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硅基氮化鎵器件
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氮化鎵功率器件由于氮化鎵材料本身的特性，相對于目前市場上主導的硅半導體功率器件，在同樣的工作電壓和功率條件下，能夠在能量轉換過程中進一步降低大約30％-50％的能量損耗，同時它的體積僅為現有硅半導體功率器件的1/10，工作電壓更高，高于600V，轉換功率更大，工作頻率更快，大于50MHz，所有這些優勢都可以降低成本，并轉化成巨大的經濟效益，有利于節能降耗。

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