SOI晶圓
SOI晶圓
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材料通過在絕緣體上形成半導體薄膜,SOI材料具有了體硅所無法比擬的優點:可以實現集成電路中元器件的介質隔離,徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應;采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢,因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術。此外,SOI材料還被用來制造MEMS光開關,如利用體微機械加工技術。

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