款產品，如STD80N240K6（RDS(on)最高220 mΩ）、STD80N340K6（RDS(on)最高340 mΩ）和STD80N450K6（RDS(on)最高450 mΩ）等。這些產品以DPAK封裝形式提供，并具備出色的性能和易用性。未來，意法半導體還將推出更多采用不同封裝的MDmesh K6系列器件，以滿足不同應用場景的需求。

綜上所述，意法半導體的新MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET在能效提升和開關功率損耗降低方面取得了顯著成效，為照明、電源適配器和平板顯示器等應用領域提供了高性能、高可靠性的解決方案。