硅功率MOSFET為電路設計人員提供了許多優勢，使其成為許多應用中的明顯選擇。它提供高開關速度和低導通電阻，與之前的雙極晶體管不同，MOSFET不會受到熱失控的影響。制造技術的進一步發展使得可以使用垂直配置，并聯多個晶體管的設備，進一步降低了導通電阻。 在幾十年的時間里，制造商對基本設計進行了改進，設置導通電阻和擊穿電壓的新標準。然而，這些參數通常需要在MOSFET設計中相互折衷。增加擊穿電壓的技術往往會推高導通電阻。因此，諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等競爭器件已經取得了進展，其應用需要比MOSFET更高的擊穿電壓額定值。