本實用新型涉及一種IPD無反射低通濾波器,包括金屬導體層,設在所述金屬導體層上方的第一硅介質層,設在所述第一硅介質層上方的第二硅介質層,設在所述第二硅介質層上方的電路結構層,設在所述電路結構層上方的硅氧化層及與電路結構層連通的電阻,其中所述電路結構層包括彼此互相導通的輸入端,輸出端,第一接地端,第二接地端及第三接地端,所述電路結構層上連接有第一電感,第二電感及第三電感,所述硅氧化層包括第一電容,第二電容及第三電容,所述電阻包括第一電阻,第二電阻,第三電阻及第四電阻,本實用新型的IPD無反射低通濾波器具有高性價比,小尺寸,溫度穩定性好帶外無反射,性能高,適合批量生產.