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SiC器件將擊穿電壓擴展到1700V
SiC器件將擊穿電壓擴展到1700V
　　安森美半導體的1700-V EliteSiC MOSFET和EliteSiC肖特基二極管為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高效的運行。1700V NTH4L028N170M1 MOSFET 為高功率工業系統帶來了更高的擊穿電壓，而兩個 1700V 雪崩額定肖特基二極管(NDSH25170A、NDSH10170A)允許設計人員在......
安森美半... 肖特基二... NDSH...
2023-01-10
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2021-08-12
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意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）在半導體技術領域取得了重大突破，成功制造出了首批200mm（8英寸）的碳化硅（SiC）晶圓。這一成就不僅標志著意法半導體在碳化硅材料技術上的領先地位，也為電力電子芯片的發展帶來了新的可能性。一、技術背景與意義碳化硅作為一種寬禁帶化合物半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表。與傳......
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2021-07-29
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2021-06-22
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2021慕尼黑電子展見，泰克邀您共同品味測試測量的奧妙
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2021年慕尼黑電子展上，泰克作為專業的測試方案提供商，展示了其在測試測量領域的創新技術和解決方案。以下是對泰克在2021慕尼黑電子展上的展示內容的歸納：一、展會概況舉辦時間：2021年4月14日至16日舉辦地點：上海新國際博覽中心N4館泰克展臺：N4.4380二、展示內容材料測試平臺泰克提供了材料電學特性的測試方案，常見的測試參數包括電......
泰克 駕駛輔助... SiC器...
2021-04-16
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