本發明提供一種單片晶圓濕式處理設備及處理方法,設備包括支撐組件,支撐組件包括用于支撐晶圓的支撐部以及設置在支撐部的邊緣區域的外圍用于固定晶圓的保持部,支撐部具有邊緣區域及中間凹陷區域,支撐部上設置有能夠在支撐部的上方形成多個氣體頂針的多個氣體通道,多個所述氣體頂針能夠將放置在所述支撐部上方由所述保持部固定的晶圓托起.并且晶圓下表面完全處于氣體氛圍中這樣在支撐組件高速旋轉時,可以避免晶圓的中間區域凹陷,從而避免造成晶圓的圓環缺陷.氣體頂針的形成還能夠避免蒸汽在晶圓表面凝結,進而避免產生晶圓表面的中心圓形缺陷.本發明提供的單片晶圓濕式處理方法采用上述處理設備,同樣具備相同技術效果.