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SiC MOSFET
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件重載時(shí)溫度更低...
關(guān)于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測(cè)試對(duì)比，國(guó)產(chǎn)器件在重載時(shí)溫度更低的現(xiàn)象，可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)分析：一、測(cè)試背景與目的650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、UPS、電源等領(lǐng)域。隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)（據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)......
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2021-10-20
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如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計(jì)以提高電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器的效率
如何將 SiC MOSFET 導(dǎo)入設(shè)計(jì)以提高電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器的效率
將SiC MOSFET導(dǎo)入電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器的設(shè)計(jì)以提高效率，可以通過(guò)以下幾個(gè)關(guān)鍵步驟和考慮因素來(lái)實(shí)現(xiàn)：一、選擇合適的SiC MOSFET額定電壓和電流：根據(jù)電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器的需求，選擇合適的額定電壓和電流的SiC MOSFET。例如，對(duì)于800V電池系統(tǒng)的車(chē)輛，需要選擇額定電壓為900至1200伏的SiC MOSFET。開(kāi)關(guān)性能：Si......
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功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC MOSFET技術(shù)解析
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在功率轉(zhuǎn)換器中，CoolSiC? MOSFET技術(shù)是一項(xiàng)重要的創(chuàng)新，它基于碳化硅（SiC）這一寬禁帶半導(dǎo)體材料，為電力電子領(lǐng)域帶來(lái)了顯著的性能提升。以下是對(duì)CoolSiC? MOSFET技術(shù)的詳細(xì)解析：一、技術(shù)背景與優(yōu)勢(shì)1. 材料特性SiC材料的帶隙寬度約為硅的3倍，這使得其臨界場(chǎng)強(qiáng)約是硅的10倍。因此，SiC器件能夠在更高的電壓下工作，......
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安森美半導(dǎo)體NTHL080N120SC1A是一款n通道碳化硅（SiC）MOSFET，該產(chǎn)品以其優(yōu)越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域在半導(dǎo)體行業(yè)中備受關(guān)注。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用領(lǐng)域的分析：一、產(chǎn)品介紹NTHL080N120SC1A是安森美半導(dǎo)體推出的一款高性能SiC MOSFET，專(zhuān)為高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價(jià)比的高頻設(shè)計(jì)而打造。該......
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英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，助力提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)
英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET...
英飛凌推出的采用高性能AIN（氮化鋁）陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模塊，在提升功率密度和實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)方面發(fā)揮了重要作用。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、產(chǎn)品背景與特點(diǎn)升級(jí)材料：英飛凌將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN）陶瓷，這種材料具有出色的熱導(dǎo)性能，有助于提升模塊......
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如何設(shè)計(jì)SiC MOSFET以提高電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器效率
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設(shè)計(jì)SiC MOSFET以提高電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器效率是一個(gè)涉及多個(gè)方面的復(fù)雜過(guò)程。以下是一些關(guān)鍵步驟和考慮因素，旨在優(yōu)化SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器中的應(yīng)用，從而提高效率：一、選擇合適的SiC MOSFET型號(hào)額定電壓和電流：根據(jù)電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器的具體需求，選擇具有適當(dāng)額定電壓和電流的SiC MOSFET。例如，對(duì)于800V......
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2021-08-02
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安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET的介紹、特性、及應(yīng)用
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安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款基于碳化硅（SiC）技術(shù)的MOSFET產(chǎn)品，具有出色的性能特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)闡述：一、產(chǎn)品介紹安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET采用了先進(jìn)的碳化硅材料，這種材料在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)，如高介電擊......
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ROHM推出的內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”是一款高性能、高效率的電源轉(zhuǎn)換解決方案。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：一、產(chǎn)品概述BM2SC12xFP2-LBZ是ROHM公司推出的一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，它采用了一體化封裝技術(shù)，將1700V耐壓的SiC MOSF......
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安森美NxHL080N120SC1是一款N通道碳化硅（SiC）MOSFET，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹、特性及應(yīng)用：一、介紹安森美NxHL080N120SC1是一款高性能的N通道碳化硅MOSFET，專(zhuān)為高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價(jià)比的高頻設(shè)計(jì)而打造。這款MOSFET結(jié)合了高功率密度及高能效的工作優(yōu)勢(shì)，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸，同時(shí)減少熱......
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SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在驅(qū)動(dòng)電力傳動(dòng)逆變器性能方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)SiC MOSFET如何驅(qū)動(dòng)電力傳動(dòng)逆變器性能提升的詳細(xì)闡述：一、SiC MOSFET的主要特性低導(dǎo)通電阻與低開(kāi)關(guān)損耗：與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這使得SiC MOS......
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2021-02-26
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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET，在電力電子領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)這種封裝的詳細(xì)解析：一、封裝優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)器源極引腳：傳統(tǒng)封裝中，源極引腳和柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路共享電感，導(dǎo)致柵極電壓降低，影響導(dǎo)通速度。具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的封裝，通過(guò)將源極引腳和柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路分開(kāi)，消除了源極電感對(duì)柵極電壓的影響，使柵極電壓保持穩(wěn)定，從而......
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2021-01-28
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
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SiC MOSFET替代Si MOSFET時(shí)，自舉電路在一定程度上是適用的，但需要注意一些關(guān)鍵問(wèn)題和調(diào)整。自舉電路能夠極大地簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，它只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開(kāi)關(guān)管，從而節(jié)省成本。在SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)中，常規(guī)自舉電路的基本工作原理保持不變：當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí)，電源通過(guò)自舉二極管和電阻對(duì)自舉電容進(jìn)行充電；當(dāng)下管關(guān)斷后......
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2021-01-22
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SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著
SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著
碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）憑借其材料特性與器件設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車(chē)（EV）、工業(yè)電源、光伏逆變器等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著性能提升。以下從技術(shù)原理、性能對(duì)比、應(yīng)用場(chǎng)景及未來(lái)趨勢(shì)展開(kāi)分析。一、SiC MOSFET的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)材料特性突破寬禁帶寬度（3.26eV）：相比硅（Si）的1.12eV，SiC可承受更高電場(chǎng)強(qiáng)......
電源應(yīng)用
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