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超薄片槽柵IGBT
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本發明屬于功率半導體技術領域,特別涉及一種具有埋層結構的槽柵型MOS。相比傳統的槽柵型,本發明通過引入在示意圖的x方向和y方向具有不同深度的P型體區,使得槽柵的下方仍為P型區域,降低了該結構的柵漏電容(Cgd)和柵源電容(Cgs)的比值,在x方向的倒梯形P型體區還改善了槽柵拐角區域的峰值電場。通過在外延層區域加入適當的反型埋層區域,引入了橫向電場,有效地提高其耐壓能力,加入的埋層結構使得槽柵下方的N?外延層區域可以提高摻雜濃度,降低導通電阻。

士蘭微：2021 年上半年凈利潤 4.31 億元，同比增長 1306.52%
士蘭微：2021 年上半年凈利潤 4.31 億元，同比增長 1306.52%
士蘭微在2021年上半年的財務表現非常亮眼，具體表現為凈利潤的大幅增長。根據多家權威媒體和機構發布的信息，士蘭微在2021年上半年實現了凈利潤約4.31億元，同比增長了驚人的1306.52%。這一數據不僅彰顯了士蘭微在半導體行業的強勁發展勢頭，也反映了其在市場競爭中的優越地位。具體來說，士蘭微在2021年上半年的營業收入約為33.08億元......
快恢復二... 超薄片槽... 高密度溝...
2021-08-17
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