非易失性存儲器和易逝性存儲器的區別是什么?


非易失性存儲器和易失性存儲器在計算機存儲體系中扮演不同角色,二者在數據保存特性、工作原理、性能、應用場景、成本等方面存在明顯區別,以下是詳細介紹:
數據保存特性
非易失性存儲器:數據能夠長期保存,即使設備斷電,存儲在其中的數據也不會丟失。就像一個帶有密碼鎖的保險箱,只要不主動打開(進行數據擦除等操作),里面的物品(數據)會一直安全存放。例如,電腦中的固態硬盤(SSD)和機械硬盤(HDD),即便電腦關機,存儲在其中的操作系統、軟件、文檔等數據依然存在,下次開機時可以正常使用。
易失性存儲器:數據在斷電后會立即丟失,無法長期保存。它類似于一個臨時的工作臺,在工作(通電)時可以放置各種工具和材料(數據),但一旦停止工作(斷電),工作臺上的東西就會消失。例如,電腦中的內存條(RAM),當電腦關機后,內存中正在運行的程序和數據就會全部消失。
工作原理
非易失性存儲器:通常基于特殊的物理結構或材料特性來存儲數據。
以NAND Flash為例:它利用浮柵晶體管來存儲電荷,通過向浮柵中注入或釋放電荷來表示不同的數據狀態(如“0”和“1”)。由于電荷可以在浮柵中長時間保持,所以數據能夠長期保存。
以NOR Flash為例:其存儲單元是基于晶體管的導通和截止狀態來存儲數據,通過改變晶體管的柵極電壓來控制導通狀態,從而實現數據的存儲和讀取。
易失性存儲器:主要依靠電路中的電容來存儲數據。
以動態隨機存取存儲器(DRAM)為例:每個存儲單元由一個晶體管和一個電容組成,電容充電表示“1”,放電表示“0”。由于電容會逐漸放電,所以需要定期進行刷新操作,以保持數據的準確性。
以靜態隨機存取存儲器(SRAM)為例:它使用雙穩態觸發器來存儲數據,不需要像DRAM那樣定期刷新,但電路結構相對復雜,成本較高。
性能特點
讀寫速度
非易失性存儲器:讀寫速度相對較慢。以常見的SATA接口固態硬盤為例,其連續讀取速度一般在500MB/s左右,寫入速度在400MB/s左右。雖然比機械硬盤快很多,但與易失性存儲器相比仍有差距。
易失性存儲器:讀寫速度非常快。例如,DDR4內存的讀寫速度可以達到每秒數十GB,能夠快速響應處理器的數據請求,確保計算機系統的流暢運行。
訪問延遲
非易失性存儲器:訪問延遲相對較長。這是因為數據存儲在物理介質中,需要一定的時間來進行尋址、讀取和寫入操作。
易失性存儲器:訪問延遲極短,幾乎可以實時響應處理器的請求,為處理器提供快速的數據支持。
應用場景
非易失性存儲器:用于長期存儲數據,適合存儲操作系統、應用程序、用戶文件等需要長期保存的信息。
個人電腦:固態硬盤和機械硬盤用于存儲操作系統、軟件、文檔、照片、視頻等數據。
移動設備:如智能手機、平板電腦等,使用內置的閃存芯片來存儲系統數據、應用程序和用戶資料。
服務器和企業存儲:用于存儲大量的業務數據、數據庫等信息,確保數據的安全性和可靠性。
易失性存儲器:主要用于臨時存儲處理器正在處理的數據和程序,作為處理器與主存儲器之間的緩存,提高系統的運行速度。
計算機內存:為處理器提供快速的數據訪問,支持多任務處理和大型應用程序的運行。
圖形處理器(GPU)內存:用于存儲圖形數據和紋理信息,加速圖形渲染和處理。
成本方面
非易失性存儲器:不同類型的非易失性存儲器成本有所差異。一般來說,NAND Flash的成本相對較低,因此在消費級電子產品中得到了廣泛應用;而一些高性能的非易失性存儲器,如企業級的固態硬盤,由于采用了更先進的技術和更高的品質要求,成本相對較高。
易失性存儲器:成本也受多種因素影響。SRAM的速度快、穩定性高,但電路結構復雜,成本較高,通常用于對性能要求極高的場合,如CPU的高速緩存;DRAM的成本相對較低,是計算機內存的主流選擇。
責任編輯:Pan
【免責聲明】
1、本文內容、數據、圖表等來源于網絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。