原標題：基于GaN的參考設計縮小了電機驅動器的尺寸

基于GaN（氮化鎵）的參考設計在電機驅動器領域的應用，確實有助于顯著縮小驅動器的尺寸并提高性能。以下是關于這一點的詳細解釋和歸納：

1. GaN技術的優勢：

• GaN高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）與硅MOSFET相比，具有更低的驅動損耗和更短的死區時間電路優勢。這主要得益于GaN HEMT的柵極電荷（Qg）和輸出電容（Coss）的顯著降低。

• GaN HEMT在高頻軟開關諧振拓撲（如LLC諧振轉換器）中顯示出優于硅MOSFET的顯著優勢，因為它支持更高的開關頻率，有助于減小變壓器鐵芯尺寸，并提高功率密度。

1. 基于GaN的參考設計如何縮小電機驅動器尺寸：

• 由于GaN HEMT具有更低的驅動損耗和更短的死區時間，基于GaN的電機驅動器可以在更高的頻率下運行，同時保持高效和穩定。

• 高頻操作允許使用更小的變壓器和電容器，這些元件在電機驅動器中占據大部分體積。因此，采用GaN技術的驅動器可以顯著減小尺寸。

• 例如，在LLC諧振轉換器中，由于GaN HEMT的優異性能，可以設計出功率密度超過63W/inch3的完整轉換器，同時保持高效率和可靠性。

2. 具體數字和信息：

• 在基于GaN的LLC DC-DC諧振轉換器中，可以觀察到峰值效率高達96%，且功率密度極高。

• 使用GaN技術的電機驅動器可能具有更高的電流密度和更小的尺寸，從而節省空間并降低整體系統成本。

3. 歸納：

• 基于GaN的參考設計通過利用GaN HEMT的優異性能，如低驅動損耗、高開關頻率和短死區時間，顯著縮小了電機驅動器的尺寸。

• 這些設計不僅提高了驅動器的性能，還通過減小元件尺寸和增加功率密度，降低了整體系統成本。

• 在低功耗消費類應用（如筆記本電腦適配器、平板電視和一體式臺式計算機）中，基于GaN的電機驅動器顯示出巨大的潛力。