本發明公開了一種降低MOS芯片內阻的封裝結構及其封裝方法，該封裝結構包括硅襯底，硅襯底的正面具有形成至少一個MOS管的第一源極、第一漏極和第一柵極，硅襯底的背面形成有對應漏極的盲孔，盲孔內和硅襯底的背面均鋪設有一層金屬層。該封裝結構能夠減少MOS芯片漏極的等效電阻的阻值；且通過在MOS芯片背面形成盲孔，有利于增強MOS芯片的強度，通過在盲孔內及MOS芯片背面形成金屬層，能夠大大提升MOS芯片的散熱效果，降低導通時的功耗。該封裝方法采用晶圓級先整體封裝再切割的工藝，相對于目前的傳統封裝工藝，整體成本大大降低