兩個MOSFET的柵極由相同的信號驅動。當信號為高電平時，N通道MOSFET導通，當信號為低電平時，P通道MOSFET導通，從而產生一個兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級可有一路或兩路輸出。根據輸出級有一路還是兩路輸出，可實現具有一個或兩個柵極電阻（導通，關斷）的用于對稱或不對稱柵極控制的解決方案。 保護IGBT的續流二極管的開關特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導通開關速度只能提高到一個與所用續流二極管反向恢復特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續流二極管的過壓極限。通過使用特殊設計和優化的帶軟恢復功能的CAL（可控軸向壽命）二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導通電流小