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派恩杰半導體
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派恩杰半導體
PN JUNCTION
派恩杰半導體(杭州)有限公司(以下簡稱“派恩杰”)是第三代半導體功率器件設計公司,杭州市蕭山區5G創新谷。以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體器件是電力電子領域革命性的成果。其廣泛應用于新能源、智能電網、物聯網、電力電子等領域。派恩杰產品有碳化硅MOSFET,碳化硅二極管;氮化鎵晶體管等。
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”,擬建車用SiC模塊封裝產線
一、派恩杰SiC MOSFET批量“上車”背景與趨勢自2018年特斯拉Model 3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。SiC MOSFET因其材料優勢(如高溫性能好、功率密度大等),正逐步成為新能源汽車電力電子系統的核心組件。派恩杰的突破派恩杰半導體(杭州)有限公司作...
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2021-12
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比,國產器件重載時溫度更低...
關于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比,國產器件在重載時溫度更低的現象,可以從以下幾個方面進行詳細分析:一、測試背景與目的650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導體器件,廣泛應用于光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等領域。隨著電動汽車市場的快速增長(據HIS報告,電動汽車充電市場...
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2021-10
2021中國智造「金長城」獎揭曉,派恩杰半導體獲評“年度最具成長性企業”
2021中國智造「金長城」獎揭曉,派恩杰半導體(杭州)有限公司(以下簡稱派恩杰半導體)憑借其在SiC功率器件技術領域的卓越表現,榮獲“年度最具成長性企業”獎項。以下是對該獎項及派恩杰半導體獲獎情況的詳細解析:一、獎項背景獎項名稱:2021中國智造「金長城」獎主辦單位:《21世紀經濟報道》頒獎時間:2021年10月12日頒獎場合:2021中...
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2021-10
50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應用...
50余款達國際一流水平的國產SiC SBD(肖特基二極管)、SiC MOS(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)及應用DEMO即將亮相PCIM展(即深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會),這一消息體現了中國在第三代半導體材料和技術領域的顯著進步。以下是對這一事件的詳細解析:一、參展背景與意義PCI...
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2021-08
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