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Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET?0?3 Gen IV功率MOSFET技術。SiR186LDP MOSFET具有超低RDS Qg品質因數 （FOM），經過調諧，可實現最低RDS Qoss FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道 60V （D-S） MOSFET非常適合用于同步整流、一次側開關、直流/直流轉換器和電機驅動開關應用。

Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET的介紹、特性、及應用
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一、介紹Vishay/Siliconix TrenchFET功率MOSFET是一種高性能的功率半導體器件，以其卓越的性能和廣泛的應用領域而知名。TrenchFET系列MOSFET包括多個不同的版本和封裝形式，如第三代和第四代產品，每種都針對特定的應用進行了優化。二、特性超低RDS(on)特性：TrenchFET功率MOSFET具有超低的R......
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Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高性能的半導體器件，以下是對其的介紹、特性及應用的詳細概述：介紹Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是專為電信、工業和計算應用設計的高效率、高功率密度解決方案。它采用了先進的E系列超級結技術，并封裝在頂部冷卻的......
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Vishay / Siliconix Si7454FDP是一款N通道（N-Channel）的100V MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了TrenchFET? Gen IV技術，旨在提供高性能的開關應用解決方案。特性電氣參數：漏源極擊穿電壓（Vds）：100 V25°C時的連續漏極電流（Id）：5A(Ta)漏源導通電阻（......
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2022-06-24
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Vishay/Siliconix SQS486CENW 是一款汽車級 N 溝道 40V 溝槽 FET MOSFET，具有以下特點：低導通電阻：RDS(on) 典型值為 11.5mΩ，有助于降低導通損耗。高功率密度：采用節省空間的 PowerPAK? SO-8 封裝，尺寸小巧，能以較小的封裝實現較高的功率處理能力。快速開關速度：具有較低的柵......
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2022-06-16
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Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成電源級的介紹、特性、及應用
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Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成電源級是Vishay Intertechnology Inc.旗下的一個高性能產品系列，專為同步降壓應用而設計。該系列集成了MOSFET、驅動器和高電流路徑，旨在提供高效率的DC/DC轉換解決方案。SiC8x系列采用先進的封裝技術和設計，以滿足現代電子設備對功耗、尺寸、效率和可靠......
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