目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動的lGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路(HVIC)棚驅動器，因為這些IC是專為接地操作而設計——與控制電路相同。因此，研發有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”棚驅動器便最為理想了。這樣的器件已經開發出來了。器件與負偏置柵驅動IGBT進行性能表現的比較測試，在高dV/dt條件下得出優越的測試結果。 為了理解dV/dt感生開通現象，我們必須考慮跟IGBT結構有關的電容。圖1顯示了三個主要的IGBT寄生電容。集電極到發射極電容C，集電極到柵極電容C和柵極到發射極電容CGE。